説明

DOWAエレクトロニクス株式会社により出願された特許

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【課題】粒子径ばらつきが小さいナノ粒子であるITO粉末およびその製造方法を提供する。
【解決手段】TEM写真から求めた平均粒子径が10nm以上、100nm以下であり、粒子径の標準偏差を平均粒子径で除して求めた変動係数が15%以下であるITO粒子を含むITO粉末およびその製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】 光取出し側の電極部である上側電極部と、この電極部と対になる電極部である中間電極部とを適切な位置関係で配設することにより、大電流印加時の発光効率を維持させた半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 支持基板の上面側に、中間電極部を含む中間層、第2導電型半導体層、活性層、第1導電型半導体層および上側電極部を順次具え、支持基板の下面側に下側電極層を具える半導体発光素子であって、前記中間電極部を互いの中間電極部間の間隔が50μm以上100μm以下の均等に分散した島状または等間隔の縞状、格子状かつ上面から見た中間電極部の第2導電型半導体層に対する面積率が3〜9%となるように配置することにより、大電流での使用時でも発光効率の高い半導体発光素子を提供することができる。
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【課題】高い強度と高い帯電性とを備えたフェライト粒子を提供すること。
【解決手段】一般式MgFe3−X(但し、0≦X≦1)で表わされる材料を主成分とし、炭素を16ppm以上含有させる。ここで、強度をより高くする観点からは、フェライト粒子表面に現れているグレインの数を5個以上100個以下とするのが好ましい。フェライト粒子を電子写真現像用キャリアとして用いる場合には、フェライト粒子の表面を樹脂で被覆するのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】成長温度が1050℃以下のAlGaNやGaNやGaInNだけでなく、成長温度が高い高Al組成のAlxGa1-xNにおいても結晶性の良いIII族窒化物半導体エピタキシャル基板、III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体自立基板およびこれらを製造するためのIII族窒化物半導体成長用基板、ならびに、これらを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面部分2がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板3と、前記表面部分2上に形成され、結晶化されたZrまたはHfからなる単一金属層4と、前記単一金属層4上に形成され、AlxGa1-xN(0≦x≦1)からなる少なくとも一層のバッファ層からなる初期成長層5と、を具える。 (もっと読む)


【課題】基板の反り量を大きくすることなく、III族窒化物半導体の結晶性を向上させることが可能なIII族窒化物エピタキシャル積層基板を提供する。
【解決手段】基板2上に形成されたバッファ3と、その上にIII族窒化物層4をエピタキシャル成長する積層基板1であって、バッファ3は、基板2と接する初期成長層5ならびに初期成長層上に形成された第1超格子積層体6および第1超格子積層体上に形成された第2超格子積層体7からなり、第1超格子積層体6は、AlN材料からなる第1AlN層6aおよびGaN材料からなる第2GaN層6bを交互に5〜20組積層してなり、かつ、第1AlN層6aおよび第2GaN層6bの1組の厚みが44nm未満であり、第2超格子積層体7は、AlN材料またはAlGaN材料からなる第1層7aおよび該第1層とはバンドギャップの異なるAlGaN材料からなる第2層7bを交互に複数組積層する。 (もっと読む)


【課題】モータやトランス、チョークコイルといった電磁気部品の圧粉磁心などに用いた場合に、ヒステリシス損及び渦電流損が小さく、高い強度が得られる軟磁性粒子を提供する。
【解決手段】軟磁性粒子の球形度を0.9以上とし、保磁力を50Oe以下とし、見掛け密度を1.6g/cm以上とする。ここで、軟磁性粒子の平均粒径としては5〜50μmの範囲が好ましい。また、軟磁性粒子の残留磁化としては6emu/g以下が好ましい。 (もっと読む)


【課題】電気抵抗が高くかつ電圧依存性が小さく、安定した画像濃度を得ることが出来るキャリアを製造可能なキャリア芯材を提供すること。
【解決手段】 一般式:(MnMg1−x)Fe4−δ(但し、0≦x<1)で表記されるスピネル型結晶単相のフェライトから構成され、かつ、当該フェライト相におけるスピネル格子中の酸素欠損δが、0≦δ≦0.004であることを特徴とする電子写真現像剤用キャリア芯材を提供する。 (もっと読む)


【課題】電子写真現像初期段階におけるトナー表面処理剤のキャリア表面への移行による帯電レベル低下の抑制、電子写真現像の現像枚数増加に伴う、電子写真現像剤の長期使用に際してのキャリアの帯電量維持、高温高湿環境下、低温低湿下におけるキャリアの帯電性の低下抑止を実現出来るキャリアと、その製造方法とを提供する。
【解決手段】表面が樹脂被覆された電子写真用キャリアであって、前記樹脂は、メイン樹脂である窒素原子を含有しないシリコーン樹脂と、炭素鎖を有し窒素原子を含有する樹脂との混合物であり、当該樹脂被覆されたキャリアの表面近傍において、当該樹脂中のSi原子に対するN原子の存在比N/Siの値が0.02以上、0.20未満の範囲にあることを特徴とする電子写真用樹脂被覆キャリアを提供する。 (もっと読む)


【課題】割れの発生を抑制することに加え、結晶性も向上させたIII族窒化物半導体を提供する。
【解決手段】シリコン基板と、該シリコン基板上に形成した歪超格子積層体と、該歪超格子積層体上に成長したIII族窒化物積層体とを具えるIII族窒化物積層基板であって、前記歪超格子積層体は、少なくとも前記シリコン基板側から順に第1超格子積層体と第2超格子積層体とを有し、前記第1超格子積層体は、AlN層とGaN層とを交互に積層してなり、前記第2超格子積層体は、AlN層とAlxGa1-xN(0<x<1)層とを交互に積層してなり、かつ前記第1超格子積層体の総厚が1μmを超えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】可能な限り単純な構成であっても接合強度が確保され、かつ接合強度のムラを低減させうる、接合用金属ペーストの提供を図ること。
【解決手段】マイクロトラック粒度分布測定装置で測定される、平均一次粒径(D50径)0.5〜3.0μmである金属サブミクロン粒子と、平均一次粒子径が1〜200nmであって炭素数6〜8の有機化合物で被覆された金属ナノ粒子と、これらを分散させる分散媒で構成した金属接合用ペースト(接合材)を用いて接合対象物である金属間にバルク状態の接合層を形成する。 (もっと読む)


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