【課題】活性領域内のウェル層とバリア層の格子不整合による結晶欠陥の発生を減少させることができる発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】Ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体層とＰ型の窒化ガリウム系化合物半導体層との間に活性領域を有する発光ダイオードにおいて、前記活性領域が超格子構造のウェル層及び／又はバリア層を有する。超格子構造のウェル層及び／又は超格子構造のバリア層を採用することにより、ウェル層とバリア層との間の格子不整合による欠陥の発生を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】金属エッチング副産物による発光セル内の電気的短絡を防止することができる発光素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】発光装置は、基板と、第１電極と、第１導電型窒化物半導体層と、第１の面に粗面を備えた第２導電型窒化物半導体層と、活性層と、第１導電型窒化物半導体層の一部に接触する反射金属層と、反射金属層の一部を覆う保護金属層と、第１導電型窒化物半導体層の一部と保護金属層の一部とを覆う第１絶縁層と、保護金属層と第１電極と電気的に接続する第１接続金属と、基板と第１導電型窒化物半導体層との間に配置されたボンディング金属と、を備え、第１電極は第２導電型窒化物半導体層の粗面が形成された第１の面と同じ基板の側にある。 （もっと読む）

【課題】ｐ型化合物半導体層の形成の際に、ｐ型不純物と水素の結合を遮断するｐ型化合物半導体層の形成方法を、提供する。
【解決手段】
ｐ型化合物半導体層の形成方法が開示される。この方法では、反応チェンバ内に、III族元素のソースガス、ｐ型不純物のソースガス、及び水素を含有する窒素のソースガスを供給し、ｐ型化合物半導体層を成長させる。また、ｐ型化合物半導体層の成長が完了した後、III族元素のソースガス及びｐ型不純物のソースガスの供給を中断し、基板の温度が４００〜９００℃である間に、水素を含有する窒素のソースガスの供給を中断及び排出し、冷却ガスで常温まで冷却させる。これにより、基板の温度を冷却させる過程で、ｐ型化合物半導体層に含まれたｐ型不純物に水素が結合することを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】異種材料の基板上に形成した平坦かつ薄い半導体基板であって、異種材料の基板からの剥離が容易な半導体基板、半導体装置及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明によると、第１の面に所定の間隔で配置した複数の半球状の凸部を有する基板と、前記基板の第１の面に形成した第１の半導体層と、を有することを特徴とする半導体基板が提供される。また、前記複数の半球状の凸部の表面積の合計と前記第１の面との比は１以上である。 （もっと読む）

【課題】発光素子、より詳しくは、異なる個数の発光セルを有する複数のアレイを採用し、光の放出時間を増加させ、光の明滅現象を緩和することができる交流用発光素子を提供する。
【解決手段】外部電源と、前記外部電源を整流し整流電圧を出力する整流部と、直列接続された発光セルをそれぞれ有する第１発光セルブロック及び第２発光セルブロックを有し、同一波長帯域の光を発光する発光部と、前記整流部の一端と前記発光部の一端に接続されたスイッチ部と、前記第１発光セルブロック及び第２発光セルブロックは、交互に異なる電圧により発光することを特徴とする発光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】複数の非極性発光セルを有する発光素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】この方法は、上部表面がｒ面、ａ面またはｍ面を有するサファイアまたは炭化珪素の第１の基板を用意することを含む。第１の基板は、その上部表面上にストライプ状の成長防止パターンを有し、また成長防止パターン間に側壁がｃ面であるリセス領域を有する。リセス領域を有する基板上に窒化物半導体層が成長され、窒化物半導体層をパターニングし、互いに分離された発光セルが形成される。これにより、優れた結晶品質の非極性発光セルを有する発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】結晶性の炭化アルミニウム層及び窒化ガリウム層を有する積層基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１としてサファイア基板、炭化ケイ素基板または窒化アルミニウム基板の上に結晶性のＧａＮ層１０、結晶性のＡｌＣ層２０を順次積層して配置した
積層基板１００であって、炭化アルミニウムの結晶の成長条件としては、アルミニウムを含むガスとしてトリメチルアルミニウムと、炭素を含むガスとしてメタンを供給し、有機金属気相成長法により成長させる。成長温度としては７００℃以上が好ましく、さらには１１００℃以上が好ましい。 （もっと読む）

【課題】結晶性の炭化アルミニウム薄膜、結晶性の炭化アルミニウム薄膜を形成した半導体基板及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明によると、炭化アルミニウムの結晶を含むことを特徴とする炭化アルミニウム薄膜が提供される。また、本発明によると、炭素を含むガスと、アルミニウムを含むガスとを供給し、基板上に炭化アルミニウムの結晶を成長させて、炭化アルミニウム薄膜を形成することを特徴とする炭化アルミニウム薄膜の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】高電圧交流電源下で最大光出力を増加させることができるように改善された発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置は、サファイア基板より熱伝導率が高い熱伝導性基板１１０、例えばＳｉＣ基板を含む。熱伝導性基板の上部に複数の発光セル１００−１〜ｎが直列接続される。一方、熱伝導性基板と発光セルとの間に半絶縁性バッファ層１２０が介在する。半絶縁性バッファ層は、例えばＡｌＮまたは半絶縁性ＧａＮであることができる。サファイア基板より熱伝導率が高い熱伝導性基板を採用することによって、従来のサファイア基板に比べて熱放出性能を改善することができ、高電圧交流電源下で駆動される発光装置の最大光出力を増加させることができる。また、半絶縁性バッファ層を採用して熱伝導性基板を介した漏洩電流基板を通じた漏洩電流及び発光セル間の漏洩電流増加を防止することができる。 （もっと読む）