【課題】粒子を小さくしても粒子同士の凝集を防止することができるとともに、有機物との馴染みを良好にして、磁性塗料に配合する際の粒子の分散性を向上させることができる、金属磁性粉末およびその製造方法を提供する。
【解決手段】金属磁性粉末の製造方法は、形状保持や焼結防止のために非磁性成分が添加された原料粉末を焼成した後に還元して、鉄または鉄とコバルトを主成分として含有し且つ形状保持や焼結防止のために添加された非磁性成分を含有する金属磁性粉末を製造する金属磁性粉末製造工程と、この金属磁性粉末の表層部の非磁性成分を溶出除去する溶出処理工程と、表層部の非磁性成分を溶出除去した金属磁性粉末の表面に酸化膜を形成する酸化処理工程と、酸化膜を形成した金属磁性粉末を還元処理した後に酸化処理する再還元・安定化処理工程と、表層部の非磁性成分を溶出除去した金属磁性粉末の表面を洗浄する洗浄工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体を用いた紫外発光素子における発光効率を高める
【解決手段】Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮの電子ブロック層（厚さ２０ｎｍ）のｘ値が大きいほど（ａ〜ｃ）、２６０ｎｍ帯でのＰＬ強度が大きくなり、一方、Ａｌのモル比が０．８９（図の符号ａ）においては、２９０ｎｍ付近にブロードな発光ピーク、すなわちｐ−ＡｌＧａＮ層２１による発光ピークが観測されており、ＭＱＷからの電子のオーバーフローが生じていること、Ａｌのモル比が０．９７、１．０の場合には、この波長帯でのＰＬ強度はほとんど観測されず、高い電子ブロック層を用いることで、電子のオーバーフローが良好に抑制されていることがわかった。このように、Ａｌのモル比の高い、例えば、Ａｌのモル比として０．９５以上のＡｌ（Ｇａ）Ｎ電子ブロック層を設けることで、外部量子効率を高めるとともに、発光強度自体も高くすることができ、実用性の高い良好な値を得ることができることがわかる。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ構造体の大画面化に対応できるような電極形成方法の提供とその方法により得られる有機ＥＬ構造体を提供すること。
【解決手段】基材１上に陽極２となる透明導電性酸化物よりなる配線が形成され、その上部に有機物からなる導電層（正孔輸送層４、発光層５、電子輸送層６）を積層してなり、その上面に陰極７として金属配線が形成されており、該金属配線を形成する金属粒子は平均粒子径１〜２０ｎｍのものを用い、該金属配線は印刷法によって得る。 （もっと読む）

【課題】従来よりも結晶品質の優れたIII族窒化物結晶およびその形成方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物結晶の形成方法が、所定の基材の上に全III族元素におけるＡｌの割合が８０モル％以上である第１のIII族窒化物からなる下地層２をエピタキシャル形成する下地層形成工程と、下地層２を基材ともども下地層２の形成温度よりも高くかつ１２５０℃以上の加熱温度で加熱する熱処理により下地層２の表面形状を変換する表面形状変換工程と、表面形状変換工程を経た下地層２の上に第２のIII族窒化物からなる結晶層４をエピタキシャル形成する結晶層形成工程と、を備える。このような界面構造のもとでは、成長下地層２に元から存在する転位、あるいは界面で新たに発生した転位ｄが内部を貫通し、島状結晶２Ｉの側面２Ｓにまで達していたとしても、空隙５の存在ために該転位ｄはその場所が終端ｔとなり、結晶層４へは伝搬しない。 （もっと読む）

【課題】 各種電子部品用の金属膜や金属配線を作製するために用いられることの多い、グラビアオフセット法やインクジェット法などの量産性に優れた塗布・印刷法によっても、濡れ性の低い基板に対する塗膜性が優れた金属ナノ粒子分散液を提供する。
【解決手段】 粒子径１００ｎｍ以下の金属と有機物とから構成される金属ナノ粒子と、イソパラフィン及び流動パラフィンからなる群より選ばれる１種以上とを含む分散液に、炭素数８以下のアルカンを含ませる。 （もっと読む）

