説明

DOWAエレクトロニクス株式会社により出願された特許

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【課題】焼成温度を1000℃以下にしても粒子を十分に焼成することができ、長期間にわたってトナーと混合および攪拌されてもキャリア粒子の割れや欠けを抑制することができ、長期間にわたって安定した画像特性を得ることができる、電子写真現像剤用キャリア芯材を安価に製造する。
【解決手段】三酸化二鉄粉末と、炭酸リチウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、炭酸ストロンチウムなどの炭酸塩と、還元剤との混合物を顆粒化した後、酸素濃度1.0×10−4ppm以下の低酸素雰囲気において1000℃以下の温度で熱処理する。 (もっと読む)


【課題】残留塩素量が従来よりさらに低減されたITO粉末の製造方法およびITO粉末を提供する。
【解決手段】スズ原料として塩化スズを用いたインジウムとスズの酸性溶液とアルカリ溶液を混合することにより生成したインジウムとスズの共沈水酸化物を洗浄、乾燥し、焼成することによってスズドープ酸化インジウム粉末を製造する方法において、洗浄、乾燥後の前記共沈水酸化物をpH=9〜12のアンモニア水で洗浄したのち水洗、乾燥して加熱処理を行うことを特徴とする、スズドープ酸化インジウム粉末の製造方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板上にIII族窒化物半導体をヘテロエピタキシャル成長させた場合に、オリフラ近傍からIII族窒化物半導体層中に発生する端部クラックを低減する。
【解決手段】<111>方向を回転軸として、<110>方向を左回りに30°、90°、150°のいずれかの角度φだけ回転させた方向にオリフラを有する(111)面を主面とするシリコン基板をヘテロエピタキシャル成長用基板として使用し、III族窒化物半導体からなるバッファ層を形成する。 (もっと読む)


【課題】単純な配線構造を使用でき、高い発光効率をもった半導体素子を得る。
【解決手段】CrN層13上に、n型層21、p型層22を順次成膜する(図1(c))。成長基板11表面に達する深さをもつ分離溝30を形成する(図1(d))。p型層22の全面に、p側電極41、第1の導電性接合層42を順次形成する(図1(e))。支持基板50の一方の主面上に、第2の導電性接合層51を形成する(図1(f))。第2の導電性接合層51と第1の導電性接合層42とが直接接するようにして、高温で加圧接合する(図1(g))。次に、接合後の状態において、化学的処理によってバッファ層12とCrN層13を除去する(図1(h))。第1の積層体25におけるn型層21上の一部に、n側電極61を形成する(図1(j))。最後に、第2の積層体26全体を覆って第2の導電性接合層51上の一部にp側パッド電極62を形成する(図1(k))。 (もっと読む)


【課題】ラテラル構造およびフリップチップ構造の問題を解決し、さらに発光層で発生した紫外光のうち、裏面に向かう光を効率的に反射して表面からの発光量を増大させることができるバーチカル型III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のバーチカル型III族窒化物半導体発光素子100は、p側電極層111と、導電性サポート部109と、接続層108と、反射電極層107と、p型半導体積層体105、発光層104およびn型半導体積層体103からなるIII族窒化物半導体積層体と、n側電極層110とを順に具え、前記反射電極層107は、前記p型半導体積層体105に直接接合するロジウム、ロジウム含有合金、ルテニウム、ルテニウム含有合金のいずれかからなり、発光波長が200〜495nmの範囲であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】キャリア濃度および発光出力を向上させたp型AlGaN層およびIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明は、マグネシウムをドープしたp型AlGa1−xN層であって、アルミニウム組成比xが0.23以上0.3未満の範囲であり、かつキャリア濃度が5×1017/cm3以上であるか、アルミニウム組成比xが0.3以上0.4未満の範囲であり、かつキャリア濃度が3.5×1017/cm3以上であるか、または、アルミニウム組成比xが0.4以上0.5未満の範囲であり、かつキャリア濃度が2.5×1017/cm3以上であることを特徴とするp型AlGaN層である。 (もっと読む)


【課題】高い帯電性を有するフェライト粒子を提供すること。
【解決手段】一般式MgFe3−X(但し、0≦X<1)で表わされる材料を主成分とし、炭素を15ppm以下含有させる。そして、フェライト粒子を電子写真現像用キャリアとして用いる場合には、フェライト粒子の表面を樹脂で被覆するのが好ましい。また、この電子写真現像用キャリアとトナーとを混合して電子写真用現像剤とする場合、使用するトナーとしては正帯電性を有するものが好ましい。 (もっと読む)


【課題】キャリア濃度および発光出力を向上させたp型AlGaN層およびその製造方法ならびにIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】III族原料ガスをIII族原料ガス流量A(0≦A)で供給するとともに、V族原料ガスをV族原料ガス流量B(0<B)で、かつマグネシウムを含むガスをMg含有ガス流量C(0<C)で供給する第1工程と、III族原料ガスをIII族原料ガス流量A(0<A)で供給するとともに、V族原料ガスをV族原料ガス流量B(0<B)で、かつマグネシウムを含むガスをMg含有ガス流量C(0<C)で供給する第2工程とを複数回繰り返すことによりp型AlGa1−xN層(0≦x<1)を形成し、前記III族原料ガス流量Aはp型AlGa1−xN層を層成長させない流量であって、A≦0.5Aであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】従来の方法によって得られる樹脂硬化型導電性ペーストを用いて形成される導電膜より、導電性の優れた導電膜の形成方法、そのような導電膜を得るための樹脂硬化型導電性ペースト、該樹脂硬化型導電性ペーストに配合される粒状銀粉およびその製造方法を得る。
【解決手段】多価カルボン酸を材料銀粉に対して0.01質量%〜0.5質量%被覆させた、粒状銀粉が提供される。該粒状銀粉は樹脂硬化型導電性ペーストに配合される。 (もっと読む)


【課題】発光強度の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 発光層を挟んで第1導電型層、第2導電型層が設けられた積層構造を有し、前記第2導電層が、前記第1導電型層の露出部を形成する溝構造により、大小2部分に分断されており、当該分断された大きい方の第2導電型層上に第2導電型の電極パッドを有し、当該分断された小さい方の第2導電型層上に第1導電型の電極パッドを有し、当該第1導電型の電極パッドは、当該第1導電型の電極パッドを起点とし、前記露出した第1導電型へ互いに独立してコンタクトする2本以上の導電配線により、前記第1導電型層の露出部に設けられた互いに独立した2箇所以上と、それぞれ電気的にコンタクトしている発光素子を提供する。 (もっと読む)


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