【課題】既存のマイクロマシーニング技術を利用して開発された半導体スイッチは、キャンチレバーを信号の伝送線路に短絡させるためにキャンチレバーを構成している金属を引っ張るためには２０Ｖ以上の高い直流電圧を印加しなければならないので、通信システムに適用するためにはシステムを駆動させるための電圧を昇圧する別の回路を必要とする問題点があった。また、信号の伝送線路に開放させる方法がキャンチレバーを構成する金属の弾性による回復力を要求するため、キャンチレバーの変形に因り使用時間が短く信頼度が低い問題点を有していた。
【解決手段】本発明は従来のプルダウン型の静電気電極をプルアップ型の構造にして低い直流電圧で接触パッドと伝送線路を短絡させ、接触パッドを厚い金属層で構成し接触パッドの重さによる重力を利用して開放する構造のプルアップ型ＲＦマイクロマシーニングスイッチの製造法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子測定のための時間と費用を減らし、また、半導体素子モデリング過程での時間と費用を減らし、超高周波単一チップ集積回路設計時間の短縮と正確な設計を実現する。
【解決手段】半導体素子で測定用パッドの形成とデ・エンベディング過程を省略し、デ・エンベディングされた高周波半導体素子における入出力端の測定パッドの代わりに拡張電極を代置することにより、電極と測定パッド部分で発生する不連続特性を除去して超高周波単一チップ集積回路の設計時に必要なデ・エンベディング過程を省略する。 （もっと読む）