【課題】簡単な方法で太陽電池の変換効率を向上させることができる、太陽電池の電極形成用の導電性ペーストに配合される銀粉及びその製造方法を提供する。
【解決手段】脂肪酸マグネシウム塩および脂肪酸カルシウム塩の中から選択される１種以上の金属石鹸で被覆された銀粉であって、上記金属石鹸の重量が銀粉重量に対して０．１重量％以上５重量％以下である。銀粉と、脂肪酸マグネシウム塩および脂肪酸カルシウム塩の中から選択される１種以上の金属石鹸とを混合および解砕することにより、金属石鹸で被覆された銀粉を製造する。 （もっと読む）

【課題】残留塩素量が従来よりさらに低減されたＩＴＯ粉末の製造方法およびＩＴＯ粉末を提供する。
【解決手段】スズ原料として塩化スズを用いたインジウムとスズの酸性溶液とアルカリ溶液を混合することにより生成したインジウムとスズの共沈水酸化物を洗浄、乾燥し、焼成することによってスズドープ酸化インジウム粉末を製造する方法において、洗浄、乾燥後の前記共沈水酸化物をｐＨ＝９〜１２のアンモニア水で洗浄したのち水洗、乾燥して加熱処理を行うことを特徴とする、スズドープ酸化インジウム粉末の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上にＩＩＩ族窒化物半導体をヘテロエピタキシャル成長させた場合に、オリフラ近傍からＩＩＩ族窒化物半導体層中に発生する端部クラックを低減する。
【解決手段】＜１１１＞方向を回転軸として、＜１１０＞方向を左回りに３０°、９０°、１５０°のいずれかの角度φだけ回転させた方向にオリフラを有する（１１１）面を主面とするシリコン基板をヘテロエピタキシャル成長用基板として使用し、ＩＩＩ族窒化物半導体からなるバッファ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】単純な配線構造を使用でき、高い発光効率をもった半導体素子を得る。
【解決手段】ＣｒＮ層１３上に、ｎ型層２１、ｐ型層２２を順次成膜する（図１（ｃ））。成長基板１１表面に達する深さをもつ分離溝３０を形成する（図１（ｄ））。ｐ型層２２の全面に、ｐ側電極４１、第１の導電性接合層４２を順次形成する（図１（ｅ））。支持基板５０の一方の主面上に、第２の導電性接合層５１を形成する（図１（ｆ））。第２の導電性接合層５１と第１の導電性接合層４２とが直接接するようにして、高温で加圧接合する（図１（ｇ））。次に、接合後の状態において、化学的処理によってバッファ層１２とＣｒＮ層１３を除去する（図１（ｈ））。第１の積層体２５におけるｎ型層２１上の一部に、ｎ側電極６１を形成する（図１（ｊ））。最後に、第２の積層体２６全体を覆って第２の導電性接合層５１上の一部にｐ側パッド電極６２を形成する（図１（ｋ））。 （もっと読む）

【課題】キャリア濃度および発光出力を向上させたｐ型ＡｌＧａＮ層およびIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明は、マグネシウムをドープしたｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層であって、アルミニウム組成比ｘが０．２３以上０．３未満の範囲であり、かつキャリア濃度が５×10¹⁷／cm³以上であるか、アルミニウム組成比ｘが０．３以上０．４未満の範囲であり、かつキャリア濃度が３．５×10¹⁷／cm³以上であるか、または、アルミニウム組成比ｘが０．４以上０．５未満の範囲であり、かつキャリア濃度が２．５×10¹⁷／cm³以上であることを特徴とするｐ型ＡｌＧａＮ層である。 （もっと読む）

【課題】高い帯電性を有するフェライト粒子を提供すること。
【解決手段】一般式Ｍｇ_ＸＦｅ_３−ＸＯ_４（但し、０≦Ｘ＜１）で表わされる材料を主成分とし、炭素を１５ｐｐｍ以下含有させる。そして、フェライト粒子を電子写真現像用キャリアとして用いる場合には、フェライト粒子の表面を樹脂で被覆するのが好ましい。また、この電子写真現像用キャリアとトナーとを混合して電子写真用現像剤とする場合、使用するトナーとしては正帯電性を有するものが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ラテラル構造およびフリップチップ構造の問題を解決し、さらに発光層で発生した紫外光のうち、裏面に向かう光を効率的に反射して表面からの発光量を増大させることができるバーチカル型III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のバーチカル型III族窒化物半導体発光素子１００は、ｐ側電極層１１１と、導電性サポート部１０９と、接続層１０８と、反射電極層１０７と、ｐ型半導体積層体１０５、発光層１０４およびｎ型半導体積層体１０３からなるIII族窒化物半導体積層体と、ｎ側電極層１１０とを順に具え、前記反射電極層１０７は、前記ｐ型半導体積層体１０５に直接接合するロジウム、ロジウム含有合金、ルテニウム、ルテニウム含有合金のいずれかからなり、発光波長が２００〜４９５ｎｍの範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の方法によって得られる樹脂硬化型導電性ペーストを用いて形成される導電膜より、導電性の優れた導電膜の形成方法、そのような導電膜を得るための樹脂硬化型導電性ペースト、該樹脂硬化型導電性ペーストに配合される粒状銀粉およびその製造方法を得る。
【解決手段】多価カルボン酸を材料銀粉に対して０．０１質量％〜０．５質量％被覆させた、粒状銀粉が提供される。該粒状銀粉は樹脂硬化型導電性ペーストに配合される。 （もっと読む）

【課題】発光強度の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 発光層を挟んで第１導電型層、第２導電型層が設けられた積層構造を有し、前記第２導電層が、前記第１導電型層の露出部を形成する溝構造により、大小２部分に分断されており、当該分断された大きい方の第２導電型層上に第２導電型の電極パッドを有し、当該分断された小さい方の第２導電型層上に第１導電型の電極パッドを有し、当該第１導電型の電極パッドは、当該第１導電型の電極パッドを起点とし、前記露出した第１導電型へ互いに独立してコンタクトする２本以上の導電配線により、前記第１導電型層の露出部に設けられた互いに独立した２箇所以上と、それぞれ電気的にコンタクトしている発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】キャリア濃度および発光出力を向上させたｐ型ＡｌＧａＮ層およびその製造方法ならびにIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】III族原料ガスをIII族原料ガス流量Ａ_１(０≦Ａ_１)で供給するとともに、Ｖ族原料ガスをＶ族原料ガス流量Ｂ_１(０＜Ｂ_１)で、かつマグネシウムを含むガスをＭｇ含有ガス流量Ｃ_１(０＜Ｃ_１)で供給する第１工程と、III族原料ガスをIII族原料ガス流量Ａ_２(０＜Ａ_２)で供給するとともに、Ｖ族原料ガスをＶ族原料ガス流量Ｂ_２(０＜Ｂ_２)で、かつマグネシウムを含むガスをＭｇ含有ガス流量Ｃ_２(０＜Ｃ_２)で供給する第２工程とを複数回繰り返すことによりｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層(０≦ｘ＜１)を形成し、前記III族原料ガス流量Ａ_１はｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層を層成長させない流量であって、Ａ_１≦０．５Ａ_２であることを特徴とする。 （もっと読む）