ウエハレベルチップスケールパッケージング及びアセンブリにおいて、垂直ピラー上にはんだキャップを形成する。一実施例では、垂直ピラーを半導体基板上に位置させる。少なくとも１種類の微量元素をドーピングしうるはんだペーストをピラー構造体の頂面上に被着する。このはんだペーストの被着後にリフロー処理を行ってはんだキャップを形成する。
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誘電体封入を用いて半導体デバイスの信頼性を強化する方法及び装置が開示される。前記方法及び装置は、集積回路（ＩＣ）チップを基板に制御するハンダ接合の信頼性を高めるものである。前記方法は、半導体デバイスの上面にフォトイメージャブル永久誘電体材料の層を被覆し、前記フォトイメージャブル永久誘電体材料の層をパターン化して各機能部の上方に開口部を形成する。前記方法は、更に、前記永久誘電体材料の開口部内にフラックス材料を分与又はテンシル印刷し、前記フラックス材料の上面にフラックスを含まないハンダを付与する。一つ以上の実施形態においては、前記方法は、更に、半導体デバイスを前記ハンダのリフローに適切なリフロー温度に加熱することにより、前記ハンダを前記前記フォトイメージャブル永久誘電体材料の開口部の側壁に合致させて保護シールを形成する。
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金属シード層と無電解ニッケル皮膜層とを有するアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）構造及びその製造方法が開示される。ＵＢＭ構造は半導体基板と、少なくとも１つの最終金属層と、パッシベーション層と、金属シード層と、メタライゼーション層とを具える。少なくとも１つの最終金属層はハードウェア基板の少なくとも一部分の上に形成される。パッシベーション層も半導体基板の少なくとも一部の上に形成される。また、パッシベーション層は複数の開口を含む。更に、パッシベーション層は非導電性材料から形成される。少なくとも１つの最終金属は複数の開口により露出される。金属シード層はパッシベーション層の上に形成され、複数の開口を被覆する。メタライゼーション層は前記金属シード層の上に形成される。メタライゼーション層は無電解堆積により形成される。
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