非準静的ＭＯＳ分周回路は、差動入力信号を引き起こすアンテナコイル、アンテナ共振キャパシタ、整流器、電圧制御リング発振器、位相検出器およびループフィルタを含む、位相ロックループ構成を用いる。用いられる全てのトランジスタは、ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ、もしくはＰＭＯＳとＮＭＯＳの両方の、有機ＭＯＳデバイスである。電圧制御発振器は、複数の遅延ステージリング発振器を含む。位相検出器は、個々の発振器ステージ電圧をループフィルタにサンプリングするため、サンプリングスイッチとして接続されたトランジスタを含む。サンプリングトランジスタは、コイルに接続されたゲートを有する。ループフィルタは、ほぼ直流をループ増幅器に、そして電圧制御発振器の遅延制御入力に提供する。この構成は、アンテナ信号周波数と同調し、この約数である、電圧制御発振器周波数をもたらす。サンプリングトランジスタゲートは全て、コイルに接続され、それにより、無線周波数並列共振ネットワークのキャパシタンスの部分となる。トランジスタゲートはそこで、無線周波数信号のレートで、コイル電圧に対して遅延なく、効果的にスイッチする。位相検出有機トランジスタの動作は、トランジスタの非準静的挙動に基づく。非準静的動作は、トランジスタのユニティゲインバンド幅の準静的制限よりもずっと高い周波数における位相検出をもたらす。
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非準静的ＭＯＳ整流回路は、４つの有機ＰＭＯＳトランジスタを用いるブリッジ整流構成と、差動入力信号を誘起するアンテナコイルと、整流出力信号をフィルタリングする出力キャパシタとを用いる。ＶＳＳもしくは接地接続トランジスタは、トランジスタチャネルのコイル側のゲート接続とダイオード接続する。ＶＤＤ接続トランジスタは、コイルに接続された反対のＶＤＤ接続トランジスタソースに接続するゲートを有する。この構成は、全波整流をもたらす。ゲートは全てコイルに接続され、それにより無線周波数並列共振ネットワークのキャパシタンスの部分となる。トランジスタのゲートはそこで、無線周波数信号のレートで、コイル電圧に対して遅延なくスイッチされる。有機トランジスタの動作は、トランジスタの非準静的挙動に基づく。非準静的動作は、トランジスタのユニティゲイン帯域幅の準静的限界よりもとても高い周波数における整流をもたらす。 （もっと読む）