説明

DOWAエレクトロニクス株式会社により出願された特許

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【課題】青色の範囲(ピーク波長が400nm〜500nm)にブロードな発光スペクトルを持ち、また、近紫外・紫外の範囲に広く平坦な励起帯を持つ、発光効率及び発光強度・輝度に優れた蛍光体を提供する。
【解決手段】一般式MmAaBbOoNn:Z(但し、M元素はII価の価数をとる1種類以上の元素であり、A元素はIII価の価数をとる1種類以上の元素であり、B元素はIV価の価数をとる1種類以上の元素であり、Oは酸素であり、Nは窒素であり、Zは1種類以上の付活剤であり、m>0、a>0、b>0、o≧0、n>0である。)で表記され、
粒子表面から深さ2000nmまでの範囲において、総原子数に対するB元素原子の割合の変化率が10%より少なく、または/及び総原子数に対する酸素原子の割合の変化率が40%より少ないことを特徴とする蛍光体である。 (もっと読む)


【課題】半導体基板の製造コストを低減できる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の第1側面に係る半導体基板の製造方法は、Crで形成された下地基板を準備する準備工程と、前記下地基板の(110)面を窒化してクロム窒化物層の(111)面を形成させる窒化工程とを備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる半導体基板の製造方法及び半導体基板を提供する。
【解決手段】本発明の第1側面に係る半導体基板の製造方法は、下地基板の上にクロム層を7nm以上45nm未満の平均層厚で成膜するクロム層成膜工程と、前記クロム層を1000℃以上の温度で窒化してクロム窒化物膜にする窒化工程とを備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物半導体の結晶層の転位密度を低減できる構造体を提供する。
【解決手段】下地基板と、前記下地基板の上に形成され、三角錐形状の複数の微結晶部を有するクロム窒化物膜とを備え、前記クロム窒化物膜の三角錐形状の微結晶部は、1辺の長さが10nm以上300nm以下であり、(111)面を底面とし、{100}面群を他のファセット面とする構造体であって、前記クロム窒化物膜の各前記微結晶部を成長核に、前記{100}面群のそれぞれからIII族窒化物半導体が横方向成長して形成される。 (もっと読む)


【課題】銀粒子粉末分散液による電極や回路の形成に際して、300℃以下の低温焼成で、ガラス基板やポリイミド基板等に対する密着性の改善と、低抵抗化の両立を図る。
【解決手段】1分子中に1個以上の不飽和結合を有する分子量100〜1000のアミン化合物からなる有機保護層を銀粒子表面に有し、TEM観察により測定される平均粒子径DTEMが50nm以下である銀粒子粉末Aと、分子量100〜1000の脂肪酸および分子量100〜1000のアミン化合物からなり、前記脂肪酸およびアミン化合物の少なくとも一方は1分子中に1個以上の不飽和結合を有する化合物である有機保護層を銀粒子表面に有し、平均粒子径DTEMが50nm以下である銀粒子粉末Bが、銀の質量比で例えばA:B=3:1〜1:3の割合で混合された銀粒子複合粉末。 (もっと読む)


【課題】銀粒子粉末分散液による電極や回路の形成に際して、シランカップリング剤や熱硬化性樹脂を加えることなく、300℃以下の低温焼成で、ガラス基板やポリイミドフィルム基板等に対する密着性の改善を図る。
【解決手段】有機保護膜を有する銀粒子の粉末であって、TEM(透過型電子顕微鏡)観察により測定される粒子径を用いて下記(1)式により算出されるCV値が40%以上となるブロードな粒度分布をもつ銀粒子粉末。この有機保護膜は、例えば分子量100〜1000の脂肪酸(オレイン酸など)および分子量100〜1000のアミン化合物で構成され、前記脂肪酸およびアミン化合物のうち少なくとも一方は1分子中に不飽和結合を1個以上有するものである。
CV値=100×[粒子径の標準偏差σD]/[平均粒子径DTEM] ……(1) (もっと読む)


【課題】ε−Fe23結晶の極めて高い保磁力Hcを磁気記録媒体等の種々の磁性用途で使用可能な範囲に調整可能な実用的価値の高い磁性材料を提供する。
【解決手段】 ε−Fe23結晶と空間群が同じであり、かつε−Fe23結晶のFeサイトの一部がAlで置換された構造の結晶を主相にもつ鉄酸化物相を有し、その鉄酸化物相におけるAlとFeのモル比をAl:Fe=x:(2−x)と表すとき、0<x<1を満たす磁性粉体。前記xは例えば0.3〜0.7の範囲とすることができる。この粉体のTEM写真から求まる平均粒子径は5〜200nm、好ましくは10〜100nmである。この磁性粉体は、逆ミセル法とゾル−ゲル法を組み合わせた手法により製造できる。 (もっと読む)


【課題】基材上にエピタキシャル形成されたAlN系III族窒化物結晶の転位の低減を容易に実現する方法を提供する。
【解決手段】酸化物単結晶の基材1とその主面上にエピタキシャル形成されたAlN系III族窒化物結晶膜からなる上部層2とで構成された、エピタキシャル基板10を加熱処理することで、基材1側からのO原子の拡散を生じさせ、加熱処理前には基材側に偏在している上部層2のO原子の分布を均一化させる。この拡散によるO原子の移動は、転位を移動させ、さらにはその合体消失を生じさせる。これにより、III族窒化物結晶内の転位密度を加熱処理前の1/10以下とすることができる。酸素元素ガス含有雰囲気下で加熱した場合には、O原子の拡散が基板表面側からも生じるので、転位の合体消失をより促進させることができる。 (もっと読む)


【課題】窒化鉄系磁性粉末において、優れた磁気特性を維持しながら、磁気特性の経時劣化に対する抵抗力(耐候性)を顕著に改善したものを提供する。
【解決手段】Fe162相主体のコアを持ち、コアの外側に窒化鉄が還元されて生じた金属Fe相に由来する酸化物相を有する平均粒子径20nm以下の磁性粒子からなり、耐候性指標Δσsが飽和磁化σsとの関係において、Δσs≦0.8×σs−30を満たす窒化鉄系磁性粉末。ここで、Δσs=(σs−σs1)/σs×100、(ただしσs1は当該磁性粉末を60℃、90%RHの雰囲気に1週間保持したのちの飽和磁化)である。この粉末は、Fe162相主体の粉末粒子を還元性ガスに曝して粒子の表面から一部領域を金属Fe相とし(徐還元処理)、その後、酸化性ガスに曝して前記金属Fe相の表面から一部領域を酸化物相とする(徐酸化処理)ことにより得ることができる。 (もっと読む)


【課題】重層塗布型磁気記録媒体において、非磁性層(下層)の表面平滑性を良好に維持しながら、その塗膜強度を顕著に向上させることのできる非磁性粉末を提供する。
【解決手段】表面官能基数が7.5×1018個/m2以上である重層塗布型磁気記録媒体用オキシ水酸化鉄粉末。特に、粒子表面に希土類元素(Sc、Yも希土類元素として扱う)を有するものが挙げられ、透過型電子顕微鏡写真より計測される平均長軸長が10〜200nm、BET法による比表面積が30〜200m2/gであるものが好適な対象となる。このようなオキシ水酸化鉄粉末は、粒子表面に希土類元素(Sc、Yも希土類元素として扱う)を被着させる表面処理を行うことによって得ることができる。 (もっと読む)


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