【課題】様々なイオン種を発生させることができ、イオンエネルギーが揃ったイオンを発生させることができるイオン源の実現。
【解決手段】イオン源は、図１のように、低インダクタンス内部アンテナ１０と、低インダクタンス内部アンテナ１０を内部に保持する誘電体容器１１と、誘電体容器１１および引き出し電極１３を内部に保持する真空容器１４と、によって構成されている。誘導結合プラズマは誘電体容器１１内部で生成されるため、金属に対する腐食性の高いガスのイオンも生成可能である。また、低インダクタンス内部アンテナ１０を用いているため、プラズマ電位の揺動を小さく抑えることができ、エネルギーの揃ったイオンを引き出すことができる。 （もっと読む）

【課題】解離させるガス分子の種類やその解離エネルギーに応じてプラズマの電子エネルギー分布を容易に制御することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理装置１０は、プラズマ処理室１１と、プラズマ処理室１１と連通するプラズマ生成室１２と、プラズマを生成するための高周波アンテナ１６と、プラズマ中の電子エネルギーを制御するためのプラズマ制御板１７と、プラズマ制御板１７の位置を調整するための操作棒１７１及び移動機構１７２と、を備える。このプラズマ処理装置１０では、移動機構１７２により操作棒１７１を長手方向に動かし、高周波アンテナ１６とプラズマ制御板１７の間の距離を調整するだけで、プラズマ生成室１２内で生成されたプラズマの電子エネルギー分布を制御することができるため、解離させるガス分子の種類やその解離エネルギーに応じたプラズマ処理を容易に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】柱状の結晶構造を有する半導体薄膜を用いた薄膜太陽電池において、リーク電流を抑制することができる薄膜太陽電池を提供する。また、柱状の結晶構造を有する半導体デバイスにおいて、リーク電流による性能低下を抑制することができる半導体デバイスを提供する
【解決手段】本発明に係る薄膜太陽電池１０では、n型a-Si領域１３１とp型a-Si領域１５１とが、μc-Si層１４を挟んで互いに重なり合わないように、各層に平行な平面において所定の距離をおいて配置される構造を有している。これにより、μc-Si層１４内で柱状晶間に形成される結晶粒界３０の一方もしくは両方の端部に絶縁部材であるSiOxから成る層（第１絶縁層１３２及び第２絶縁層１５２）が配置されるため、n型a-Si層１３１とp型a-Si層１５１との間で結晶粒界３０を介して電流が短絡することを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】製膜速度が高く、品質が高い薄膜を形成することができるスパッタリング薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】スパッタ装置１０は、真空容器１１内に設けられたターゲットホルダ１４と、ターゲットホルダ１４に対向して設けられた基板ホルダ１５と、真空容器１１内にプラズマ生成ガスを導入する手段１９と、ターゲットＴの表面を含む領域にスパッタ用の電界を生成する手段１６１と、真空容器１１の壁の内面と外面の間に設けられ、誘電体窓１８３により真空容器の内部と仕切られた高周波アンテナ配置室１８２と、高周波アンテナ配置室１８２内に配置され、ターゲット保持手段に保持されたターゲットの表面を含む領域に高周波誘導電界を形成する高周波アンテナ１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜の材料が表面に付着しても、高周波誘導電界の遮蔽や強度の減衰を抑えることができる高周波アンテナを提供する。
【解決手段】高周波アンテナ１０は、線状のアンテナ導体１３と、アンテナ導体１３の周囲に設けられた誘電体製保護管１４と、誘電体製保護管１４の周囲に設けられたシールドであってアンテナ導体１３の長手方向の任意の線上において誘電体製保護管１４を少なくとも１箇所覆うと共に少なくとも１個の開口１５３を有する堆積物シールド１５とを備える。薄膜材料は保護管及び堆積物シールドの表面に付着するが、アンテナ導体の長手方向の少なくとも１箇所で途切れる。