説明

DOWAエレクトロニクス株式会社により出願された特許

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【課題】ディーゼルエンジン排ガスのPMを低温で燃焼させることができ、かつ硫黄酸化物による被毒を受け難い酸化触媒を提供する。
【解決手段】Ce、Bi、M(但し、Mは、Mg、Ca、Sr、Baから選択される1種以上の元素である。)および酸素で構成され、Ce、Bi、Mのモル比をCe:Bi:M=(1−x−y):x:yとするとき、0<x≦0.4、および0<y≦0.4を満たす複合酸化物を製造した。当該複合酸化物はPM燃焼触媒として好適であり、硫黄酸化物による被毒を受け難いものであった。、 (もっと読む)


【課題】色調ムラを低減化し、演色性を向上させた発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置1が、発光素子5と、前記発光素子5からの光を吸収し、波長変換して発光する蛍光体20を含有する蛍光体層10と、を有するように構成する。また、前記蛍光体層10を、前記蛍光体20の平均粒径よりも薄く塗布された接着剤21に前記蛍光体20を配置した構成にすると共に、前記蛍光体層10の厚さを前記蛍光体20の平均粒径の5倍以下の厚さとし、前記蛍光体層10中の前記蛍光体20の占有率が50%以上であるようにする。また、前記接着剤21に配置する前記蛍光体20の粒径を調整しておく。 (もっと読む)


【課題】発する光の色調ムラを、光拡散材を一切使わないで低減することによって発光効率を従来よりも格段に向上させ、設備空間及び設備費用の軽減された発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】主発光波長が410nm以下である発光素子5の発光面を覆うように、この発光素子5からの光を吸収し、波長変換して発光する蛍光体20(25、27)を含有する蛍光体層10(11、12)をこの発光素子5の発光面上に1層以上積層した構成にする。さらに、この蛍光体層10(11、12)を、最大厚さ及び最小厚さの差が蛍光体20(25、27)の平均粒径以下であり、且つ前記蛍光体層10(11、12)中の前記蛍光体20(25、27)の占有率を50%以上にする。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】上面が(0001)面のサファイア単結晶を下地基板とし、下地基板上面にクロム層を成膜した後、クロム層が形成された下地基板をGaNの結晶を成長させるための装置への移送し、窒素を含有した還元性ガス雰囲気で1000℃以上の温度で加熱窒化処理を行うことにより、クロム窒化物(CrN)膜を形成するが、このとき、窒化アルミニウムを含む中間層が、下地基板とクロム窒化物膜との間に形成される。次に、GaNバッファ層を成膜した後、基板温度を1040℃まで昇温し、GaNの結晶層を成長させることにより、上面のピット密度が、105/cm2以下であるGaN単結晶基板が得られる。必要により、クロム窒化物膜の選択的エッチングし、GaNの基板を下地基板から分離する。 (もっと読む)


【課題】ディーゼルエンジン排ガスのPMを低温で燃焼させることができ、かつPM燃焼時の発熱による劣化の少ない(すなわち高い耐熱性を備えた)酸化触媒を提供する。
【解決手段】Ce、Bi、Rおよび酸素で構成され、Ce、Bi、Rのモル比をCe:Bi:R=(1−x−y):x:yとするとき、0<x≦0.4、および0<y<1.0を満たす排ガス浄化触媒用複合酸化物。この複合酸化物は、蛍石型構造に対応するX線回折ピークを有する。また、前記RとしてPr、Tbの1種または2種を含有する複合酸化物が挙げられる。当該排ガス浄化触媒はPM燃焼触媒として好適である。 (もっと読む)


【課題】発光出力及び応答特性が良く、かつ発光に必要な順方向電圧の上昇を抑制することができる発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子は、基板2上に、量子井戸層21をバリア層23,52で挟んで積層させた量子井戸構造の活性層5を具備する発光素子であって、基板2の格子定数は、量子井戸層21の格子定数と、少なくとも1つのバリア層52の格子定数の間の値であることを特徴とする。活性層5は2以上の量子井戸層21を有していてもよい。この場合、基板2の格子定数は、少なくとも一つの量子井戸層21の格子定数と、少なくとも1つのバリア層52の格子定数の間の値である。 (もっと読む)


【課題】窒素酸化物含有ガスに含有されている窒素酸化物を効率的に除去する。
【解決手段】窒素酸化物含有ガスGに処理液Fを接触させる前に、処理液FにOを混合させるようにした。処理液F及び窒素酸化物含有ガスGは、アルカリ剤を含有しないものとした。また、処理液FにOを混合させる際のOの流量は、Oを混合した後の処理液の流量の50体積%以下にした。Oは、処理液Fに対して気泡状にして混合させた。処理液Fの温度は、0℃〜25℃程度にした。なお、窒素酸化物含有ガスGに処理液Fを接触させた後、排液を回収し、処理液として再利用する構成にすると、濃硫酸を生成させることができる。 (もっと読む)


【課題】窒化鉄系磁性粉末において「焼結防止」と「窒化促進」を両立させたものを安定して製造する技術を提供する。
【解決手段】Fe162相主体の粒子からなる平均粒子径20nm以下の粉末において、TAP密度が0.75g/cm3以下、かつX線回折パターンから算出される窒化率が70〜100%であることを特徴とする窒化鉄系磁性粉末。この窒化鉄系磁性粉末には、焼結防止剤として希土類元素(Yも希土類元素として扱う)がFeに対するモル比で4〜15モル%含有される。上記の特性を有する窒化鉄系磁性粉末は、オキシ水酸化鉄(原料粉)を合成する工程で、オキシ水酸化鉄の成長過程に酸化剤として過酸化水素水を用い、かつ希土類元素を十分に添加する製法によって製造される。 (もっと読む)


【課題】煩雑で粒径分布コントロールも困難な逆ミセル法を経ることなく、既存の粉末原料を用いてε−Fe23結晶を生成させる手法を提供する。
【解決手段】オキシ水酸化鉄(α−FeOOH)の粒子を水蒸気が混合された水素ガス雰囲気等の弱還元雰囲気下において300〜600℃の範囲の温度で熱処理することにより立方晶酸化鉄を生成させる熱処理工程Aと、熱処理工程Aで得られた粒子を大気等の酸化雰囲気下において700〜1300℃の範囲の温度で熱処理することにより立方晶酸化鉄からε−Fe23結晶を生成させる熱処理工程Bを有するε−Fe23結晶の製法が提供される。上記熱処理工程Aと熱処理工程Bでは、いずれもSi酸化物に覆われた状態の粒子に対して熱処理を施すことが望ましい。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる半導体基板の製造方法及び半導体基板を提供する。
【解決手段】本発明の第1側面に係る半導体基板の製造方法は、下地基板の上にクロム層を7nm以上45nm未満の平均層厚で成膜するクロム層成膜工程と、前記クロム層を1000℃以上の温度で窒化してクロム窒化物膜にする窒化工程とを備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


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