【課題】温度に対する優れた応答性を有したε−Ｆｅ_２Ｏ_３の結晶の構成ならびにかような構造体を主相とする磁性材料並びにそれを用いた磁気メモリ、及び温度センサの提供。
【解決手段】磁性材料は、一般式ε−Ｆｅ_２Ｏ_３を主相とし、ε−Ｆｅ_２Ｏ_３結晶のＦｅサイトの一部がＡで置換されたε−Ａ_ｘＦｅ_２−ｘＯ_３の（０＜ｘ≦０．３０）結晶からなる。合成時に形状制御剤を添加することにより、前記Ａを含有した前記ε−Ａ_ｘＦｅ_２−ｘＯ_３の結晶粒子の平均体積を１００００ｎｍ^３以上としたことを特徴とする。これにより、温度ヒステリシス幅を増加させることができる。 （もっと読む）

【課題】ディーゼルエンジン排気ガス中に含まれる硫黄による被毒を浄化触媒成分が受け難く、低温でＰＭを燃焼させることのできる排気ガス浄化材および排気ガス浄化用フィルターを提供すること。
【解決手段】ディーゼルエンジンの排気ガス中に含まれる粒子状物質を燃焼除去する排気ガス浄化材であって、浄化触媒成分と共存物質とを有し、前記浄化触媒成分は、前記粒子状物質を燃焼除去する触媒成分であり、前記共存物質は前記排気ガス中に含まれる含硫黄酸性ガスを、前記浄化触媒成分よりも吸着し、且つ、前記排気ガス温度が上昇したとき、および／または、前記排気ガス中の一酸化炭素や炭化水素成分の濃度が高くなったとき、前記吸着した含硫黄酸性ガスを脱離し、および／または、前記触媒へ吸着した含硫黄酸性ガスの脱離を促進する排気ガス浄化材を発明した。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が問題となる元素を原料からの不可避不純物程度しか含まず、その使用目的に応じて調整されたマグネタイト相を主成分としたキャリア芯材を提供し、トナーの荷電制御が容易で安定した高画質が得ることができ、かつ高速現像を可能にする電子写真現像剤用キャリア電子写真現像剤を提供する。
【解決手段】基本組成がＦｅ_３Ｏ_４で表されるマグネタイト相を主成分とした電子写真現像剤用の磁性キャリア芯材であって、その中に含まれるＦｅＯで表されるウスタイト相の存在比率を４ｗｔ％以下とする。 （もっと読む）

