説明

DOWAエレクトロニクス株式会社により出願された特許

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【課題】導電性SiC単結晶基板上のIII族窒化物電子デバイスにおいて、縦方向耐圧を向上させることができる電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電性SiC単結晶基板2と、該SiC単結晶基板上に形成した絶縁層としてのバッファ3と、該バッファ上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成した主積層体4とを具え、横方向を電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板であって、前記バッファは、Ba1Alb1Gac1Ind1N(0≦a1≦1,0<b1≦1,0≦c1≦1,0≦d1≦1,a1+b1+c1+d1=1)材料からなり、初期成長層5と、バンドギャップの異なる2層を交互に積層した超格子多層構造からなる。超格子積層体6、または、前記主積層体の前記バッファ側の部分の少なくとも一方は、C濃度が1×1018/cm3以上であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ITO粒子同士が焼結し粗大化してしまう雰囲気中での加熱工程を経由することなく、簡単な処理方法によって、製造工程で使用する溶媒として高沸点の溶媒を使用することなく製造することができる、透明導電材用塗料に適したITO粉末およびその製造方法を提供する。
【解決手段】インジウムを含む塩と、スズを含む塩とを有機溶媒中に溶解し、当該有機溶媒に塩基性沈殿剤を含む有機溶媒を添加し、インジウムとスズとを含む前駆体と有機溶媒の混合物を作製する第1の工程と、インジウムとスズとを含む前駆体と有機溶媒の混合物を加圧容器内で200℃以上、300℃以下の温度で加熱処理してITO粒子を生成させる第2の工程と、によりITO粉末を製造する。 (もっと読む)


【課題】銀導電膜の基板との密着性および導電性が良好であり且つ安価な銀導電膜付き基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】表面に有機保護剤としてオレイルアミン、ヘキサデセンアミン、テトラデセンアミン、ドデセンアミン、デセンアミンなどのアミンまたはその誘導体を有する銀微粒子が液状有機媒体に分散した銀微粒子分散液を、銀微粒子の表面のアミンまたはその誘導体と結合する(カルボシキル基、エポキシ基、イソシアネ−ト基、カルボニル基などの)官能基を有するポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、トリアセチルセルロースなどからなる基板上に塗布した後、300℃以下の温度で焼成して銀微粒子を焼結させることにより、膜厚2000nm以下の銀導電膜を基板上に形成する。 (もっと読む)


【課題】成長温度が1050℃以下のAlGaNやGaNやGaInNだけでなく、成長温度が高い高Al組成のAlxGa1-xNにおいても結晶性の良いIII族窒化物半導体エピタキシャル基板、III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体自立基板およびこれらを製造するためのIII族窒化物半導体成長用基板、ならびに、これらを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面部分がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板と、前記表面部分上に形成されたスカンジウム窒化物膜とを具えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】従来よりも焼結温度を大幅に低減しうる保護材で被覆された銀微粉を提供する。
【解決手段】炭素数6〜12の1級アミンBで構成される有機保護材に被覆された平均粒子径DTEM:3〜20nmまたはX線結晶粒径DX:1〜20nmの銀粒子からなる銀微粉。この銀微粉は、有機媒体と混合して銀塗料とし、これを塗布した塗膜を大気中120℃で焼成したときに比抵抗25μΩ・cm以下の導電膜となる性質を備える。また、この銀微粉は、不飽和結合を持つ分子量200〜400の1級アミンAに被覆された銀粒子が有機媒体中に単分散した銀粒子分散液と、炭素数6〜12の1級アミンBとを混合したのち、撹拌状態で50〜80℃に保持して沈降粒子を生成させることにより製造することができる。 (もっと読む)


【課題】発光に寄与しない炭素と酸素の不純物含有量を減少して、窒化物蛍光体の発光強度の低下を抑制し、当該窒化物蛍光体の発光効率を向上できること。
【解決手段】窒化物蛍光体の原料を窒化ホウ素材質の焼成容器内に充填し、窒素などの不活性雰囲気中で焼成して窒化物蛍光体を製造し、得られた窒化物蛍光体が、不純物炭素含有量が0.08重量%より少ない窒化物蛍光体、不純物酸素含有量が3.0重量%より少ない窒化物蛍光体である。 (もっと読む)


【課題】 電波吸収体に使用したとき、その厚さが変動しても整合周波数が変化しにくい性質を発揮する、マグネトプランバイト型六方晶フェライトを開発し提供すること。
【解決手段】 組成式AFe(12−X)(B10.5B20.5)19で表され、AはBa、Srの1種または2種、B1はTi、Zrの1種または2種、B2は2価金属元素であり、Co、Mn、Cu、Mg、Zn、Niのうち2種以上を含有するマグネトプランバイト型六方晶フェライトによって達成される。上記B2として少なくともZnを含有し、特にCoとZn、あるいはMnとZnを含有するものを用いる。 (もっと読む)


【課題】ボンド磁石は、磁化Brと保磁力Hcの積であるエネルギー積を大きくすることが必要である。しかし、ボンド磁石用フェライト粉末は、保磁力を高めるために粒径を小さくすると詰まりにくくなってBrが低下する。また磁化を高めようとして粒径を大きくすると保磁力が低下する。そのため、エネルギー積を大きくするには、BrとHcの両方を大きくしなければならない。
【解決手段】塩化物の飽和蒸気圧下で1050℃乃至1300℃の温度で焼成したフェライト粉を粒径の小さな微粉フェライト粉と混合し、800℃乃至1100℃の温度でアニールすると、粒径が大きく、きれいな結晶で、加圧しても保磁力の下がりが低いフェライト粉末を得た。この粉末で作製したボンド磁石は2.0MGOe以上のエネルギー積を有する。 (もっと読む)


【課題】成長温度が1050℃以下のAlGaNやGaNやGaInNだけでなく、成長温度が高い高Al組成のAlxGa1-xNにおいても結晶性の良いIII族窒化物半導体エピタキシャル基板、III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体自立基板およびこれらを製造するためのIII族窒化物半導体成長用基板、ならびに、これらを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面部分がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板と、前記表面部分上に形成されたスカンジウム窒化物膜とを具えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】成長温度が1050℃以下のAlGaNやGaNやGaInNだけでなく、成長温度が高い高Al組成のAlxGa1-xNにおいても結晶性の良いIII族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体自立基板およびこれらを製造するためのIII族窒化物半導体成長用基板、ならびに、これらを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面部分がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板と、前記表面部分上に形成されたSc(スカンジウム)を窒化処理したスカンジウム窒化物膜を具えることを特徴とする。 (もっと読む)


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