説明

DOWAエレクトロニクス株式会社により出願された特許

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【課題】反り形状を適正に制御した、横方向を主電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Si単結晶基板と、該Si単結晶基板上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成したIII族窒化物積層体とを具え、横方向を主電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板であって、前記Si単結晶基板と前記III族窒化物積層体との間に、絶縁層としてのバッファをさらに具え、前記バッファは、1×1018/cm3以上のCを含む超格子多層構造からなる積層体を有し、前記Si単結晶基板はp型基板であって、かつ比抵抗値が0.01Ω・cm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】目標とする粒径ごとに、粒度分布の幅が狭く且つ微粒子数が非常に少ない銅粉を製造することができる、銅粉の製造方法を提供する。
【解決手段】湿式レーザー回折式の粒度分布測定装置による体積基準の粒度分布における50%径(D50)が0.5μm以上の銅粉と、ヒドラジンまたは含水ヒドラジンからなる還元剤とを含む液に、被還元物として固形の銅の酸化物または水酸化物などの銅化合物および銅イオンの少なくとも一方を含む液を添加することにより、被還元物を金属銅に還元して銅粉を製造する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、上述した問題を解決し、成長温度が1050℃以下のAlGaNやGaNやGaInNだけでなく、成長温度が高い高Al組成のAlxGa1-xNにおいても結晶性の良いIII族窒化物半導体エピタキシャル基板、III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体自立基板およびこれらを製造するためのIII族窒化物半導体成長用基板、ならびに、これらを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面部分がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板と、前記表面部分上に形成されたZrまたはHfからなる単一金属層とを具えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】発光出力が高く、色むらが小さく、且つ演色性が良好な発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置10は、カップ13が形成された載置部としてのリードフレーム12aと、この載置部のカップ13の底面13aに載置されて所定のピーク波長の光を発する発光素子14と、この発光素子14の表面に吸着して形成されて発光素子14からの光を吸収して発光素子14からの光のピーク波長と異なるピーク波長の光を発する大粒径蛍光体16の層と、この大粒径蛍光体16よりも粒径が小さく且つ発光素子14からの光を吸収して発光素子14からの光のピーク波長と異なるピーク波長の光を発する小粒径蛍光体18と、この小粒径蛍光体18が分散して発光素子14および大粒径蛍光体16の層を載置部のカップ13内に封止する封止部材20とを備えている。 (もっと読む)


【課題】外部量子効率を維持しつつ、n-コンタクト層とn側電極との間で生じる接触抵抗を有効に低減させた窒化物半導体発光素子およびこのような窒化物半導体発光素子を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】n型積層体、発光層およびp型積層体を具える半導体積層体、ならびに、n側電極およびp側電極を具える窒化物半導体発光素子において、前記n型積層体が、AlxGa1-xN材料(但し、0.7≦x≦1.0)からなるn-コンタクト層および該n-コンタクト層上に設けられたn-クラッド層を有し、前記発光層側に一部露出した前記n-コンタクト層上に、AlyGa1-yN材料(但し、0≦y≦0.5)からなる中間層を具えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】色調ムラを低減化し、演色性を向上させた発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置1が、発光素子5と、前記発光素子5からの光を吸収し、波長変換して発光する蛍光体20を含有する蛍光体層10と、を有するように構成する。また、前記蛍光体層10を、前記蛍光体20の平均粒径よりも薄く塗布された接着剤21に前記蛍光体20を配置した構成にすると共に、前記蛍光体層10の厚さを前記蛍光体20の平均粒径の5倍以下の厚さとし、前記蛍光体層10中の前記蛍光体20の占有率が50%以上であるようにする。また、前記接着剤21に配置する前記蛍光体20の粒径を調整しておく。 (もっと読む)


【課題】反り形状を適正に制御した、横方向を主電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Si単結晶基板2と、該Si単結晶基板2上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成したIII族窒化物積層体4とを具え、横方向を主電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板であって、前記Si単結晶基板はp型基板であって、かつ比抵抗値が0.01Ω・cm以下であること。 (もっと読む)


【課題】従来の製造方法で見られる大量の純水またはアンモニア水を使用した洗浄を行わなくとも、不純物の含有量が少ない高純度なジルコニウム酸化物、粉体前駆体およびこれらを焼成したジルコニウム酸化物の製造方法を提供する。
【解決手段】(1)ジルコニウムと、硫酸根とを溶解した原料溶液を加温し、塩基性硫酸ジルコニウム塩の沈殿が析出したスラリーを得る反応工程と、(2)当該スラリーにアルカリを添加し、pHを11以上にして硫酸根を完全に溶出させる中和工程と、(3)該中和工程で得られたスラリーを固液分離し、酸によりpHを9以下にして洗浄を行ない、ジルコニウム水酸化物の粉体を得る洗浄工程とからなる。 (もっと読む)


【課題】電波吸収シートを製造したとき、所定の周波数帯域で所定の減衰量を得られるフェライト粉とその製造法、並びに電波吸収シートを提供。
【解決手段】2種以上のフェライト粉を混合した混合フェライト粉の、それぞれのピーク粒径の大きさをPとし、最も大きなピーク粒径をPmax、最も小さなピーク粒径をPminとしたとき、Pmax/Pmin≧1.5であり、当該混合フェライト粉を構成する2種以上のフェライト粉の各々から電波吸収体を作製し、複素透磁率の虚数部μ''の最大値を示す周波数をfとし、当該2種以上の電波吸収体の周波数fのうち、最も高い周波数をfmax、最も低い周波数をfminとしたとき、fmax/fmin≦1.3であり、それぞれの複素透磁率の虚数部μ''の最大値のうち、最も大きいものをμ''max、最も小さいものをμ''minとしたとき、μ''max/μ''min≦1.5である混合フェライト粉を提供。 (もっと読む)


【課題】画像異常の原因であるキャリア飛散を抑制し、且つコート芯材に被覆される樹脂の剥離を防止する効果の高い電子写真現像剤用キャリア芯材、これを用いたキャリア及びキャリア芯材の製造方法を提供する。
【解決手段】Feで表記されるマグネタイト、または、一般式(MFe3−x)O(但し、Mは、Mg、Mn、Ca、Ti、Cu、Zn、Sr、Niからなる群より選ばれる少なくとも1種以上の金属粉末、0<x<3)で表記されるソフトフェライトを有し、
当該マグネタイトまたはソフトフェライト中に0.1質量以上、1質量%以下のAlが含有され、平均表面粗さが0.1μm以上、0.5μm以下であることを特徴とする電子写真現像剤用キャリア芯材である。 (もっと読む)


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