【課題】粉体を構成する粒子の観察において、レーザ顕微鏡の長所を損なうことなく、より見易く、情報量の多い像を得る方法を提供する。
【解決手段】観察対象である粒子を液体に浮遊させた状態とし、レーザ顕微鏡を用いて当該粒子を観察する。前記レーザ顕微鏡としては、走査型共焦点レーザ顕微鏡を用い、前記粒子は酸化鉄、酸化ケイ素などの磁性粉の粒子であり、前記所定の屈折率を有する液体は、当該屈折率が１以上、２以下の範囲にあるエタノール、トルエン、ジヨードメタン液などの液体である。 （もっと読む）

【課題】発する光の色調ムラを、光拡散材を一切使わないで低減することによって発光効率を従来よりも格段に向上させ、設備空間及び設備費用の軽減された発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】主発光波長が４１０ｎｍ以下である発光素子５の発光面を覆うように、この発光素子５からの光を吸収し、波長変換して発光する蛍光体２０（２５、２７）を含有する蛍光体層１０（１１、１２）をこの発光素子５の発光面上に１層以上積層した構成にする。さらに、この蛍光体層１０（１１、１２）を、最大厚さ及び最小厚さの差が蛍光体２０（２５、２７）の平均粒径以下であり、且つ前記蛍光体層１０（１１、１２）中の前記蛍光体２０（２５、２７）の占有率を５０％以上にする。 （もっと読む）

【課題】色調ムラを低減化し、演色性を向上させた発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置１が、発光素子５と、前記発光素子５からの光を吸収し、波長変換して発光する蛍光体２０を含有する蛍光体層１０と、を有するように構成する。また、前記蛍光体層１０を、前記蛍光体２０の平均粒径よりも薄く塗布された接着剤２１に前記蛍光体２０を配置した構成にすると共に、前記蛍光体層１０の厚さを前記蛍光体２０の平均粒径の５倍以下の厚さとし、前記蛍光体層１０中の前記蛍光体２０の占有率が５０％以上であるようにする。また、前記接着剤２１に配置する前記蛍光体２０の粒径を調整しておく。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】上面が（０００１）面のサファイア単結晶を下地基板とし、下地基板上面にクロム層を成膜した後、クロム層が形成された下地基板をＧａＮの結晶を成長させるための装置への移送し、窒素を含有した還元性ガス雰囲気で１０００℃以上の温度で加熱窒化処理を行うことにより、クロム窒化物（ＣｒＮ）膜を形成するが、このとき、窒化アルミニウムを含む中間層が、下地基板とクロム窒化物膜との間に形成される。次に、ＧａＮバッファ層を成膜した後、基板温度を１０４０℃まで昇温し、ＧａＮの結晶層を成長させることにより、上面のピット密度が、１０５／ｃｍ２以下であるＧａＮ単結晶基板が得られる。必要により、クロム窒化物膜の選択的エッチングし、ＧａＮの基板を下地基板から分離する。 （もっと読む）

【課題】ディーゼルエンジン排ガスのＰＭを低温で燃焼させることができ、かつＰＭ燃焼時の発熱による劣化の少ない（すなわち高い耐熱性を備えた）酸化触媒を提供する。
【解決手段】Ｃｅ、Ｂｉ、Ｒおよび酸素で構成され、Ｃｅ、Ｂｉ、Ｒのモル比をＣｅ：Ｂｉ：Ｒ＝（１−ｘ−ｙ）：ｘ：ｙとするとき、０＜ｘ≦０.４、および０＜ｙ＜１.０を満たす排ガス浄化触媒用複合酸化物。この複合酸化物は、蛍石型構造に対応するＸ線回折ピークを有する。また、前記ＲとしてＰｒ、Ｔｂの１種または２種を含有する複合酸化物が挙げられる。当該排ガス浄化触媒はＰＭ燃焼触媒として好適である。 （もっと読む）

【課題】窒化鉄系磁性粉末において「焼結防止」と「窒化促進」を両立させたものを安定して製造する技術を提供する。
【解決手段】Ｆｅ₁₆Ｎ₂相主体の粒子からなる平均粒子径２０ｎｍ以下の粉末において、ＴＡＰ密度が０.７５ｇ／ｃｍ³以下、かつＸ線回折パターンから算出される窒化率が７０〜１００％であることを特徴とする窒化鉄系磁性粉末。この窒化鉄系磁性粉末には、焼結防止剤として希土類元素（Ｙも希土類元素として扱う）がＦｅに対するモル比で４〜１５モル％含有される。上記の特性を有する窒化鉄系磁性粉末は、オキシ水酸化鉄（原料粉）を合成する工程で、オキシ水酸化鉄の成長過程に酸化剤として過酸化水素水を用い、かつ希土類元素を十分に添加する製法によって製造される。 （もっと読む）

【課題】煩雑で粒径分布コントロールも困難な逆ミセル法を経ることなく、既存の粉末原料を用いてε−Ｆｅ₂Ｏ₃結晶を生成させる手法を提供する。
【解決手段】オキシ水酸化鉄（α−ＦｅＯＯＨ）の粒子を水蒸気が混合された水素ガス雰囲気等の弱還元雰囲気下において３００〜６００℃の範囲の温度で熱処理することにより立方晶酸化鉄を生成させる熱処理工程Ａと、熱処理工程Ａで得られた粒子を大気等の酸化雰囲気下において７００〜１３００℃の範囲の温度で熱処理することにより立方晶酸化鉄からε−Ｆｅ₂Ｏ₃結晶を生成させる熱処理工程Ｂを有するε−Ｆｅ₂Ｏ₃結晶の製法が提供される。上記熱処理工程Ａと熱処理工程Ｂでは、いずれもＳｉ酸化物に覆われた状態の粒子に対して熱処理を施すことが望ましい。 （もっと読む）

【課題】発光出力及び応答特性が良く、かつ発光に必要な順方向電圧の上昇を抑制することができる発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子は、基板２上に、量子井戸層２１をバリア層２３，５２で挟んで積層させた量子井戸構造の活性層５を具備する発光素子であって、基板２の格子定数は、量子井戸層２１の格子定数と、少なくとも１つのバリア層５２の格子定数の間の値であることを特徴とする。活性層５は２以上の量子井戸層２１を有していてもよい。この場合、基板２の格子定数は、少なくとも一つの量子井戸層２１の格子定数と、少なくとも１つのバリア層５２の格子定数の間の値である。 （もっと読む）

【課題】窒素酸化物含有ガスに含有されている窒素酸化物を効率的に除去する。
【解決手段】窒素酸化物含有ガスＧ_１に処理液Ｆを接触させる前に、処理液ＦにＯ_２を混合させるようにした。処理液Ｆ及び窒素酸化物含有ガスＧ_１は、アルカリ剤を含有しないものとした。また、処理液ＦにＯ_２を混合させる際のＯ_２の流量は、Ｏ_２を混合した後の処理液の流量の５０体積％以下にした。Ｏ_２は、処理液Ｆに対して気泡状にして混合させた。処理液Ｆの温度は、０℃〜２５℃程度にした。なお、窒素酸化物含有ガスＧ_１に処理液Ｆを接触させた後、排液を回収し、処理液として再利用する構成にすると、濃硫酸を生成させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の製造コストを低減できる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の第１側面に係る半導体基板の製造方法は、Ｃｒで形成された下地基板を準備する準備工程と、前記下地基板の（１１０）面を窒化してクロム窒化物層の（１１１）面を形成させる窒化工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）