【課題】１つ以上の高速応答光源と１つ以上の空間光変調デバイスとを使用して改良された光強度分解能を与えるディスプレイシステムおよび方法を実現する。
【解決手段】フレームを８個のバイナリ加重期間（Ｂ７〜Ｂ０）へ分割することによってフレームの光強度が制御されるバイナリ加重ＰＷＭ方式の一例のビットブロック図である。各ブロックの長さは、ＭＭＤディスプレイのミラーなどのＳＬＭに対してビットが有効化される時間を表わしている。最下位ビット（ＬＳＢ）とも呼ばれるブロックＢ０に対応する期間の長さは、所定の値に設定される。 （もっと読む）

【課題】マイクロミラーアレイ方式プロジェクタの高コントラスト化を提供する。
【解決手段】マイクロミラーアレイ方式プロジェクタの光源を高速応答の光源（例えば固体光源）とし、入力する映像信号に応じて光源の発光強度を変化させる。光源強度を高強度の光を発光する時間区間、又は低強度の光を発光する時間区間で構成し、また一つの表示フレームを複数のカラーフィールドで構成し、各カラーフィールドごとに、光源強度低強度、又は高強度に制御する。 （もっと読む）

ディスプレイ用途用の光偏向デバイス。光偏向デバイスは、上部表面領域を含む半導体基板と、上部表面領域の上に設けられた１つ又は複数の電極デバイスとを含む。光偏向デバイスには、シリコン材料を含み、上部表面領域に結合されたヒンジデバイスがさらに含まれる。光偏向デバイスは、上部表面領域とヒンジデバイスとの間に画定された間隙部、及びヒンジデバイスに結合された柱部分と、柱部分に結合され、ヒンジデバイスの上にあるミラー板部分とを含むミラー構造をさらに含む。 （もっと読む）

ディスプレイシステムは、光源と、その光源に結合され、照明経路に沿って照明ビームを供給するように構成された第１の光学系とを含む。ディスプレイシステムは、照明経路に配置された空間光変調器をさらに含む。空間光変調器は、複数の電極デバイスを含む半導体基板と、半導体基板に結合されたヒンジ構造とを含む。ヒンジ構造はシリコン材料を含む。空間光変調器には、ヒンジ構造に結合され、半導体基板から所定の距離まで延びるミラー柱と、ミラー柱に結合され、複数の電極デバイスの上にあるミラー板とがさらに含まれる。ディスプレイシステムは、空間光変調器に結合され、画像を映写面上に投写するように構成された第２の光学系をさらに含む。 （もっと読む）

空間光変調器デバイスによって提供されるコントラストは、ピクセルの反射表面の背後に支持柱状体及び可動ヒンジなどの非反射要素を配置することによって強調されてもよい。一実施形態によれば、反射表面は、犠牲層内のギャップによって画成された反射材料と一体のリブによって上方で支えられ、且つヒンジ含有層を下に置いている。代替的実施形態によれば、反射表面は酸化物などの介在層中に形成されたギャップによって下側のヒンジから分離される。どちらの実施形態でも、隣接のピクセル領域を分離している壁は、反射表面より下に凹んでいてもよく、入射光の望まれない散乱をさらに低減し、それによってコントラストを強調できる。 （もっと読む）

隠れヒンジを備えたマイクロミラーアレイであって、例えば、反射型空間光変調器には有用なマイクロミラーアレイである。一実施形態では、このマイクロミラーアレイは、スペーサ支持壁、ヒンジ、ミラープレート、およびこのミラープレートの上面上にあり、かつヒンジとミラープレートとを隠す反射面を含む。このマイクロミラーアレイは、単一材料から作製される。 （もっと読む）

本発明は、隠れヒンジを備えたマイクロミラーアレイの作製に関し、このマイクロミラーアレイは、例えば、反射型空間光変調器には有用である。一実施形態では、このマイクロミラーアレイは、単結晶材料からなる第１の基板である基板から作製される。この第１の基板の第１の側に、キャビティが形成される。また、これとは独立に、電極と、アドレス指定および制御回路とが第２の基板の第１の側上に作製される。次に、第１の基板の第１の側は、第２の基板の第１の側に接合される。この両方の側は、第２の基板上の電極と、第１の基板上に作製され、電極が制御することになるミラープレートとが適切な関係をとるように位置合わせされる。さらに、第１の基板は、所望の厚みまで薄層化され、ヒンジはエッチングされ、犠牲材料が堆積され、第１の基板の上面は平坦化され、反射面が、ヒンジを覆うように堆積され、ミラーがエッチングによって解放され、ヒンジが、このヒンジに沿った軸の周りに回転できるように、ヒンジを解放するためにヒンジの周囲の犠牲層が除去される。 （もっと読む）

集積空間光変調器を製造する方法。該方法は、ボンディング表面を含む第１の基板を提供するステップと、デバイス基板を処理して少なくとも１つの電極層を形成するステップであって、該電極層が複数の電極を含むステップと、該電極層上にスタンドオフ層を堆積するステップとを含んでいる。該方法はさらに、該スタンドオフ層からスタンドオフ構造を形成するステップと、該第１の基板の該ボンディング表面を該デバイス基板の該スタンドオフ構造に接合するステップとを含んでいる。具体的な実施形態では、該方法はさらに、スタンドオフ層を堆積する該ステップの後に、該スタンドオフ層の化学的機械的研磨を実行して該スタンドオフ層の上部表面を平坦化するステップを含んでいる。 （もっと読む）