説明

DOWAエレクトロニクス株式会社により出願された特許

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【課題】金属磁性粉末の粒子を小さくするために金属磁性粉末の表層部の非磁性成分を溶液中に溶出除去する際に、還元剤を使用しなくても簡便に金属磁性粉末の表層部の非磁性成分を溶出除去することができる、金属磁性粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】金属磁性粉末の製造方法は、形状保持や焼結防止のために非磁性成分が添加された原料粉末を焼成した後に還元して、鉄または鉄とコバルトを主成分として含有し且つ形状保持や焼結防止のために添加された非磁性成分を含有する金属磁性粉末を製造する金属磁性粉末製造工程と、この金属磁性粉末の表層部の非磁性成分と錯体を形成し得る錯化剤を添加するとともにアルカリを添加してpH10〜14に調整した溶液中に、金属磁性粉末の表層部の非磁性成分を浸出して溶出除去する工程とを備えている。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物半導体を用いた紫外発光素子における発光効率を高める
【解決手段】AlGa1−xNの電子ブロック層(厚さ20nm)のx値が大きいほど(a〜c)、260nm帯でのPL強度が大きくなり、一方、Alのモル比が0.89(図の符号a)においては、290nm付近にブロードな発光ピーク、すなわちp−AlGaN層21による発光ピークが観測されており、MQWからの電子のオーバーフローが生じていること、Alのモル比が0.97、1.0の場合には、この波長帯でのPL強度はほとんど観測されず、高い電子ブロック層を用いることで、電子のオーバーフローが良好に抑制されていることがわかった。このように、Alのモル比の高い、例えば、Alのモル比として0.95以上のAl(Ga)N電子ブロック層を設けることで、外部量子効率を高めるとともに、発光強度自体も高くすることができ、実用性の高い良好な値を得ることができることがわかる。 (もっと読む)


【課題】 各種電子部品用の金属膜や金属配線を作製するために用いられることの多い、グラビアオフセット法やインクジェット法などの量産性に優れた塗布・印刷法によっても、濡れ性の低い基板に対する塗膜性が優れた金属ナノ粒子分散液を提供する。
【解決手段】 粒子径100nm以下の金属と有機物とから構成される金属ナノ粒子と、イソパラフィン及び流動パラフィンからなる群より選ばれる1種以上とを含む分散液に、炭素数8以下のアルカンを含ませる。 (もっと読む)


【課題】有機EL構造体の大画面化に対応できるような電極形成方法の提供とその方法により得られる有機EL構造体を提供すること。
【解決手段】基材1上に陽極2となる透明導電性酸化物よりなる配線が形成され、その上部に有機物からなる導電層(正孔輸送層4、発光層5、電子輸送層6)を積層してなり、その上面に陰極7として金属配線が形成されており、該金属配線を形成する金属粒子は平均粒子径1〜20nmのものを用い、該金属配線は印刷法によって得る。 (もっと読む)


【課題】従来よりも結晶品質の優れたIII族窒化物結晶およびその形成方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物結晶の形成方法が、所定の基材の上に全III族元素におけるAlの割合が80モル%以上である第1のIII族窒化物からなる下地層2をエピタキシャル形成する下地層形成工程と、下地層2を基材ともども下地層2の形成温度よりも高くかつ1250℃以上の加熱温度で加熱する熱処理により下地層2の表面形状を変換する表面形状変換工程と、表面形状変換工程を経た下地層2の上に第2のIII族窒化物からなる結晶層4をエピタキシャル形成する結晶層形成工程と、を備える。このような界面構造のもとでは、成長下地層2に元から存在する転位、あるいは界面で新たに発生した転位dが内部を貫通し、島状結晶2Iの側面2Sにまで達していたとしても、空隙5の存在ために該転位dはその場所が終端tとなり、結晶層4へは伝搬しない。 (もっと読む)


【課題】TEMにより求まる平均粒子径が30nm以下の微細な金属ナノニッケル粒子からなる粉末であって、溶媒中での分散性が良好であり、かつ焼結温度を低く抑えることが可能な金属ニッケル粒子粉末を提供する。
【解決手段】 沸点170℃以上のアルコールからなる還元剤Aと、分子量200〜400の有機化合物からなる界面活性剤Bが溶けあっている溶媒中に、NiイオンとAgイオンがAg/Niモル比0.01〜0.5の範囲で存在している液を、還元剤Aを構成するアルコールの沸点(還元剤Aが2種以上のアルコールからなる場合はその中で最も沸点の低いアルコールの沸点)以下かつ150℃以上の温度に保持することにより、アルコールの還元力を利用して、界面活性剤Bの分子が表面に付着している銀含有ニッケル粒子を合成する金属ニッケル粒子粉末の製造方法。 (もっと読む)


【課題】光取出し側の電極部である上側電極部と、この電極部と対になる電極部である中間電極部とを適切な位置関係で配設することにより、低順方向電圧を維持したままで、発光出力を向上させた半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板の上面側に、中間電極部を含む中間層、第2導電型半導体層、活性層、第1導電型半導体層および上側電極部を順次具え、前記支持基板の下面側に下側電極層を具える半導体発光素子であって、前記中間層は、線状または島状に延在する少なくとも1つの中間電極部を有し、前記上側電極部と前記中間電極部とを前記支持基板の上面と平行な仮想面上に投影したとき、前記上側電極部と前記中間電極部とは、平行かつ相互にずれた位置関係にあり、前記上側電極部と前記中間電極部との間の距離は、10〜50μmの範囲であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】従来は、機械的強度を有するフェライト磁性体を低温で焼成するための原材料を得ることができなかった。
【解決手段】焼結体の出発材料となる磁性粉末には、高い圧粉密度とバインダなどに由来するカーボン成分が少ないものがよい。そこで、ヘマタイトにわずかなカーボンを添加したものをLPGガスと酸素ガスの比率が1:4のガス中に分散させ、それをバーナーの燃焼炎を通過させ、焼結体の出発材料のマグネタイトを得た。このマグネタイトはタップ密度が高く、加圧成型した後に1100℃で焼結させると、真密度に近い密度の焼結体を得ることができた。 (もっと読む)


【課題】光取出し側の電極部である上側電極部と、この電極部と対になる電極部である中間電極部とを適切な位置関係で配設することにより、低順方向電圧を維持したままで、発光出力を向上させた半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板2の上面側に、中間電極部3aを含む中間層3、第2導電型半導体層4、活性層5、第1導電型半導体層6および上側電極部7を順次具え、支持基板の下面側に下側電極層8を具える半導体発光素子であって、中間層は、線状または島状に延在する少なくとも1つの中間電極部3aを有し、上側電極部と中間電極部とを支持基板の上面と平行な仮想面上に投影したとき、上側電極部と中間電極部とは、相互にずれた位置関係にあり、かつ上側電極部および中間電極部の少なくとも一方の輪郭線を、所定の振れ幅で延在させて、上側電極部と上側電極部に対向する中間電極部との間の輪郭線間距離dを部分的に短くする。 (もっと読む)


【課題】従来の製造方法により製造されたフレーク状銀粉よりも、フレーク状銀粉を配合した導電性ペーストの粘度を低下されることができ、且つ、フレーク状銀粉を配合した導電性ペーストを用いて形成した導電膜の抵抗を低下させることができるフレーク状銀粉及びその製造方法、並びに導電性ペーストの提供。
【解決手段】フレーク化処理後の銀粉に対して、前記銀粉の粒子同士を回転可能な羽根を有する高速攪拌機を用いて機械的に衝突させる表面平滑化処理を施す。 (もっと読む)


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