本発明に係る半導体製造用対向ターゲットスパッタリング装置は、不活性ガスが出入りすることができる気密チャンバと、互いに対向してそれら間にプラズマ区域を形成するように気密チャンバの対向端部に各々置かれる一対のターゲットプレート１２０、１１０と、プラズマ区域１３０に亘って相異する極性の磁極が互いに対向することによりターゲットプレート１２０、１１０の間のプラズマ区域１３０に磁場を樹立するようにターゲットプレート１２０、１１０の付近に各々配置される一対の磁石１０２、１０４、１０６、１０８と、プラズマ区域１３０の付近に配置され、合金薄膜が上部に蒸着される基板２２２を維持するに適合するように形成される基板ホルダー２２４と、基板ホルダー２２４にカップリングされた逆バイアス電源２３６と、を含む。
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本発明の一形態において、本発明の半導体製造システムは、不活性ガスが吸気及び排気できる真空ハウジングと、システム内に配置された多数の蒸着チャンバとを含む。本発明の装置は基板２２２、支え電極２２４、基板電源２３６、ガス吸入口２３２、質量流量計２３３、ガス供給源２８、真空ポンプシステム２３４、ポンピングポート２３６、磁石１０２、１０４、１０６、１０８、ターゲット１１０、１２０、電子制限区域１３０及び電源１４０を含む。

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