説明

DOWAエレクトロニクス株式会社により出願された特許

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【課題】高磁気特性を有するのみならず高い強度をも有するフェライト粒子を提供する。
【解決手段】組成式MnFe3−X(但し、0≦X<1)で表される材料を主成分とし、Si元素とAl元素とを含有するフェライト粒子であって、エネルギー分散型X線分析によるFe元素に対するSi元素のピーク強度比が1.0×10−3〜1.5×10−1の範囲で、Fe元素に対するAl元素のピーク強度比が8.0×10−4〜6.0×10−3の範囲であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】帯電性能が高く、特性が良好な電子写真現像剤用キャリア芯材を製造することができる電子写真現像剤用キャリア芯材の製造方法を提供する。
【解決手段】電子写真現像剤用キャリア芯材の製造方法は、鉄、マンガン、およびカルシウムをコア組成として含む電子写真現像剤用キャリア芯材の製造方法であって、鉄を含む原料、マンガンを含む原料、およびカルシウムを含む原料を混合する混合工程(A)と、混合工程の後に、混合した混合物の造粒を行う造粒工程(C)と、造粒工程により造粒した粉状物を所定の温度で焼成して磁性相を形成する焼成工程(D)とを備える。ここで、カルシウムを含む原料は、粒状であって、その一次粒子の体積平均粒径は、1μm以下である。 (もっと読む)


【課題】還元剤を共存させない場合でも、大気中にて低い温度で加熱することにより酸化銀が還元して銀を生成する、導電性ペースト用フィラーに適した微細酸化銀粉末を得る。さらには、有機溶媒等を用いた湿式粉砕処理工程を不要とする低コストの製造方法を提供する。
【解決手段】pHを12程度に調整した水溶液中に、銀塩を6mol/リットル以下で含む水溶液と、この銀塩に対し1mol当量以上のアルカリを含む水溶液とを同時投入して反応を行い、酸化銀微粒子を析出させる。この酸化銀微粒子を水に懸濁させた酸化銀粒子含有スラリー中に高分子有機物を、銀に対して0.1〜2.5質量%添加してこの有機物を酸化銀粒子に被覆させることにより、大気中で80℃以上150℃未満の温度で銀に還元する酸化銀粉末を得る。 (もっと読む)


【課題】有機溶媒を用いず、湿式熱処理を要せずに、導電性フィラーとして一層高い導電性を発揮する銀被覆フレーク銅粉を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】銅粉を銀の錯体溶液と接触させて表面を銀で被覆し、次いで得られた粉体粒子にアスペクト比が3以上となる扁平化処理を施し、その後に銀の錯体溶液と接触させて表面を銀で被覆する銀被覆フレーク銅粉の製造方法である。その際に、扁平化処理時および/または最終製品にパルミチン酸などの表面処理剤を添加すること、銅粉粒子およびこの銅粉粒子を銀で被覆した粉体粒子の形状は球状であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】ケミカルリフトオフ時に化合物半導体層の内部応力による化合物半導体層の割れが生じない発光素子と発光素子および半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子の製造方法は、成長基板上の一部に、リフトオフ層を介して、半導体層からなる素子領域を形成する素子領域形成工程と、ケミカルリフトオフ工程において除去されない材料で構成された犠牲部を、成長基板上の素子領域の周囲に形成する犠牲部形成工程と、成長基板及び半導体層を覆い、素子領域から離れた領域におけるその表面の高さが発光層表面よりも低くなるように、被覆層を形成する被覆工程と、半導体層上における被覆層と犠牲部表面における被覆層とを除去する窓形成工程と、被覆層表面及び半導体層表面に反射層を形成する反射層形成工程と、反射層上にめっきを施すことによって支持部を形成するめっき工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】高帯電性と高強度と備えたフェライト粒子を提供する。
【解決手段】組成式(MFe3−X)O(ただし、MはFe,Mg,Mn,Ti,Cu,Zn,Sr,Niからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属元素、0≦X<1)で表される材料を主成分とし、Ca元素とP元素とを含有させる。そして、Ca元素の含有量をP元素の含有量に対して重量比で0.45〜1.0の範囲とする。ここで、高帯電性と高強度とを一層向上させる観点からは、Ca元素及びP元素の総含有量を5000ppm以下の範囲とするのが好ましい。また、Ca元素とP元素とは主として同一箇所に存在しているのが好ましい。そしてまた、Ca元素とP元素とは主として結晶粒界に存在しているのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物半導体の転位密度の更なる低減と同時に、自立基板製造時および半導体素子製造時のケミカルリフトオフ所要時間の大幅な短縮が可能なIII族窒化物半導体を提供する。
【解決手段】基板上にAlN単結晶層またはAlを含むIII族窒化物単結晶層を0.005μm以上10μm以下の厚みで形成したAlNテンプレート基板又はサファイア基板を窒化処理したAlNテンプレート基板、もしくはAlN単結晶基板上に、ストライプ状の開口部を有するパターンマスクと、前記開口部に形成された金属窒化物層と、前記金属窒化物層上に形成されたIII族窒化物半導体層を有し、前記III族窒化物半導体層は前記金属窒化物層を核としたELO成長による連続膜である、III族窒化物半導体。 (もっと読む)


【課題】導電膜の形成に用いられる樹脂硬化型導電性ペーストに配合される銀粉表面に被覆される多価カルボン酸、特にアジピン酸を効率的に定量することが可能な銀粉表面のアジピン酸の定量方法を提供する。
【解決手段】銀粉に被覆された銀粉表面のアジピン酸の定量方法であって、アジピン酸が被覆された銀粉からアジピン酸を溶出させる塩酸溶出工程と、アジピン酸が溶出された塩酸溶出液においてアジピン酸をエステル化するエステル化工程と、を備えるアジピン酸の定量方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】求められる要求に応じた銀粒子含有組成物を容易に得ることができる銀粒子含有組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】この発明に係る銀粒子含有組成物の製造方法は、表面を脂肪酸で被覆した銀粒子含有組成物の製造方法であって、表面を炭素原子数が3〜7である第一の脂肪酸(a)で被覆した銀粒子、炭素原子数が2〜20である第二の脂肪酸(b)、および第一および第二の脂肪酸をそれぞれ分散可能な溶媒を準備する工程(A)と、溶媒中に第一の脂肪酸(a)で被覆した銀粒子および第二の脂肪酸(b)を添加する工程(B)と、添加する工程の後に、銀粒子の表面を被覆する第一の脂肪酸(a)を第二の脂肪酸(b)に置換する工程(C)とを備える。 (もっと読む)


【課題】長期間の使用によっても割れや欠けが生じ難く耐久性に優れた焼結粒子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属鉄とFeとを主成分とし、空隙率を5%以下とする。ここで、焼結粒子の機械的強度を一層向上させる観点からは、粉末X線回折によるFeの最大ピーク値(I)と金属鉄の最大ピーク値(I)の比(I/I)を0.05〜0.70の範囲とするのが好ましい。また、BET法による比表面積を0.09m/g以下、かつ真比重を4.95g/cm以上とするのが好ましい。さらには、飽和磁化を70A・m/kg〜120A・m/kgの範囲とするのが好ましい。 (もっと読む)


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