説明

クリー, インコーポレイティッドにより出願された特許

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伝導性担体基板上の、III族窒化物の少なくともp型およびn型エピタキシャル層から形成される活性構造を含む、発光ダイオードが開示される。伝導性接着系が、活性構造を伝導性担体基板に結合する。第1の透過性オーム接点は、伝導性担体基板に隣接する活性構造上にあり、第2の透過性オーム接点は、伝導性担体基板と反対側の活性構造上にあり、第3のオーム接点は、活性構造と反対側の伝導性担体基板上にある。本発明の発光ダイオードを含む、発光ダイオードランプと、該ランプを含むディスプレイとがまた、開示される。
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成長基板と、成長基板の第1の表面上の実質的に透過性のオーム接触と、成長基板の第2の表面上のIII族窒化物発光活性領域と、活性領域内で発生する光を伝送する活性領域上のp型III族窒化物接触層と、p型接触層上の実質的に透過性のオーム接触とを含む、発光ダイオードが開示される。別の側面では、本発明は、成長基板と、成長基板上のそれぞれのp型およびn型エピタキシャル層とを含み、エピタキシャル層は、成長基板の屈折率以下の屈折率を有する、発光ダイオードである。透過性オーム接触は、成長基板と反対側にあるエピタキシャル層上にある。
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【課題】発光ダイオードおよびダイオードランプの外部効率を増す方法および該方法を用いて作られた発光ダイオードおよび発光ダイオードランプを提供すること。
【解決手段】発光ダイオードであって、透明キャリア基板上にp型III族窒化物層とn型III族窒化物層とを含み、該透明キャリア基板は、該基板に隣接するIII族窒化物層よりも低い屈折率を有する、発光ダイオード。透明キャリア基板上にp型III族窒化物層とn型III族窒化物層とを含み、該透明キャリア基板は、該基板に隣接するIII族窒化物層よりも低い屈折率を有する、発光ダイオードが開示される。透明接着剤層が、III族窒化物層に透明基板を接合し、該透明接着剤は、III族窒化物層よりも低い屈折率を有する。ダイオードは、p型III族窒化物層およびn型III族窒化物層に対するそれぞれのオーム接触を含む。 (もっと読む)


【課題】順方向バイアスの下で、炭化珪素デバイスのオン抵抗を低減すること。
【解決手段】横方向に導電性を有するダイオードであって、第1の表面を有する第1のドーピングされた半導体層と、該第1のドーピングされた層の該第1の表面の上の半導体メサと、該メサの上の上部オーム接触と、該第1のドーピングされた層の該第1の表面と該メサの上部との間で、該メサの側面の少なくとも一部分を覆っている非導電性のメサ側壁スペーサと、該第1のドーピングされた層の該第1の表面の少なくとも一部分に広がる横方向オーム接触であって、該横方向オーム接触は、該上部オーム接触からの電流を該第1のドーピングされた層全体に横方向に伝える、横方向オーム接触とを備えている、横方向に導電性を有するダイオード。 (もっと読む)


【課題】LEDランプの外部出力を増加させる、改良点を提供すること。
【解決手段】発光ダイオードであって、4毎センチメートル未満の吸収係数を有する透明な基板と、複数の活性放射層以外の層において500毎センチメートル未満の吸収係数を有する複数のエピタキシャル層と、該複数のエピタキシャル層上のうちの少なくとも1つの上のオーム接触および金属被覆層であって、該オーム接触および該金属被覆層は、少なくとも約80パーセントの透過率を有する、オーム接触および金属被覆層とを備えている、発光ダイオード。 (もっと読む)


立体多角形または別の3次元立体の形をした陥凹を画定する樹脂パッケージを含む、発光ダイオードランプを開示する。陥凹は、床面と、床面のそれぞれの長い方の辺に沿った2つの側壁と、床面のそれぞれの短い方の辺に沿った2つの端壁とを含む。2つの側壁は、その間で3°よりも大きい角度を画定し、2つの端壁は、その間で40°よりも大きい角度を画定する。発光ダイオードチップは、パッケージの長方形の床面上に位置付けられる。
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【課題】発光ダイオード(LED)からの外部光抽出を改善し、より具体的には、III族窒化物材料系において形成された白色発光ダイオードからの光抽出を改善すること。
【解決手段】III族窒化物材料系から形成された発光活性構造と、III族窒化物の活性構造を支持するボンディング構造と、ボンディング構造を支持するマウント基板であって、マウント基板は、活性構造によって放出された所定の周波数を有する光の実質的な量を反射する材料を含む、マウント基板とを備えている、発光ダイオード。 (もっと読む)


半導体結晶および関連する成長方法が開示される。結晶は、種結晶部分と、種結晶部分上の成長部分とを含んでいる。種結晶部分および成長部分は、実質的に直立した円筒形の炭化ケイ素の単結晶を形成する。種結晶面は、成長部分と種結晶部分との間の界面を規定し、種結晶面は、直立した円筒形の結晶の基部に実質的に平行であり、単結晶の基底平面に関して軸オフである。成長部分は、種結晶部分のポリタイプを複製し、成長部分は、少なくとも約100mmの直径を有する。
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発光ダイオードが開示される。該ダイオードは、パッケージ支持体と、該パッケージ支持体上の半導体チップとを含み、該チップは、スペクトルの可視部分の光を放射する活性領域を含む。金属接点は、パッケージ上のチップと電気的に接続されている。実質的に透明な封止材がパッケージのチップを覆う。封止材内の蛍光体は、チップによって放出された放射とは異なり、かつ該チップによって放出された波長に応答する可視スペクトルの放射を放出する。発光ダイオードと平面のディスプレイ素子とを組み合わせたディスプレイ素子も開示される。該組み合わせは、ディスプレイ素子の周辺部に配置された発光ダイオードと、ダイオードの出力をディスプレイ素子の面に実質的に平行に方向付けるパッケージ支持体とを備えた、実質的に平面のディスプレイ素子を含む。
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支持構造(21)と、支持構造(21)上にIII族窒化物発光活性構造(22)のメサ(23)とを含む発光ダイオード(20)が開示される。メサ(23)はIII族窒化物の指数結晶面に沿ってその側壁(24)を有する。基板(43)の反対側にあるIII族窒化物発光活性構造(44)上にサブマウント構造(45)を含むIII族窒化物発光構造から基板(43)を除去することと、その後に異方性エッチングによって基板(43)が除去されたIII族窒化物の表面(53)をエッチングし、ファセットがIII族窒化物の指数面に沿う表面(53)上に結晶ファセットを形成することとを含む、ダイオード(20)を形成する方法も開示される。本方法は、異方性エッチングによって発光活性構造(44)をエッチングし、III族窒化物の指数面に沿って端を有するメサ(23,51)を形成することも含むことができる。
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