説明

インディアナ ユニヴァーシティ リサーチ アンド テクノロジー コーポレイションにより出願された特許

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【解決手段】少なくとも2つの半導体の合金を含む合金化された半導体量子ドット(この
量子ドットは、均質な組成を有しかつ少なくとも2つの半導体のモル比に非線形に関連す
るバンドギャップエネルギーによって特徴付けられる);それに関連する合金化された半
導体量子ドットのシリーズ;第1の半導体および第2の半導体の合金を含む濃度勾配量子ド
ット(第1の半導体の濃度は量子ドットのコアから量子ドットの表面まで徐々に増大し、
第2の半導体の濃度は量子ドットのコアから量子ドットの表面まで徐々に減少する);それに関連する濃度勾配量子ドットのシリーズ;in vitroおよびin vivoでの使用方法;ならび
に合金化された半導体量子ドットおよび濃度勾配量子ドットならびにそれらに関連する量子ドットのシリーズを作製する方法。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】少なくとも2つの半導体の合金を含む合金化された半導体量子ドット(この量子ドットは、均質な組成を有しかつ少なくとも2つの半導体のモル比に非線形に関連するバンドギャップエネルギーによって特徴付けられる);それに関連する合金化された半導体量子ドットのシリーズ;第1の半導体および第2の半導体の合金を含む濃度勾配量子ドット(第1の半導体の濃度は量子ドットのコアから量子ドットの表面まで徐々に増大し、第2の半導体の濃度は量子ドットのコアから量子ドットの表面まで徐々に減少する);それに関連する濃度勾配量子ドットのシリーズ;in vitroおよびin vivoでの使用方法;ならびに合金化された半導体量子ドットおよび濃度勾配量子ドットならびにそれらに関連する量子ドットのシリーズを作製する方法。 (もっと読む)


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