説明

ユニヴェルシテ・パリ・シュド・オーンズにより出願された特許

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【課題】磁気抵抗素子全体の電力消費を低減させる。
【解決手段】磁気抵抗素子は、磁気異方性を示し、その磁化が少なくとも第一及び第二の方向の間で反転できるように構成された強磁性層と、強磁性領域に容量性結合されたゲートとを含んでいる。磁気抵抗素子を動作させる方法は、第一及び第二の方向の間で磁化を反転させるために、強磁性領域の磁気異方性の方向を変化させるように、強磁性領域に電場パルスを印加するステップを含んでいる。 (もっと読む)


本発明は、抗癌処置に対する対象の感受性を評価するため、癌を処置するために有用である化合物をスクリーニングするため、及び対象における転移再発の可能性を決定するための方法に関する。前記方法は、被験者における非機能的P2X誘発性NALP3インフラマソーム経路が処置に耐性を示す知見に基づいている。本発明は、さらに、癌を処置するため及び癌処置に対する対象の感受性を回復するための方法に関する。 (もっと読む)


本発明は、患者由来の生物学的試料における抗テネイシンC抗体の存在および/または量を決定することを含む、肺動脈高血圧(PAHT)、またはPAHTを発達させる危険性を検出するためのインビトロ方法に関する。 (もっと読む)


【課題】少ない電力消費で磁気抵抗素子を動作させる方法を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子(21)は、磁気異方性を示しかつその磁化を少なくとも第1と第2の配向の間に切り換えることができる強磁性領域(22)とこの強磁性領域(22)に容量的に結合するゲート(23)とを含む。この方法は、電界パルス(29)を強磁性領域(22)に与えることにより、磁気異方性の配向を変えて磁化を第1と第2の配向の間に切り換えることを含む。 (もっと読む)


【課題】磁気ランダム・アクセス・メモリ(MRAM)の磁気メモリ素子の消費電力を小さくする方法を提供する。
【解決手段】磁気メモリ素子は、絶縁トランジスタ(81)を介してビット線(31)をセンス線(49)に接続する磁気トンネル接合(MTJ)(37)を備える。MTJ(37)は磁化困難軸を有する強磁性層を含む。支援電流線(33)がビット線(31)の上にあり、ビット線(31)から絶縁される。MTJ(37)は第1の比較的高い抵抗状態と第2の比較的低い抵抗状態との間に切り換えることができる。MTJ(37)の中を流れる電流とは無関係に支援電流線(33)に電流を流すと、強磁性層内の磁化困難軸に沿う磁界を与えて、MTJ(37)を第1の状態と第2の状態との間に切り換えるのを支援し、切換え電流を減らすことができる。 (もっと読む)


本発明は、HIVまたはSIVアクセサリータンパク質の免疫抑制性をモデュレーションするための、HIVまたはSIVアクセサリータンパク質の免疫抑制ドメインにおける少なくとも1つのアミノ酸突然変異の使用に関する。 (もっと読む)


本発明は、7〜20アミノ酸残基の配列を有するポリペプチドでウイルスタンパク質または断片の相同的配列が置き換えられるとそれが発現される宿主に対する、ウイルスタンパク質またはその断片の免疫抑制特性をモデュレーションすることができる、7〜20アミノ酸残基の配列を有するポリペプチド(免疫抑制モデュレートリー配列)に関し、該ポリペプチドは、以下の最小共通アミノ酸配列:X1011CY12(ここで、XおよびXは、該免疫抑制特性に影響を及ぼすように選択され、Y〜Y12は可変アミノ酸残基を示す)を含む。 (もっと読む)


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