説明

リサーチ ファウンデーション オブ ザ シティー ユニバーシティ オブ ニューヨークにより出願された特許

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磁性ナノチューブは、ナノ結晶を吸収するナノチューブ上に接触する細菌由来磁性ナノ結晶を含む。ナノ結晶はナノチューブの少なくとも一表面に接触する。磁性ナノチューブの製造方法は、タンパク質の外層を有する細菌由来磁性ナノ結晶を合成する工程を含む。準備されるナノチューブはナノ結晶を吸収し、ナノチューブをナノ結晶に接触させることができる。好ましくは、ナノチューブは双頭型両親媒性物質である。ナノチューブ溶液と、バッファーおよび所定濃度のナノ結晶を含むナノ結晶溶液とが混合される。ナノ結晶の濃度は最適化されて、ナノチューブに対するナノ結晶の比が、細菌由来磁性ナノ結晶がナノチューブの少なくとも1つの表面に固定化されるような比になる。この比は、ナノ結晶がナノチューブの内表面または外表面にのみ結合するかどうかを制御する。用途は、細胞操作および細胞分離、生物学的アッセイ、酵素回収、ならびにバイオセンサを含む。 (もっと読む)


【課題】波長域内の入射光波を検知する光デバイスを提供すること。
【解決手段】波長域内の入射光波を検知する光デバイスは、基板上に重ね合わされた電極の第1アレーと第2アレーを備え、センサはコンタクトに接続される。前記アレーは櫛型にかみ合っている。各アレーは、それぞれのパラメータである、コンタクト幅、コンタクト厚み、溝部幅、及び溝部誘電率を有している。前記アレーと関連する構造は、入射波と局所的な電磁共鳴又はハイブリッドモードとを共鳴カップリングし、このハイブリッドモードは少なくとも表面プラズモンキャビティモード(CM)を含む。CMをカップリングするために、コンタクト厚みの電極間の間隔に対するアスペクト比は少なくとも1である。高帯域及び高応答性用のハイブリッドモードをカップリングする好適な構造は、交互の溝部においてより高い誘電率を有する。前記基板は、シリコン・オン・インシュレータ(SOI)を含む、シリコンを含んでもよい。より高い誘電体、例えばシリコン酸化物を有する交互の溝部を有するSOIデバイスは、0.25A/W及び30GHzの帯域幅を与える。 (もっと読む)


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