【課題】ＴＥＭにより求まる平均粒子径が３０ｎｍ以下の微細な金属ナノニッケル粒子からなる粉末であって、溶媒中での分散性が良好であり、かつ焼結温度を低く抑えることが可能な金属ニッケル粒子粉末を提供する。
【解決手段】 沸点１７０℃以上のアルコールからなる還元剤Ａと、分子量２００〜４００の有機化合物からなる界面活性剤Ｂが溶けあっている溶媒中に、ＮｉイオンとＡｇイオンがＡｇ／Ｎｉモル比０.０１〜０.５の範囲で存在している液を、還元剤Ａを構成するアルコールの沸点（還元剤Ａが２種以上のアルコールからなる場合はその中で最も沸点の低いアルコールの沸点）以下かつ１５０℃以上の温度に保持することにより、アルコールの還元力を利用して、界面活性剤Ｂの分子が表面に付着している銀含有ニッケル粒子を合成する金属ニッケル粒子粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】光取出し側の電極部である上側電極部と、この電極部と対になる電極部である中間電極部とを適切な位置関係で配設することにより、低順方向電圧を維持したままで、発光出力を向上させた半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板の上面側に、中間電極部を含む中間層、第２導電型半導体層、活性層、第１導電型半導体層および上側電極部を順次具え、前記支持基板の下面側に下側電極層を具える半導体発光素子であって、前記中間層は、線状または島状に延在する少なくとも１つの中間電極部を有し、前記上側電極部と前記中間電極部とを前記支持基板の上面と平行な仮想面上に投影したとき、前記上側電極部と前記中間電極部とは、平行かつ相互にずれた位置関係にあり、前記上側電極部と前記中間電極部との間の距離は、10〜50μmの範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来は、機械的強度を有するフェライト磁性体を低温で焼成するための原材料を得ることができなかった。
【解決手段】焼結体の出発材料となる磁性粉末には、高い圧粉密度とバインダなどに由来するカーボン成分が少ないものがよい。そこで、ヘマタイトにわずかなカーボンを添加したものをＬＰＧガスと酸素ガスの比率が１：４のガス中に分散させ、それをバーナーの燃焼炎を通過させ、焼結体の出発材料のマグネタイトを得た。このマグネタイトはタップ密度が高く、加圧成型した後に１１００℃で焼結させると、真密度に近い密度の焼結体を得ることができた。 （もっと読む）

【課題】光取出し側の電極部である上側電極部と、この電極部と対になる電極部である中間電極部とを適切な位置関係で配設することにより、低順方向電圧を維持したままで、発光出力を向上させた半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板２の上面側に、中間電極部３ａを含む中間層３、第２導電型半導体層４、活性層５、第１導電型半導体層６および上側電極部７を順次具え、支持基板の下面側に下側電極層８を具える半導体発光素子であって、中間層は、線状または島状に延在する少なくとも１つの中間電極部３ａを有し、上側電極部と中間電極部とを支持基板の上面と平行な仮想面上に投影したとき、上側電極部と中間電極部とは、相互にずれた位置関係にあり、かつ上側電極部および中間電極部の少なくとも一方の輪郭線を、所定の振れ幅で延在させて、上側電極部と上側電極部に対向する中間電極部との間の輪郭線間距離ｄを部分的に短くする。 （もっと読む）

【課題】反り形状を適正に制御した、横方向を主電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Si単結晶基板と、該Si単結晶基板上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成したIII族窒化物積層体とを具え、横方向を主電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板であって、前記Si単結晶基板と前記III族窒化物積層体との間に、絶縁層としてのバッファをさらに具え、前記バッファは、１×10¹⁸/cm³以上のCを含む超格子多層構造からなる積層体を有し、前記Si単結晶基板はｐ型基板であって、かつ比抵抗値が0.01Ω・cm以下であることを特徴とする。 （もっと読む）