【課題】分子量が比較的小さいにもかかわらず沸点が比較的高く、低粘度、低表面張力を示し、刺激臭の少ない有機溶媒であるγ−ブチロラクトン（Ｃ₄Ｈ₆Ｏ₂）に対して親和性（すなわち分散性）が良好な銀ナノ粒子を提供する。
【解決手段】上記課題は、１,４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸（Ｃ₁₁Ｈ₈Ｏ₄）、没食子酸（Ｃ₇Ｈ₆Ｏ₅）の１種以上を表面に吸着させてなるＸ線結晶粒子径Ｄｘ：１〜４０ｎｍ好ましくは１〜１５ｎｍの銀粒子で構成される、少なくともγ−ブチロラクトンとの親和性に優れた銀微粉によって達成される。また本発明では、カルボキシル基を有する有機化合物を表面に吸着させてなるＸ線結晶粒子径Ｄｘ：１〜４０ｎｍ好ましくは１〜１５ｎｍ（ＴＥＭ観察により測定される平均粒子径Ｄ_TEMで見ると、Ｄ_TEM：３〜４０ｎｍ好ましくは４〜１５ｎｍ）の銀粒子が、γ−ブチロラクトン中に分散している銀インクが提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に、必要に応じて緩衝層を形成し、ｎ型又はｐ型の下側半導体層と、発光層と、ｐ型又はｎ型の上側半導体層とを積層してなる半導体層を持つ半導体発光素子において、特定の波長に対して高い発光効率を有する半導体発光素子を提供することにある。
【解決手段】半導体基板１０上に、直接又は必要に応じて緩衝層２０を介して、半導体層３０を形成してなる半導体発光素子であって、通常の半導体発光素子には形成される反射層を必要とせず、波長200〜350nmに対する反射率が60％以上である物性を有し、前記半導体基板１０が反射層としての機能を兼ねることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来よりも焼結温度を大幅に低減しうる保護材で被覆された銀微粉を提供する。
【解決手段】ヘキシルアミン（Ｃ₆Ｈ₁₃−ＮＨ₂）を表面に吸着させた平均粒子径Ｄ_TEM：３〜２０ｎｍまたはＸ線結晶粒径Ｄ_X：１〜２０ｎｍの銀粒子からなる銀微粉。この銀微粉は、有機媒体と混合して銀塗料とし、これを塗布した塗膜を大気中１２０℃で焼成したときに比抵抗２５μΩ・ｃｍ以下の導電膜となる性質を備える。１００℃で焼成しても比抵抗２５μΩ・ｃｍ以下を示す導電膜が得られる。また、この銀微粉は、不飽和結合を持つ分子量２００〜４００の１級アミンＡに被覆された銀粒子が有機媒体中に単分散した銀粒子分散液と、ヘキシルアミンとを混合したのち、撹拌状態で５〜８０℃に保持して沈降粒子を生成させることにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】クラック及びピットの発生が少なく、結晶性に優れた窒化物半導体層を有する半導体材料及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】Si基板１０上又はこの上に形成した中間層２０上に、Al_XGa_1-XNの組成からなり、該組成中のAl含有比が結晶成長方向に連続又は不連続に減少するように組成を傾斜させた組成傾斜層３０を形成し、該組成傾斜層３０の上に、Al_YGa_1-YNの組成からなるからなる高Al含有層４１とAl_ZGa_1-ZNの組成からなる低Al含有層４２とを交互に積層してなる超格子複合層４０を形成し、該超格子複合層４０の上に、窒化物半導体層５０を形成してなる半導体材料を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上述の状況の下でなされたものであり、その解決しようとする課題は、磁力と破砕強度とが高い電子写真現像用の磁性キャリア芯材を、Ｃｕ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｃｒなどの高環境負荷元素を含有させることなく提供する。
【解決手段】基本組成が鉄と酸素である鉄系酸化物であって、当該鉄の平均原子価数が２．５７〜２．６７となるよう調整された電子写真現像剤用の磁性キャリア芯材を作製した。 （もっと読む）

【課題】シランカップリング剤や熱硬化性樹脂を加えることなく、２００℃以下の比較的低温で焼成しても、基板との密着性が良好な銀導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】銀導電膜の製造方法は、反応媒体および還元剤としてのアルコールまたはポリオール中において、第１の有機保護材の存在下で加熱して銀化合物を還元処理することにより、第１の有機保護材で被覆された銀粒子を析出させる工程と、生成した銀粒子を液状有機媒体中に分散させて銀粒子分散液を作製する工程と、作製した銀粒子分散液と第２の有機保護材を混合して、第１の有機保護材と第２の有機保護材からなる複合有機保護材で被覆された銀粒子を沈降させる工程と、複合有機保護材で被覆された銀粒子を有機媒体と混合して得られた銀塗料を基板に塗布した後に焼成して基板上に銀導電膜を形成する工程と、基板上に形成された銀導電膜を圧縮処理する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ｐ型窒化物半導体層を、マグネシウムおよび炭素を、それらマグネシウムと炭素の層中の濃度比が所定の濃度比になるようにドープすることによって形成することにより、ｐ型窒化物半導体層のＡｌ組成や残留する水素濃度にかかわらず、アニール後のマグネシウム活性化率を所定値以上とすることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）で表されるｐ型窒化物半導体層を複数層積層してなるｐ型積層体を有する窒化物半導体素子の製造方法であって、前記各ｐ型窒化物半導体層は、マグネシウムおよび炭素を、それらマグネシウムと炭素の層中の濃度比が所定の濃度比になるようにドープすることによって形成され、かつ、アニール後のマグネシウム活性化率が、所定値以上であることを特徴とする。 （もっと読む）