炭化ケイ素における高電界半導体デバイスのための改良された終端構造を開示する。該終端構造は、高電界動作のための炭化ケイ素ベースのデバイスと、該デバイスにおける活性領域と、該活性領域のためのエッジ終端パッシベーションとを含み、該エッジ終端パッシベーションは、表面状態を満足させ、界面密度を低下させるための該デバイスの炭化ケイ素部分の少なくとも一部分上の酸化物層と、水素の取り込みを回避するため、および寄生容量を減少させ、捕捉を最小化するための該酸化物層上の窒化ケイ素の非化学量論的層と、該非化学量論的層および該酸化物層を封入するための該非化学量論的層上の窒化ケイ素の化学量論的層と、を含む。
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不動態化された半導体構造と関連する方法が開示される。該構造は、炭化珪素基板または層と、炭化珪素基板と熱酸化層との間のインターフェース密度を下げる、炭化珪素基板の上の酸化層と、寄生容量を減少し、デバイスのトラッピングを最小化する、熱酸化層の上の第１のスパッタされた非化学量論的な窒化珪素層と、構造をカプセル化することなく基板（およびその上のデバイス）からさらに遠くに次の不動態化層を配置する、該第１の層の上の第２のスパッタされた非化学量論的な窒化珪素層と、構造をカプセル化し、不動態化層の水素障壁特性を高める、第２のスパッタされた層の上のスパッタされた化学量論的な窒化珪素層と、カプセル化層の上の、ステップカバレージおよび亀裂防止のための、化学量論的な窒化珪素層の化学蒸着された環境障壁層とを含む不動態化された半導体構造である。
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ＳｉＣの高品質単結晶ウェハが開示される。このウェハは、少なくとも直径約３インチ（７５ｍｍ）と、４°オフ軸のウェハに対して、約５００ｃｍ^−２未満の底面転位密度を有する少なくとも１平方インチ（６．２５ｃｍ^２）の連続した表面領域とを有する。また、本発明は、ＳｉＣの高品質単結晶のウェハを形成する方法を提供し、該方法は、３インチよりわずかに大きい直径を有するＳｉＣブールを形成するステップと、０００１平面に対して約２°と１２°の間の角度で、該ブールをスライスして、ウェハにするステップであって、該ウェハは、各ウェハ上に、５００ｃｍ^−２未満の底面転位密度を有する少なくとも１平方インチの連続した表面領域を有する、ステップとを包含する。 （もっと読む）

半導体構造が開示され、この半導体構造は、少なくとも１００ｍｍの直径を有する炭化シリコンのウェハと、ウェハ上のＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造とを含んでおり、これは、多くの特性において、高い均一性を示す。これらは、ウェハ全面で３パーセント未満のシート抵抗率の標準偏差；ウェハ全面で１パーセント未満の電子移動度の標準偏差；ウェハ全面で約３．３パーセント以下のキャリア密度の標準偏差；およびウェハ全面で約２．５パーセントの導電性の標準偏差を含む。
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２０ミリアンペアの動作電流において、１ワット当たり少なくとも７５ルーメンの出力を有する白色発光ソリッドステートランプが開示される。ランプは、発光ダイオード、カプセル用材、およびヘッダを含む。ダイオードは、電気的接触のための導電性シリコンカーバイド基板と、ダイオードを横断する電流の適用下で所望の周波数の光子を生成するための、シリコンカーバイド基板上のＩＩＩ族の窒化物の活性部分を含む。ヘッダは、ダイオードを支持し、ダイオードおよび活性部分に電気的接触を提供するための反射カップを含む。カプセル用材は、蛍光体を含み、該蛍光体が該ダイオードによって発せられる周波数によって励起されるときに、応答周波数を生成するために該カプセル用材の少なくとも一部分に存在する。
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電界効果型トランジスタの表面に、誘電性材料の堆積／成長させ、誘電性材料をエッチングし、および、メタルを蒸着させる、連続的なステップを用いる、シングルゲートまたはマルチゲートプレートの製造プロセス。本製造プロセスのは、誘電性材料の堆積／成長が、典型的には、非常によく制御できるプロセスなので、フィールドプレート動作を厳しく制御できる。さらに、デバイス表面に堆積された誘電性材料は、デバイスの真性領域から除去される必要はない。このため、乾式または湿式のエッチングプロセスで受けるダメージの少ない材料を用いることなく、フィールドプレートされたデバイスを、実現することができる。マルチゲートフィールドプレートを使うと、マルチ接続を使用するので、ゲート抵抗を減らすこともでき、こうして、大周辺デバイスおよび／またはサブミクロンゲートデバイスの性能を向上することができる。
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