【課題】基板から外方へ飛散した処理液を十分に受け止めることができるとともに、受け止められた処理液が基板まで跳ね返ることを防止することが可能なカップおよび基板処理装置を提供する。
【解決手段】カップ中部５１およびカップ下部５２は基板Ｗの周囲を取り囲むように配置される。カップ中部５１はカップ下部５２の上面５２ａ，５２ｂの上方に配置される。また、側壁部５５が、カップ中部５１およびカップ下部５２の周囲を取り囲むように設けられる。カップ下部５２の上面５２ａ，５２ｂとカップ中部５１の下面５１ａとの間隔は、基板Ｗの外周部側から外方に向かって漸次減少するとともに、カップ中部５１およびカップ下部５２の外周部で下面５１ａと上面５２ｂとの間に間隙Ｓが形成される。側壁部５５の内周面５５ａは、間隙Ｓの外方で間隙Ｓから離間しかつ間隙Ｓを取り囲むように形成される。 （もっと読む）

【課題】スループットを増加させ、信頼性を増加させたマルチチャンバ処理システム（例えばクラスタツール）を使用して基板を処理する機器および方法を提供する。
【解決手段】クラスタツール１０内で処理される基板は繰り返し可能性が高く、システムフットプリントが小さい。クラスタツールの一実施形態では、基板をまとめてグループ化して移送することで、基板を２枚以上のグループ毎に処理してシステムスループットを増加することにより、また、処理チャンバの間で基板のバッチを移送する際の動作数を低減することで、ロボットの疲労を低減し、システムの信頼性を増加させることにより所有権のコストが低減される。実施形態はまた、システムの停止時間を低減し、基板移送処理の信頼性を増加させるために使用される方法および機器を提供する。 （もっと読む）

【課題】 インクジェット方式によって形成した塗布液の薄膜の膜厚均一性を向上させる。
【解決手段】 塗布液供給機構１２の進行方向前側に溶剤供給機構１８を、進行方向後側に気体噴射機構１４を、それぞれ連結して塗布ヘッド１０が構成されている。塗布ヘッド１０を基板Ｗに対して相対移動させながら、溶剤供給機構１８から基板Ｗ上に溶剤を供給し、続いて塗布液供給機構１２から溶剤の被膜上に塗布液を供給し、最後に、気体噴射機構１４から塗布液の凹凸表面に気体を噴射して溶剤の薄膜表面を平滑化する。 （もっと読む）

【課題】インクジェットヘッドのノズルから塗布液を吐出して塗布液の塗膜を形成しつつ、塗布液の塗膜の表面をより平滑にすることができる塗布方法および塗布装置を提供する。
【解決手段】インクジェットヘッドに設けられる複数のノズルから塗布液の液滴を基板Ｗに吐出させ、基板Ｗの周縁部における膜厚に比べて基板Ｗの中央部における膜厚が厚い塗布液の塗膜Ｆを形成する工程と、基板Ｗを回転させて基板Ｗの中央部から周縁部に向けて塗膜Ｆ内の塗布液を移動させる工程と、を備える塗布方法である。塗膜Ｆ内の塗布液を移動させる工程では、塗膜Ｆを形成している基板Ｗ上の塗布液は基板Ｗの中央部から周縁部に向かって移動するので、基板の中央部と基板の周縁部との間で塗膜の膜厚の差が減少し、塗膜の膜厚を略均一にすることができる。同時に、塗膜Ｆ内の塗布液が動くことによって、塗膜Ｆの表面をより平滑にすることができる。 （もっと読む）

【課題】処理液を廃棄することなくフィルタに蓄積される気泡を効率よく除去することが可能な処理液供給装置、基板処理装置、気泡の除去方法および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板の処理時には、フィルタ２５０により気泡が除去された処理液が配管Ｌ９，Ｌ１１を通してノズル２８に供給される。気泡の除去時には、バルブｖ５が開放されるとともにバルブｖ２が閉止されることにより、気体を含む処理液がフィルタ２５０から配管Ｌ８を通して気液分離トラップタンク２３０に戻される。気液分離トラップタンク２３０内の上部空間に一定量の気体が蓄積されることにより気液分離トラップタンク２３０内の処理液の液面が予め定められた所定の位置まで低下した場合に、バルブｖ５が閉止されるとともにバルブｖ２が開放される。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化を実現しつつ基板の処理効率の低下を抑制可能な光照射装置、基板処理装置および光照射装置の制御方法を提供する。
【解決手段】エッジ露光部においては、エッジ露光処理として基板の周縁部の露光処理が行われる。エッジ露光部は、基板の周縁部を露光する露光用光の露光用光源を備える。露光用光源には、ランプ駆動部から電力が供給される。ランプ駆動部は制御部により制御される。制御部は、基板にエッジ露光処理を行うエッジ露光処理期間に通常モードを設定する。通常モードにおいては、露光用光源に第１の電力ＰＷ１が供給される。制御部は、エッジ露光処理期間を除く非処理期間に省電力モードを設定する。省電力モードにおいては、露光用光源に第１の電力ＰＷ１よりも小さい第２の電力ＰＷ２が供給される。 （もっと読む）

【課題】処理液の供給時における基板の回転中心と基板の幾何学的中心との位置ずれおよび除去液の供給状態を検出することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】塗布処理ユニットにおけるスピンチャックにより回転される基板上に処理液が供給されることにより処理液の膜が形成され、基板Ｗ上の周縁部にリンス液が供給されることにより基板Ｗの周縁部上の処理液が除去される。エッジ露光部におけるスピンチャックにより回転される基板の外周部の位置と基板上の膜の外周部の位置との間のエッジカット幅Ｄ１〜Ｄ３が検出される。検出されたエッジカット幅Ｄ１〜Ｄ３に基づいて、塗布処理ユニットにおけるスピンチャックの回転中心に対するスピンチャックに保持された基板の中心の位置ずれが判定されるとともに、エッジリンスノズルによるリンス液の供給状態が判定される。 （もっと読む）

【課題】ベークプレート部の温度変更に要する時間を短くすることができる温度変更システムを提供する。
【解決手段】高速温度変更（ＲＴＣ）システムは、熱拡散部２２２、熱拡散部２２２に連結されたヒータ基台２２６、および、ヒータ基台２２６に連結されたヒータ層２２４、を備えたベークプレート部２０５を備える。また、高速温度変更システムは、ベークプレート部２０５に近接配置された受動冷却機構を含む。受動冷却機構は、ヒータ層２２４と物理的に接触するように移動可能である。受動冷却機構は、冷却プレート２４０および冷却プレート２４０に連結されたサーマルパッド２１０を備える。さらに、高速温度変更システムは、受動冷却機構に近接配置された能動冷却機構を備える。受動冷却機構は、能動冷却機構と物理的に接触するように移動可能である。 （もっと読む）

【課題】スループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３およびインターフェイスブロック１４を備える。インデクサブロック１１は、一対のキャリア載置部１１１ａ，１１１ｂおよび搬送部１１２を含む。キャリア載置部１１１ａ，１１１ｂには、複数の基板Ｗを多段に収容するキャリア１１３がそれぞれ載置される。搬送部１１２には、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２が設けられる。搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２は、互いに並行して基板Ｗを搬送する。 （もっと読む）