【課題】 本発明の目的は、無基板チップ積層体の導通検査を従来の検査装置で実施可能なＴＳＶ実装プロセスを用いて製造するマルチチップ積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】 ウエハを分割して形成したチップ１１０の表面に複数のテスト電極１３０と複数の外部電極１３１とを形成する。チップ１１０には外部電極１３１とテスト電極１３０とを導通する複数のシリコン貫通孔１１１が設けられる。次に、無基板チップ積層体１００を接着テープ２５２の上に固定し、充填封止体１５０を接着テープ２５２上に形成する。次に、ウエハテストトレー２６０内に接着テープ２５２を支持するテープキャリア２５０を固定する。導通検査では、無基板チップ積層体１００は接着テープ２５２に接着されたままウエハ検査装置２７０内に搭載され、ウエハ検査装置２７０の複数のプローブ２７１によって無基板チップ積層体１００の導通の良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】従来のＭＰＳ−Ｃ２半導体パッケージに起きる半田材ブリッジとパッケージ反りを抑制可能なフリップチップキャリア、及びこれを用いた半導体実装方法を提供する。
【解決手段】フリップチップキャリア１００は、基板１１０と複数の独立パッドマスク１２０とを含む。基板１１０は、上表面１１１、および、上表面１１１に設置される複数のパッド１１２を有する。独立パッドマスク１２０は、パッド１１２を覆う。各独立パッドマスク１２０は、対応するパッド１１２と貼り付ける感光性粘着層１２１、及び感光性粘着層１２１上に形成される透光性の取放素子１２２を有する。 （もっと読む）

【課題】基板コストが低減でき、基板側辺の露出による剥離を改善可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】小基板を有する多チップメモリの実装構造を有する半導体装置１００の基板１２０は、チップ搭載体１１０の下方に貼り付けられ、上表面１２１および下表面１２２を有する。上表面１２１は、中空エリア１１に露出する。下表面１２２には、複数の接触パッド１２３が設置される。第１チップ１３０は、基板１２０上に設置されて中空エリア１１１の内に位置する。第２チップ１４０は、チップ搭載体１１０上に設置される。封止体１５０は、チップ搭載体１１０、基板１２０の上表面１２１、第１チップ１３０、および、第２チップ１４０を密封する。基板１２０の外形は、封止体１５０の外形よりも小さく、チップ搭載体１１０の周辺では複数の支持バー１１２と接続する。支持バー１１２群は、封止体１５０の側辺へ延びる。 （もっと読む）

【課題】より優れる側面電磁遮蔽効果を有する半導体パッケージ及びその実装方法を提供する。
【解決手段】半導体実装方法により、基板ユニット２１３を有するマザー基板を提供し、基板ユニット２１３の角隅に接地連結の位置合わせマーク２１５を設置する。基板ユニット２１３の上にチップ２２０を設置する。マザー基板の上表面２１１に封止体２３０を形成して基板ユニット２１３と分割ラインとを連続被覆する。マザー基板の下表面２１２に分割ラインに沿って少なくともマザー基板を貫通する複数の半切断溝２４０を形成する。位置合わせマーク２１５を被覆連結するようにマザー基板の下表面２１２と半切断溝群２４０とに第一電磁遮蔽層２５１をパターン化形成する。封止体２３０を個片化分割した後、封止体２３０の頂面２３１と分割側面２３２とに第一電磁遮蔽層２５１と連結する第二電磁遮蔽層２５２を形成する。 （もっと読む）

【課題】モールド工程において、モールド流れの導きと流速バランス取りが可能な非アレイバンプのフリップチップモールドの構造体を提供する。
【解決手段】基板１１０は、はんだマスク層１１２に覆われる上表面１１１を有し、複数のパッド１１３と少なくとも１つのモールド流れガイドバー１１４を設置する。モールド流れガイドバー１１４は、パッド無し空白区域Ａに設置され、かつパッド１１３とはんだマスク層１１２を越える高さＨを有して突起状に形成される。チップ１２０は複数個のバンプ１２１を有し、かつ基板１１０上にフリップチップ接合されることで、バンプ群１２１をパッド群１１３に接合させ、チップ１２０と基板１１０との間にモールド流れ間隙Ｓを形成する。モールド封止材１３０は上表面１１１に形成されてチップ１２０を密封し、モールド流れ間隙Ｓに十分充填されてバンプ群１２１とモールド流れガイドバー１１４を密封している。 （もっと読む）

