【課題】高電力で高性能なデバイスによって生成される熱応力に耐えることができる金属相互接続システムを提供する。
【解決手段】半導体デバイス構造であって、炭化ケイ素およびＩＩＩ族窒化物からなる群から選択される広バンドギャップの半導体部分と、該半導体部分に対する相互接続構造であって、それぞれ２つの高導電性層と互い違いに、少なくとも２つの拡散バリア層を含む、相互接続構造とを備え、該拡散バリア層は、該高導電性層とは異なる熱膨張係数を有し、該高導電性層よりも低い熱膨張係数を有し、該それぞれの熱膨張係数の差異は、該高導電性層の膨張を抑えるために十分な大きさであるが、層間の接着強度を超える歪みを隣接層間に生じさせる差異よりも小さい、半導体デバイス構造。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣの高品質単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】少なくとも直径約３インチ（７５ｍｍ）と、４°オフ軸のウェハに対して、約５００ｃｍ^−２未満の底面転位密度を有する少なくとも１平方インチ（６．２５ｃｍ^２）の連続した表面領域とを有するＳｉＣウェハであって、その製造方法は、３インチよりわずかに大きい直径を有するＳｉＣブールを形成するステップと、０００１平面に対して約２°と１２°の間の角度で、該ブールをスライスして、ウェハにするステップであって、該ウェハは、各ウェハ上に、５００ｃｍ^−２未満の底面転位密度を有する少なくとも１平方インチの連続した表面領域を有する、ステップとを包含する。前記方法で背蔵した高品質シリコンカーバイド半導体前駆体ウェハ４は、追加的に、１つ以上の少なくとも一つのＩＩＩ族窒化物層６を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体本体部をわたる電気伝導を制御するための改善されたデバイスを提供すること。
【解決手段】半導体本体部をわたる電気伝導を制御するためのデバイスであって、該半導体本体部内で第１の伝導型を有する少なくとも１つのソース領域３８と、第２の伝導型を有する少なくとも１つの井戸領域であって、該ソース領域に隣接して位置決めされて、該ソース領域からのキャリアの流れを制御する、井戸領域３３と、該ソース領域の向かい側で該井戸領域の側面に隣接するドリフト領域６１と、該ソース領域、該井戸領域、および該ドリフト領域の少なくとも一部分の上のチャネル層であって、該井戸領域をわたり該ドリフト領域に伝導性経路を提供する、チャネル層５０と、該ソース領域から該ドリフト領域をわたる電流を制御するための、該チャネル層の上の制御用接触４４とを備える、デバイス。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光ダイオードおよび該ダイオードからの一次放射光を吸収し変更するために蛍光体が用いられるダイオードランプを提供する。
【解決手段】未硬化の硬化性液体樹脂と蛍光体とを混合するステップと、該未硬化樹脂をＬＥＤチップ上に分注するステップと、該チップと該混合物とを遠心分離し、該蛍光体粒子を該未硬化樹脂内の該ＬＥＤチップに対して所望の位置に位置決めするステップとを包含する、ＬＥＤランプを製造する方法。該方法は、前記蛍光体粒子が前記所望の位置に留まっている間に、前記樹脂を硬化させるステップをさらに包含し得る。前記チップと前記混合物とを遠心分離するステップは、該チップと該混合物とを遠心分離機内で遠心分離するステップを含み得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体結晶構造のトレンチ内に絶縁された制御コンタクトを有するトランジスタを提供する。
【解決手段】半導体結晶構造のトレンチ内に絶縁された制御コンタクトを有するトランジスタであって、該トランジスタは、該トレンチを画定する一対の半導体メサであって、それぞれは少なくとも１つのｐ−ｎ接合を備える、メサと、該半導体メサの上面部分に延在し、該トレンチの壁を少なくとも部分的に被覆する埋め込みチャネル層であって、該半導体結晶構造のＡ面にわたって導電性パスを提供する、埋め込みチャネル層と、該半導体メサと該トレンチの底部の下方との間に延在して、該デバイス内の接合型電界効果抵抗を減少させる電流拡散層と、該メサのうちの少なくとも１つから、該トレンチの深さよりも大きい深さまで該電流拡散層内に延在するドープ型井戸とを備える、トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物材料系において形成された電界効果トランジスタにおける不動態化を改良すること。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物材料系で形成された電界効果トランジスタにおける不動態化の改良であって、窒化ケイ素の化学気相堆積不動態化層が、窒化ケイ素の既にスパッタリングされた堆積層をカプセル化する２部分構造を備え、該スパッタリングされた層が不動態化の利益の一部を提供し、該化学気相堆積層が優れた環境バリアを提供する、不動態化の改良。 （もっと読む）

高電子移動度トランジスターを形成する方法が開示される。この方法は、規定された位置においてＩＩＩ族窒化物層にイオンを注入するステップを含み、イオンは、注入されるとき層と接点の金属との間に改善されたオーム接点を生成し、注入は、室温より高く、ＩＩＩ族窒化物層に加えられる損傷の量を低減するのに十分に熱いが、ゲートでの漏出またはエピタキシャル層解離をもたらす表面の問題が生じる温度よりも低い温度で行われる。チタン、アルミニウム、ニッケルおよびそれらの合金で構成される群から選択されるオーム接点が、該ＩＩＩ族窒化物層上の注入される規定された位置に付加される。
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【課題】可視スペクトル（例えば、青色および紫色）の範囲内の比較的高い周波数で放射し、かつ、蛍光体と共に使用される発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】発光ダイオードであって、能動部分と、該能動部分の上面上および該能動部分の該上面の周囲における隆起縁と、該縁と該能動部分の該上面とによって画定された空間における樹脂と、該樹脂内の蛍光粒子であって、該蛍光粒子は、該能動部分によって放射された周波数を変換する、蛍光粒子とを備えている、発光ダイオード。 （もっと読む）

【課題】シード昇華システムにおいて、底面欠陥レベルの低い、高品質のシリコンカーバイドバルク単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シード昇華成長法により、３インチよりわずかに大きい直径を有するＳｉＣブールを形成した後、０００１平面に対して約２°と１２°の間の角度で該ブールをスライスし、さらに研磨することにより、ウェハ上に５００ｃｍ^−２未満の底面転位密度を有する少なくとも１平方インチの連続した表面領域とを有する高品質のＳｉＣウェハが得られる。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードを改良し、特に、高エネルギー、高周波数、可視スペクトルの短い波長の部分を発し、かつ、蛍光体と共に使用され、白色光を生成する発光ダイオードの改良をすること。
【解決手段】発光ダイオードであって、透明な炭化珪素基板と、該炭化珪素基板上にＩＩＩ族の窒化物材料系から形成される活性構造と、該ダイオードの上側のそれぞれのオーム接触とを備えており、該炭化珪素基板は、該炭化珪素と該ＩＩＩ族の窒化物との間のインタフェースに対して斜角を付けられている、発光ダイオード。 （もっと読む）