【課題】 結晶粒の小さな微結晶金属薄膜を用いた磁気記録媒体及びその製造方法、並びに微結晶金属薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ニッケル、鉄、コバルトを含む遷移金属から選択される少なくとも１種の金属とＩＶ族元素とを含み、軟磁性体である多結晶薄膜からなる微結晶金属薄膜１０２を含む。 （もっと読む）

【課題】金属シリサイドなどの金属とＩＶ族元素との化合物からなる薄膜や実質的に金属膜として機能する高濃度に金属を含有する金属含有薄膜のパターンを成膜することができる金属含有ＩＶ族薄膜の形成方法及びこれを適用した半導体装置の製造方法並びにマイクロデバイスを提供する。
【解決手段】基板の表面にＩＶ族元素からなるＩＶ族薄膜を成膜した後、パターニングし、所定領域にＩＶ族薄膜パターンを有する被処理体とする工程と、この被処理体の表面に形成されたＩＶ族薄膜パターンに、ニッケル、鉄、コバルトを含む遷移金属から選択される少なくとも１種である金属とハロゲンとの化合物である前駆体及びハロゲンラジカルを作用させることにより、前記ＩＶ族薄膜パターンを空間選択的に金属含有ＩＶ族薄膜パターンとする工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板上やチャンバ内壁面にＳｉＣの形成を可能とする。
【解決手段】チャンバ１０内の基板２２ａへ珪素を供給すると共に、チャンバ１０内へハロゲン含有ガスを供給し、ハロゲン含有ガスを解離して炭素含有部材２０ｂから基板２２ａへ炭素を供給することによって基板２２ａにＳｉＣを形成する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内のクリーニング等、所定の処理の状況を容易に把握し、その処理の終了時点を容易且つ確実に検出し得る真空処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１内に帯状のレーザー光２４を照射してチャンバ１内における所定の処理の結果発生し且つチャンバ１内に存在する解離物を発光させるレーザー照射手段２２と、前記解離物のレーザー光２４による発光分布状況をモニタして所定の画像処理を行う画像処理手段と、前記画像処理の結果得られる画像情報に基づき前記処理の終了点を検出する終了点検出手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハープロセスの過程でウェハーの周縁部に付着した不要物を効率的に除去する。
【解決手段】チャンバ３０内の基板ステージ３１上にウェハー２０を載置する。配管３８の供給口３８ａからヘリウムガスをチャンバ３０内に導入し、プラズマ発生手段によりヘリウムガスのプラズマＰ１を生成する。続いて処理ガス供給用のノズル３３から塩素ガスを導入して塩素ガスのプラズマＰ２を生成する。排気装置による排気速度を調節して、ウェハー２０の周縁部で塩素ガスの濃度を高く制御し、この塩素ガスのプラズマＰ２でウェハー２０の周縁部を包み込み、そこに付着した不要物をエッチング除去する。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部以外の被成膜部に金属膜を形成しうる金属膜作製装置及び金属膜作製方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１の内部において、塩素ガスをプラズマ化して得る塩素ラジカルで、ハロゲン化物を生成し得る金属を含む材料で形成した被エッチング部材１１をエッチングして金属と塩素とからなる前駆体２４を形成する一方、この前駆体２４を被エッチング部材１１の温度よりも低温の基板３に吸着させ、その後前駆体２４を塩素ラジカルで還元して金属成分を析出させることにより所定の金属膜を形成する金属膜作製装置であって、基板３を載置すると共にその載置面２ａの半径が基板３の半径よりも短いサセプタ２と、載置面２ａを介して基板３の被成膜部３ａの温度を周縁部３ｂの温度よりも低温に保持する温度制御手段６を具備する。 （もっと読む）

【課題】ウェハープロセスの過程でウェハーの周縁部に付着した不要物を効率的に除去する。
【解決手段】チャンバ３０のサセプタ３１上にウェハー２０を載置する。処理ガスを導入ノズル３３からチャンバ３０内に導入し、排気口３２から排気する。電磁バルブ３３ａ，３２ａにより処理ガスの導入速度と排気速度を調節し、チャンバ３０内のガス圧を適正な範囲に保つ。トッププレート３０ｂの外側に設けたコイルアンテナ３５に高周波電流を供給し、チャンバ３０内にドーナツ状のプラズマＰを生成する。昇降装置３６によりサセプタ３１を上下に移動させ、プラズマＰの分布をウェハー２０に対して相対的に調節してプラズマＰでウェハー２０の周縁部を包み込み、そこに付着した不要物をエッチングして除去する。 （もっと読む）

【課題】金属膜作成装置のチャンバ内を効果的にクリーニングする。
【解決手段】基板３４ａと、ハロゲン化物を生成する金属を含む被エッチング部材３２ａと、を収容可能であり、内部圧力の制御が可能なチャンバ１０と、チャンバ１０の外部からチャンバ１０の内部へ電力を導入するクリーニング用プラズマアンテナ２４と、を備え、クリーニング用プラズマアンテナ２４からチャンバ１０内に電力を導入する空間を切り替えて選択し、原料ガスを供給した状態下において選択された空間に原料ガスのプラズマを形成し、基板３４ａに金属膜の成膜を行う際にチャンバ１０内に付着した金属を除去する。 （もっと読む）

【課題】一つのチャンバで前処理と成膜とを連続して行うことができる薄膜作製装置を提供する。
【解決手段】成膜する金属を含む材料で形成してチャンバ１の内部に配設した被エッチング部材１１に、ハロゲンを含有する作用ガス２１に基づき形成したハロゲンラジカルを作用させることにより前記金属とハロゲンとの化合物である前駆体２４を基板３に吸着させた後、前記ハロゲンラジカルを作用させて還元することにより基板３に前記金属の薄膜を形成する薄膜作製装置において、基板３に対する成膜前の清浄化工程である所定の前処理の終了を検出する前処理終了検出部１６と、処理終了検出部１６の出力信号に基づき前記ハロゲンラジカルの量を制御してエッチングモードと成膜モードとの切替えを行う制御部２０とを有する。 （もっと読む）

【課題】被コーティング部材を石英とする場合においてハフニウムコーティング膜を作製し得るハフニウムコーティング膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ハフニウムを含む材料で形成した被エッチング部材１１にハロゲンガスのラジカルを作用させることによりハフニウムとハロゲンとの化合物である前駆体２４のガスを形成する一方、石英の表面にシリコン膜１６を形成した被コーティング部材３をチャンバ１内に収納した状態でその温度を被エッチング部材１１よりも低温に保持することにより前駆体２４をシリコン膜１６の表面に吸着させ、その後シリコン膜１６に吸着させた前駆体２４にハロゲンラジカルを作用させてこの前駆体２４を還元するとともにシリコン膜１６のシリサイド化を進行させことによりハフニウムシリサイドを含むコーティング膜を被コーティング部材３に形成する。 （もっと読む）