そのため、薄膜材料が導電性のものである場合には高周波誘導電界が遮蔽されることを防ぐことができ、導電性以外のものの場合には高周波誘導電界の強度が減衰することを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】真空容器内に強い誘導電磁界を形成することができ、且つ、アンテナ導体のスパッタリングや温度上昇及びパーティクルの発生を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１と、真空容器１１の壁の外面１１１Ａと内面１１１Ｂの間に、外面１１１Ａから、該壁を貫通させることなく孔を設けることにより形成された空洞であるアンテナ配置部１１３Ａと、アンテナ配置部１１３Ａに配置された高周波アンテナ２１と、高周波アンテナ２１と真空容器１１の内部を仕切る誘電体製の仕切材１６と、を備える。これにより、外部アンテナ方式よりも強い誘導電磁界を真空容器１１内に形成することができる。また、仕切材１６により、真空容器１１内で生成されたプラズマにより高周波アンテナ２１がスパッタされることや高周波アンテナ２１の温度が上昇すること及びパーティクルが発生することを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】低いシート抵抗を得る不純物活性化方法、および、ソース・ドレイン拡張部を均一な深さで再現性よく形成する製造方法を提供。
【解決手段】半導体基板２１において半導体基板２１よりも不純物濃度が高いボロンイオン注入層４３が形成されており、ボロンイオン注入層４３にパルス幅が１０〜１０００フェムト秒のパルスレーザー光を照射して、ボロンイオン注入層４３を活性化させる。パルスレーザー光におけるパルス幅、レーザーフルーエンスおよび照射パルス数を含む照射条件を変更することにより、パルスレーザー光照射後のボロンイオン注入層４３のシート抵抗を制御する。 （もっと読む）

【課題】真空容器に着脱が容易で真空容器内に高密度な放電プラズマを生成する誘導結合型アンテナユニットを提供する。また、これらの誘導結合型アンテナユニットを複数個用いた任意の面積で生産性の高いプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本誘導結合型アンテナユニットは、誘電体筐体１１と、該筐体の蓋体１２と、該蓋体に装着したＵ字形のアンテナ導体１４とからなり、該アンテナ導体のＵ字形部分が前記筐体内に収容され、一体化された構造とする。アンテナ導体として金属パイプを採用し、そのＵ字形部分に細孔１５を設け、前記筐体内に冷却ガスを噴射させてアンテナ導体及び誘電体筐体を冷却できる構成とする。該アンテナユニットをプラズマ処理装置の真空容器壁に設けた開口部に容易に着脱できる構造とする。また、当該誘導結合型アンテナユニットを複数個配列して任意の処理面積を有する生産性の高いプラズマ処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】真空容器内に強い誘導電磁界を形成し、且つ、プラズマの密度分布をより均一にすることができると共に、パーティクルの発生や高周波アンテナの導体のスパッタリングによる基体の汚染を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、高周波放電による誘導結合方式のプラズマ処理装置において、真空容器１１と、前記真空容器１１の壁の内面１１１Ｂと外面１１１Ａの間に設けられたアンテナ配置部１２と、前記アンテナ配置部１２に配置された周回しないで終端する１個の高周波アンテナと、前記アンテナ配置部１２と前記真空容器の内部１１２を仕切る誘電体製の仕切材１５とを備え、前記高周波アンテナ１３の長さが、当該高周波の1/4波長の長さよりも短いことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】真空容器内に強い誘導電磁界を形成することができ、且つ、アンテナ導体のスパッタリングや温度上昇及びパーティクルの発生を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１と、真空容器１１の壁の内面１１１Ａと外面１１１Ｂの間に配置された高周波アンテナ２１と、前記高周波アンテナ２１と前記真空容器１１の内部を仕切る誘電体製の仕切材１６と、を備える。これにより、外部アンテナ方式よりも強い誘導電磁界を真空容器１１内に形成することができる。また、仕切材１６により、真空容器１１内で生成されたプラズマにより高周波アンテナ２１がスパッタされることや高周波アンテナ２１の温度が上昇すること及びパーティクルが発生することを抑えることができる。 （もっと読む）