説明

DOWAエレクトロニクス株式会社により出願された特許

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【課題】優れた導電性を有する導電膜を形成することができるフレーク状銀粉及びフレーク状銀粉の製造方法、並びに導電性ペーストの提供。
【解決手段】フレーク状銀粉であって、次式(1)、A×A×B>50を満たすフレーク状銀粉である。ただし、前記式(1)中、Aは、フレーク状銀粉のレーザー回折散乱式粒度分布測定法による平均粒径(単位:μm)、Bは、フレーク状銀粉のBET比表面積(単位:m/g)を表す。平均粒径が1μm〜15μmの銀粉を、溶媒及び直径0.1mm〜3mmのボールにより伸展させて、銀粉の平均粒径が最大又は最大値を経過するまでフレーク化処理するフレーク状銀粉の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】単分散した微粒子で、粒度分布がシャープで、粗粒を含まない球状の銅微粒子であり、電気的特性への悪影響を回避しながら、電極の薄膜化を可能にする導電性ペースト用銅粉およびそのような導電性ペースト用銅粉を安定して製造することができる方法を提供する。
【解決手段】銅を含む水溶液に、空気を吹き込みながら、錯化剤を添加して銅を錯体化させた後、空気の吹き込みを停止し、還元剤を添加して銅粒子を還元析出させる。 (もっと読む)


【課題】電気的特性および磁気的特性が良好であり、環境依存性が小さい電子写真現像剤用キャリア芯材を提供する。
【解決手段】電子写真現像剤用キャリア芯材は、一般式:(MnMgCa)Fe4+V(x+y+z+w=3、−0.003<v)で表されるコア組成を主成分として有し、0.05≦y≦0.35、かつ、0.005≦z≦0.024の関係を有する。 (もっと読む)


【課題】反応ガス下で基板を回転させる横型MOCVD炉を用いて結晶性が高く、かつ、面内のAl組成分布が均一な化合物半導体ウェハを得る。
【解決手段】公転速度を高めることにより、膜厚方向における組成(x値)の均一性を高めることができることは明らかであるが、これにより、成長層(AlGaN)の結晶性は充分とはならない。これに対して、本実施の形態のエピタキシャル成長方法では、膜厚方向における組成の均一性が最適とならない条件で公転を行い、成長層の結晶性を向上させる。実状態の速度比(成長温度(基板温度)における反応ガス流束と基板の交播速度との比)が172.0より大きく859.8以下となる場合、かつ1回転当たりの成長原子層数が10層以上である場合に特に良好な結果(高い結晶性、高いキャリア濃度)が得られる。 (もっと読む)


【課題】高磁気特性を有するのみならず高い強度をも有するフェライト粒子を提供する。
【解決手段】組成式MFe3−X(但し、MはMg,Mn,Ca,Ti,Cu,Zn,Sr,Niからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属、0≦X<3)で表される材料を主成分とし、ZrOを0.25mol%〜1mol%含有させる。ここで、フェライト粒子の強度の向上を効果的に図る観点からは、ZrOの平均粒径は0.5μm〜4.0μmの範囲であるのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】結晶層の結晶性や均一性を向上させることができるIII族窒化物半導体素子製造用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】成長用下地基板10上に、クロム層20を形成する成膜工程と、該クロム層20を、所定の条件で窒化することによりクロム窒化物層30とする窒化工程と、該クロム窒化物層30上に、バッファ層40を介して、少なくとも1層のIII族窒化物半導体層50をエピタキシャル成長させる結晶層成長工程とを具えるIII族窒化物半導体素子製造用基板90の製造方法であって、前記クロム層20は、スパッタリング法により、スパッタリング粒子飛程領域における成膜速度が7〜65Å/秒の範囲で、厚さが50〜300Åの範囲となるよう成膜され、前記クロム窒化物層30は、炉内圧力6.666kPa以上66.66kPa以下の、温度1000℃以上のMOCVD成長炉内において、アンモニアガスを含むガス雰囲気中で形成される。 (もっと読む)


【課題】高抵抗化と高磁気特性を有するのみならず高帯電性をも有するフェライト粒子を提供する。
【解決手段】組成式MFe3−X(但し、MはMn,Mg,Ti,Cu,Zn,Niからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属、0≦X≦1)で表される材料を主成分とすると共にアルカリ土類金属元素を含有させる。そして、前記アルカリ土類金属元素が、マグネトプランバイト型結晶構造をとらず、スピネル型結晶構造に固溶するようにする。ここで、前記アルカリ土類金属元素としてはSr及びBaの少なくとも一方が好ましく、Srがより好ましい。前記アルカリ土類金属元素の含有量としては3mol%以下であるのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】電気的特性および磁気的特性が良好な再生キャリアの製造方法を提供する。
【解決手段】再生キャリアの製造方法は、回収された使用済みの現像剤からキャリア成分を分離する工程(A)と、得られたキャリア成分を粉砕する粉砕工程(C)と、粉砕工程により得られたキャリア成分の粉砕物と新規な原料とを混合して(D)造粒を行う造粒工程(E)と、造粒工程により造粒した粒状物を焼成して磁性相を形成する焼成工程(H)と、焼成工程の後に、得られたキャリア芯材の表面に樹脂を被覆する樹脂被覆工程(K)とを含む。 (もっと読む)


【課題】導電膜の導電性の向上、即ち導電膜の抵抗の低減を実現できるフレーク状銀粉とその製造方法を提供し、更に、フレーク状銀粉を含む樹脂硬化型導電性ペーストおよび導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】フレーク状銀粉材料に対して、多価カルボン酸を0.01〜0.7質量%被覆させたことを特徴とする、フレーク状銀粉が提供される。このフレーク状銀粉は樹脂硬化型導電性ペーストに配合される。本発明によれば、導電膜の導電性の向上、即ち導電膜の抵抗の低減を実現できる。 (もっと読む)


【課題】安価に製造することができる再生キャリアの製造方法を提供する。
【解決手段】所定の期間使用された使用済みの現像剤から、使用できるキャリアを再生する再生キャリアの製造方法であって、使用済みの現像剤からキャリア成分を分離する工程(A)と、不活性ガスの雰囲気下で、分離されたキャリア成分を1000℃〜1250℃の温度範囲内で熱処理を行う熱処理工程(B)と、熱処理工程の後に、得られたキャリア芯材成分の表面に樹脂を被覆する樹脂被覆工程(C)とを含む。 (もっと読む)


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