説明

エピバレー株式会社により出願された特許

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【課題】III族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる際の結晶性を向上できる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板10の上に第1バッファー層30を形成する第1バッファー層形成工程と、前記第1バッファー層30の上に、複数の開口を有するマスク40を形成するマスク形成工程と、前記第1バッファー層30の表面において前記複数の開口により露出された複数の領域に、III族窒化物半導体の複数の第2バッファー層60a、60bを形成する第2バッファー層形成工程と、前記複数の第2バッファー層60a、60bの上に、III族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる成長工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物半導体の結晶層の転位密度を低減できる構造体を提供する。
【解決手段】下地基板と、下地基板の上に形成され、三角錐形状の複数の微結晶部を有するクロム窒化物膜と、を備え、クロム窒化物膜の三角錐形状の各微結晶部は、すべての斜面がクロム窒化物の結晶面で構成されている。各斜面における結晶方位は揃っており、{100}面群で構成されている。また、クロム窒化物膜の各微結晶部は、(111)面を底面とする。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の製造方法は、下地基板10の上にクロム層20を成膜するクロム層成膜工程と、クロム層20を1000℃以上の温度で窒化してクロム窒化物膜30にする窒化工程とを備え、窒化工程では、下地基板10とクロム窒化物膜30との間に中間層が形成される。さらに、クロム窒化物膜30の上にIII族窒化物半導体の結晶層を成長させる結晶層成長工程を備える。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】上面が(0001)面のサファイア単結晶を下地基板とし、下地基板上面にクロム層を成膜した後、クロム層が形成された下地基板をGaNの結晶を成長させるための装置への移送し、窒素を含有した還元性ガス雰囲気で1000℃以上の温度で加熱窒化処理を行うことにより、クロム窒化物(CrN)膜を形成するが、このとき、窒化アルミニウムを含む中間層が、下地基板とクロム窒化物膜との間に形成される。次に、GaNバッファ層を成膜した後、基板温度を1040℃まで昇温し、GaNの結晶層を成長させることにより、上面のピット密度が、105/cm2以下であるGaN単結晶基板が得られる。必要により、クロム窒化物膜の選択的エッチングし、GaNの基板を下地基板から分離する。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の第1側面に係る半導体基板の製造方法は、下地基板の上にクロム層を50℃以上の温度で成膜するクロム層成膜工程と、前記クロム層を窒化してクロム窒化物膜にする窒化工程とを備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物半導体の結晶層の転位密度を低減できる構造体を提供する。
【解決手段】下地基板と、前記下地基板の上に形成され、三角錐形状の複数の微結晶部を有するクロム窒化物膜とを備え、前記クロム窒化物膜の三角錐形状の微結晶部は、1辺の長さが10nm以上300nm以下であり、(111)面を底面とし、{100}面群を他のファセット面とする構造体であって、前記クロム窒化物膜の各前記微結晶部を成長核に、前記{100}面群のそれぞれからIII族窒化物半導体が横方向成長して形成される。 (もっと読む)


【課題】半導体基板の製造コストを低減できる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の第1側面に係る半導体基板の製造方法は、Crで形成された下地基板を準備する準備工程と、前記下地基板の(110)面を窒化してクロム窒化物層の(111)面を形成させる窒化工程とを備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる半導体基板の製造方法及び半導体基板を提供する。
【解決手段】本発明の第1側面に係る半導体基板の製造方法は、下地基板の上にクロム層を7nm以上45nm未満の平均層厚で成膜するクロム層成膜工程と、前記クロム層を1000℃以上の温度で窒化してクロム窒化物膜にする窒化工程とを備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


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