説明

オリン コーポレイションにより出願された特許

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【課題】銅箔に粗化表面を用いることは誘電体基板との接着を助長するには有効であるが、表面粗化の程度は、高周波用途用銅箔の電気性能要求基準によって制限され、電気性能要求基準を満足させるために表面粗度を下げると、銅箔と誘電体基板との接着力(剥離強度)が弱くなる。
【解決手段】誘電体基板に積層するための銅箔であって、銅箔の表面に付着された層を含み、付着層が、クロム及び亜鉛のイオン又は酸化物から形成され、少なくとも0.5%のシランを含有する水溶液を用いて処理される。 (もっと読む)


【課題】高強度、高導電率、曲げ特性の優れた銅合金の提供。
【解決手段】重量で、ニッケル:1%〜2.5%、コバルト0.5〜2.0%、珪素:0.5%〜1.5%、マグネシウム:最大0.15%、および、残部としての銅および不可避の不純物から成る鍛錬銅合金。ニッケルとコバルトの合計含有量が1.7%〜4.3%、ニッケル対コバルトの重量%比が1.01:1〜2.6:1であり、比(Ni+Co)/Siが3.5:1〜6:1であり、40%IACSを超える導電性を有し、降伏強度が655MPaを超え、ストリップ厚の関数としての最小曲げ半径が、良方向曲げおよび悪方向曲げの両者について、最高4tであり、温度950℃での溶体化処理後の平均粒径が20ミクロン以下である。 (もっと読む)


【課題】高降伏強度、中程度の導電性を必要とする用途の商業的有用なストリップ製品を作るための処理方法。
【解決手段】実質的に、重量で、チタン:0.35〜10%、X元素:0.001〜6%(Ni、Fe、Sn、P、Al、Zn、Si、Pb、Be、Mn、Mg、Bi、S、Te、Se、Ag、As、Sb、Zr、B、Cr、Co及びこれらの元素の組合から選択)、残部:銅と不可避不純物から成る銅基合金の鋳造工程、約750℃〜約1000℃で熱間圧延する工程、約50%〜約97%の面積減少率で第1回冷間圧延を施す工程、温度約850℃〜約1000℃で約10秒〜約1時間一次焼鈍を施し、周囲温度まで急冷する工程、最大約80%の減面率で第2回冷間圧延を施す工程、約400℃〜約650℃で約1分〜約10時間に二次焼鈍を施す工程、約10%〜約50%の減面率で第3回冷間圧延を施して仕上げ寸法にする工程を含む製造方法。 (もっと読む)


【課題】ブリスターの形成を減少させる、又は無くした可撓性回路の製造方法を提供する。
【解決手段】支持層12’;両側にある第一側面及び第二側面を有し、厚さが15μ以下の金属箔層16;前記支持層12’から前記金属箔層16を分離し易くするのに有効な剥離層14で、前記支持層12’と前記金属箔層16の両方に接触し、それらの間に配置された前記剥離層14;及び前記剥離層14に接触する反応性元素含有層22を含む複合体材料20である。 (もっと読む)


【課題】フレッチング及び熱的露出の後でも低い接触抵抗及び良好なはんだ付け性を維持することができ、一層低い摩擦係数及び減少したウィスカー成長の付加的特質の一つ又は全てと組合された被覆機構を開発することである。
【解決手段】本発明では、複数の近接して配置された構造体(feature)が存在し、錫ウィスカーが潜在的短絡回路を構成するような、特別な用途を有する被覆された電気伝導性基体が与えられる。 (もっと読む)


【課題】
実質的にクロムを含まず、材料へのポリマーの接着を向上させる被膜を基板若しくは材料上に生成する耐変色・接着促進性水性処理組成物により被覆された材料を提供する。
【解決手段】
亜鉛若しくは酸化亜鉛の原子;並びに
タングステン、モリブデン、コバルト、ニッケル、ジルコニウム、チタン、マンガン、バナジウム、鉄、スズ、インジウム、銀、及びこれらの組合せからなる群から選択される金属若しくは金属酸化物の原子;
を含み、
実質的にクロムを含まず、250℃にて少なくとも30分間の耐変色性を付与し、材料へのポリマーの接着を向上させるノジュラー構造を含む耐変色・接着処理被膜により被覆された材料。 (もっと読む)


【課題】銅箔に粗化表面を用いることは誘電体基板との接着を助長するには有効であるが、表面粗化の程度は、高周波用途用銅箔の電気性能要求基準によって制限されることが多い。問題なのは、電気性能要求基準を満足させるために表面粗度を下げると、銅箔と誘電体基板との接着力(剥離強度)が弱くなることである。
【解決手段】誘電体基板に積層するための銅箔60であって、前記銅箔60の表面に付着された層64を含み、前記層64が、クロム及び亜鉛のイオン又は酸化物から形成され、少なくとも0.5%のシランを含有する水溶液を用いて処理される、上記銅箔60。 (もっと読む)


【課題】電気コンダクタ(10)は錫ベース被覆層(14)によって被覆された銅ベース基質(12)を有する。基質(12)から被覆層(14)への銅の拡散及び結果としての脆い錫/銅金属間化合物の生成を抑制する。
【解決手段】本発明においては、バリヤ層(16)が基質(12)と被覆層(14)の間に介在する。このバリヤ層(16)は重量で20%〜40%のニッケルを含有し、そして好ましくは主として銅から構成される。一態様では、(Cu−Ni)Sn、(Cu−Ni)Sn、CuSn、CuSnからなる群から選ばれた金属間化合物層(38)がバリヤ層(16)と錫ベース被覆層(14)の間に配置される。 (もっと読む)


RF−4に対する積層引き剥がし強さを少なくとも80.4グラム/ミリメートル(4.5ポンド/インチ)にする効果があり1.0ミクロン未満の平均表面粗さ(Rz)と1.2ミクロン未満の平均ノジュール高さを有するレーザーアブレーション防止層(100)によって、誘電基板(92)に積層されるための銅箔(96)が被覆される。被覆後の箔(96)は少なくとも40の反射率の値を有する。被覆後の箔(96)は通常、ガラス強化エポキシ又はポリイミドのような誘電基板(92)に積層され、画像形成されて複数の回路トレースとなる。誘電体(92)を貫通し箔(96)と誘電体(92)との境界で終わるブラインドビア(98)を、穴あけ加工することができる。本発明の被覆後の箔(96)はレーザーアブレーションに耐えるので、穴あけ加工中レーザーによって箔(96)に穴(102)があかないようにする。
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回路を製造するのに有用な複合体材料(20)は、支持層(12)、両側にある第一側面及び第二側面を有し、厚さが15μ以下の金属箔層(16)、前記支持層(12′)から前記金属箔層(16)を分離し易くするのに有効な剥離層(14)で、前記支持層(12′)と前記金属箔層(16)の両方に接触し、それらの間に配置された剥離層(14)を有する。ガス状元素又は化合物と反応して、熱的に安定な化合物を形成するのに有効な、支持層(12′)でもよい、反応性元素含有層(22)が、剥離層(14)に接触している。複合体材料(20)は、低温熱処理にかけるのが好ましい。低温熱処理と反応性元素含有層(22)との組合せは、後の加工工程の間、銅箔(16)中にブリスターを含めた欠陥を減少させる結果になる。 (もっと読む)


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