本発明は、実質的に真性な半導体の基板（１５８）の領域に注入された、計数された数のドーパントイオン（１４２）を有する汎用タイプの半導体装置に関する。基板（１５８）の一つ以上のドープされた表面領域は、金属化され、電極（１５０）が形成される。計数された数のドーパントイオン（１４２）が、実質的に真性な半導体の領域に注入される。

【その他】
原文には、請求項１１及び請求項１１Ａが存在する。請求項１１Ａは、オンライン手続上、請求項１１内に記載した。

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本発明は、ナノスケール及び原子スケールの装置の製作に関する。本方法は、一つ以上の登録マーカを生成することを含む。ＳＥＭ又は光学顕微鏡を用いて、登録マーカ及び走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）のチップのイメージを形成する。該イメージを用いて、ＳＴＭチップの位置決め及び再位置決めを行い、装置構造をパターニングする。該装置のアクティブ領域を形成してそれを、一つ以上の登録マーカが依然として見えるようにカプセル化し、表面電極を正確に位置決め出来るようにする。本方法は、量子ワイヤ、単一電子トランジスタ、アレイ又はゲート領域を含む多様な装置構造を形成するために使用することが出来る。本方法は、ＳＴＭであとの層をパターニングしてその間をカプセル化することで３Ｄ装置を製造するのにも使用することが出来る。
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