【課題】半導体製造設備の寿命追跡および損傷予測を行い、設備ダウンと修復の時間を削減し、製品の大量異常を予防することができる半導体製造設備における異常予測制御装置および方法を提供する。
【解決手段】半導体製造設備１００における異常予測制御装置２００は、第一振動検出器２２０と振動スペクトル解析装置２４０との間に接合される多重チャンネル伝送器２１０とを有する。多重チャンネル伝送器２１０は、複数の信号接続端子２１３を有する多重チャンネル接合モジュール２１２を含む。信号接続端子２１３は、第一振動検出器２２０および第一制御信号接続ワイヤ２３０と接続され、第一回転型周波数変換装置１１０に対応する第一コントローラ１２０に接続される。これにより、半導体製造設備の寿命追跡及び早め損傷予知を執行することができ、設備ダウンと修復の時間を減少することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップパッケージ製品の落下試験装置及びその使用方法を提供する。
【解決手段】落下試験装置１００は、水平移動ができるように固定ラック１１０に設置され、被試験デバイス(ｄｅｖｉｃｅ ｕｎｄｅｒ ｔｅｓｔ、ＤＵＴ)１０を所定の角度に照準することが可能となり、且つクランプ１３０に正確、快速及び安全に固定されることを特徴とする落下開始角度設定治具１２０を有する。このような治具は、第二基準面１２３を提供して昇降調節可能の試験サンプル台１２１に連結する。試験サンプル台１２１は第一基準面１２２を有することにより、ＤＵＴ１０はクランプ１３０に挟まれた後に、摩擦が起きなく移動もしないように治具１２０から着脱することができる。従って、ＤＵＴ１０は精確に位置決められるだけではなく、治具１２０は滑りレールとストッパとの設計を用い迅速及び安全に参考位置に戻ることができる。 （もっと読む）

【課題】一種のモールド流入口に剥離現象の発生を避けるウインドウ型半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体パッケージは、主に1つの基板、基板に貼り付ける一主面を有する1つのチップ、チップと基板の基板コア層とを接着する1つのダイアタッチング層、複数のボンディングワイヤ及び1つのモールド封止体を含む。基板のスロットの一端にチップ寸法を超える1つのモールド流入口を形成し、二個、または、これより多いモールド流れ障害物は、基板コア層上に付着してダイアタッチング区域の一縁部とスロットの両側縁との交差部位に位置し、更に、モールド流入口の両側に僅かに突出するためモールド流れによる衝撃はダイアタッチング層に加える応力を抵抗してモールド流入口に剥離現象の発生を避けると共に、ダイアタッチング間隙を維持することも可能である。 （もっと読む）

【課題】側面の剥離や断裂等を抑制するウインドウ型ＢＧＡパッケージを提供する。
【解決手段】基板２１０、第一チップ２２０、ダイアタッチ部材２３０、複数の第一ボンディングワイヤ２４０、封止体２５０及び複数の外接端子２６０を備える。基板２１０はダイアタッチ凹部２１３及びスロット２１４を有する。第一チップ２２０は、ダイアタッチ凹部２１３に設置され、側面２２３を有する。ダイアタッチ部材２３０はダイアタッチ凹部２１３の内に形成される。ダイアタッチ凹部２１３はダイアタッチ部材２３０の形状を制限し、ダイアタッチ部材２３０が側面２２３群と周縁２１３Ａとの間の間隙に充填され、且つ側面２２３群の一部を被覆する。第一ボンディングワイヤ２４０群はスロット２１４を通過して第一チップ２２０と基板２１０とを電気接続する。封止体２５０は第一チップ２２０と第一ボンディングワイヤ２４０群とを密封する。 （もっと読む）

【課題】ダイアタッチング剤の気泡の残留およびオーバーフローを防止可能な半導体パッケージの基板を提供する。
【解決手段】基板本体３１０の表面３１１上に、第一組フィンガー３２１群、第二組フィンガー３２２群および第三組フィンガー３２３群を設ける。第一組フィンガー３２１群は第二組、第三組フィンガー３２２、３２３郡との間に位置する。はんだマスク層３３０は表面３１１に形成され、第一組、第二組、第三組フィンガー３２１、３２２、３２３群をそれぞれ露出する第一開口３３１、第二開口３３２および第三開口３３３を有する。第一排気溝部３４０は、はんだマスク層３３０の露出表面に形成され、はんだマスク層３３０を貫通せず、第一開口３３１に接続して表面３１１の側辺３１３、３１４に伸び、第二開口３３２と第三開口３３３とに連結しない。このように、ガスを外部へ排出する通路を有するため、ダイアタッチング剤の気泡の残留を防止できる。 （もっと読む）