【課題】処理液体を用いて基板表面に形成された膜を除去する除去装置で、ウエハ処理が中断され、ウエハ処理能力が低下し、かつ基板処理システムの動作コストが増大するのを解決する。
【解決手段】処理室４６、基板保持手段、処理液を供給するノズル６０、第１速度又は該第１速度以上の速度である第２速度で回転させる回転機構、処理液体格納容器７６を有し、処理液体を回収及び循環し、再度前記ノズル６０から供給する処理液体循環回収機構７３、処理液体を廃棄する処理液体廃棄機構、処理液体が前記基板保持手段が前記第１速度で回転するときには前記処理液体循環回収機構に、前記第２速度で回転して前記ノズル６０から前記処理液体が供給されるときには前記処理液体廃棄機構に導かれるように接続を変更する制御装置を有する。前記処理液体格納容器７６は、底部に廃液ライン１０７、壁面に前記処理液体格納容器内を洗浄するスプレーノズル１０９を有する。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバ内の発熱チャンバクリーニング処理を制御する方法及びシステムである。
【解決手段】この方法は、システム部品から材料堆積物を除去するためにチャンバクリーニング処理においてクリーニングガスにシステム部品を晒すこと、チャンバクリーニング処理において少なくとも１つの温度関連システム部品パラメータをモニタリングすること、モニタリングによりシステム部品のクリーニング状態を決定すること、を含み、そして、決定された状態に基づいて、（ａ）晒すこと及びモニタリングの継続、（ｂ）処理の停止、のうち一つを行う。 （もっと読む）

半導体デバイス製造においてシリコン含有反射防止コーティング(SiARC)層を有する膜構造を再加工する方法が供される。当該方法は、上にSiARC層を有する膜積層体を含む基板、及び、前記SiARC層上に形成されるレジストパターンを供する工程を有する。当該方法はさらに、前記SiARC層から前記レジストパターンを除去する工程、前記SiARC層を、オゾン(O₃)気体を含む処理気体に曝露することで、前記SiARC層を改質する工程、希釈フッ化水素(DHF)液体によって前記の改質されたSiARC層を処理する工程、及び、遠心力により、前記基板から前記の改質されたSiARC層を除去する工程を有する。
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半導体デバイス用のアルミニウムがドープされた金属（タンタル又はチタン）炭窒化物ゲート電極の作製方法が記載されている。当該方法は、上に誘電層を有する基板を供する工程、及びプラズマが存在しない状態で前記誘電層上に前記ゲート電極を作製する工程を有する。前記ゲート電極は、金属炭窒化物を堆積する堆積工程、及び前記金属炭窒化物上にアルミニウム前駆体の原子層を吸着させる吸着工程によって作製される。前記堆積工程及び前記吸着工程は、前記アルミニウムがドープされた金属炭窒化物ゲート電極が所望の厚さを有するまで、必要な回数だけ繰り返されて良い。
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【課題】水蒸気熱酸化を利用して酸窒化膜へ高濃度の窒素を加え、基板上へ酸窒化物薄膜を成長させる方法を提供する。
【解決手段】基板上に酸窒化膜を成長する方法は、処理チャンバ内に基板を設ける工程１００、処理チャンバを加熱する工程１０２、並びに、水蒸気を含む湿式処理ガス及び亜酸化窒素(NO)を含む窒化ガスを処理チャンバへ流し込む工程１０４を有する。湿式処理ガス及び窒化ガスは、基板上に酸窒化膜が成長するように、基板と反応する処理雰囲気を形成する。 （もっと読む）

低圧プロセスソース（５３５）を用いてガスクラスタイオンビーム（１２８）を生成するガスクラスタイオンビーム装置（１００）及び方法の実施形態について、一般に、開示されている。一実施形態においては、低圧プロセスソース（５３５）は、混合ソースを生成するようにスタティックポンプ（５００）において高圧希釈ソース（５１２）と混合され、その混合ソースから、ガスクラスタイオンビームを生成するようにガスクラスタ噴射（１１８）が生成される。他の実施形態についても詳述されている。
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【課題】回転基板上に保持された層を加熱するための改良された装置及び方法を提供する。
【解決手段】回転基板上に保持された基板１１５及び犠牲層１２０を回転しながら加熱流体１３０を供給してベーキングする。 （もっと読む）

不均一効果-システム又はプロセスに起因する不均一性を含む-を補償するため、半径方向又は非半径方向の温度分布が、プロセス中基板全体にわたって制御される。ウエハ支持チャック（基板支持台20,20a）上の各異なる領域にわたって各異なるようにして背面ガスを流してウエハ全体にわたって熱伝導を変化させることにより、温度が-好適には動的に-制御される。前記支持台(20,20a)内のポート(26,26a)は1つの群をなす。前記領域の各々でのガス圧力を制御して空間的かつ好適には動的にウエハ温度を制御することでシステム及びプロセスの不均一性を補償する制御装置(35)に応答する各異なるバルブ(32)によって、前記群に対して出入りするガスは各独立して制御される。ポート(26,26a)及び該ポート(26,26a)を取り囲む複数のポート(26,26a)へのガス流に影響を及ぼすバルブを各独立かつ動的に制御することによって、各異なるポート(26,26a)での前記背面ガスの圧力を制御して前記基板の背面に及ぶ局所的な力を制御することによって、ウエハの変形は影響を受ける。
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高スループットの非プラズマ処理を行う装置及び方法の実施例(100)が一般的に本明細書において記載されている。他の実施例も記載及び主張されている。
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