説明

DOWAメタルテック株式会社により出願された特許

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【課題】セラミックス回路基板に接合した金属板の表面に形成されためっきの表面の半田濡れ性を安価に向上させることができる、金属−セラミックス回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板10に接合した金属板12の表面に、P含有量が6.80〜8.50質量%であるとともに表面粗さRzが4.6μm以下であり、好ましくは表面の酸化物層の厚さが10nm以下のNi−P合金めっき16を形成する。 (もっと読む)


【課題】局所的に腐食し難い水冷式放熱器付き金属−セラミックス接合基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】内部にセラミックス基板18を配置した鋳型内にアルミニウムまたはアルミニウム合金の溶湯を注湯して冷却することによって、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる回路用金属板20を形成してセラミックス基板18の一方の面に直接接合させるとともに、互いに所定の間隔で離間して配置された複数のフィンまたは柱状突起部を備えたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるベース板12を形成してセラミックス基板18の他方の面に直接接合させた後、セラミックス基板18を鋳型から取り出して、ベース板12の表面(水冷式放熱器16の内面に対応する部分)のダブルジンケート処理を行い、その後、ベース板12のフィンまたは柱状突起部を取り囲むように蓋体14を取り付ける。 (もっと読む)


【課題】簡単且つ安価に金属−セラミックス接合基板を大量生産することができる、金属−セラミックス接合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板10の一方の面を複数の領域に分ける分割溝10aを形成し、この分割溝10aによって分けられたセラミックス基板10の一方の面の複数の領域の各々に回路用金属板12を配置するとともに、これらの回路用金属板12の各々に対応するようにセラミックス基板10の他方の面に金属ベース板14を配置して、セラミックス基板10の両面に複数の回路用金属板12と複数の金属ベース板14を接合した後、分割溝10aに沿ってセラミックス基板10を分割することによって複数の金属−セラミックス接合基板を製造する。 (もっと読む)


【課題】アルカリや酸を含む処理液による水溶液処理において、大規模な廃液処理設備を必要とせず、産業廃棄物の発生量を最小限にする廃液の減容化システムを提供する。
【解決手段】被処理物5の水溶液処理を行う処理液を収容する処理槽2と、被処理物5に付着した処理液を除去する水を収容する水洗槽3、4を有し、水洗槽3の水洗水を処理槽2に戻す。水洗槽3内で除去された処理液の薬剤成分を含む水洗水が処理槽2へ戻されるので、廃棄物を減容化でき、薬剤の使用量も低減できる。 (もっと読む)


【課題】剥離液の量が少なくても、表面に錫または錫合金めっき層が形成された銅または銅合金材から錫または錫合金めっき層を簡単且つ安価に剥離することができる、銅または銅合金材の表面の錫または錫合金層の剥離方法を提供する。
【解決手段】表面に錫または錫合金層を有する銅または銅合金材10に、錫または錫合金層を剥離する剥離液のシャワーをかけることにより、銅または銅合金材の表面の錫または錫合金層を剥離液に溶解させて、銅または銅合金材の表面から錫または錫合金層を剥離する。 (もっと読む)


【課題】導電性と強度と曲げ加工性が良好な銅合金板材およびその銅合金板材を簡素な工程で安価に製造することができる銅合金板材の製造方法を提供する。
【解決手段】1.0〜4.0質量%のNiと0.3〜1.0質量%のSiを含み、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金の原料を溶解して鋳造することにより得られた鋳片を熱間圧延または均質化処理した後、450〜600℃で1〜20時間時効処理を行い、次いで、圧延率90%以上で冷間圧延を行った後、300〜430℃で1〜48時間低温焼鈍を行う。 (もっと読む)


【課題】 突起高さを高くしやすく、半田欠陥の発生を安定して防止でき、且つ、冷却フィンとの接触性も良好に確保できる、半導体基板用放熱板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板搭載面1aに半導体基板3との間隔を確保するための突起群を備え、該突起群は一対の突起10,10の集合体であり、該一対の突起10,10は、前記半導体基板搭載面1aにプレス加工で形成される窪み11の両側に分離してメタルフローにより形成される。 (もっと読む)


【課題】放熱性に優れた電子部品搭載基板の冷却構造を提供する。
【解決手段】セラミックス基板22、26の一方の面に金属回路板24、28が接合した金属−セラミックス回路基板12、14の金属回路板24、28の間に電子部品16が挟持されて固定された電子部品搭載基板10を一対の冷却器44により挟持して冷却する冷却構造において、2つの金属−セラミックス回路基板12、14の各々のセラミックス基板22、26の一方の面に金属回路板24、28が直接接合し、2つの金属−セラミックス回路基板12、14の一方の金属−セラミックス回路基板12のセラミックス基板22の他方の面に一方の冷却器44が直接接合している。 (もっと読む)


【課題】導電率30%IACS以上、0.2%耐力900MPa以上で、優れた曲げ加工性および耐応力緩和特性を同時に具備する銅合金板材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】1.0〜3.5質量%のNi、0.5〜2.0質量%のCo、0.3〜1.5質量%のSiを含み、かつ、Co/Ni質量比が0.15〜1.5、(Ni+Co)/Si質量比が4〜7であり、残部がCuおよび不可避不純物からなる銅合金板材であって、圧延面において、EBSP測定による結晶粒界性格及び結晶方位の観察結果が、全結晶粒界中の双晶境界密度が40%以上、Cube方位結晶粒の面積率が20%以上である。 (もっと読む)


【課題】金属部材に拡散防止や耐久性向上のためにNiもしくはNi合金下地めっきを行い、その上にAgめっきを行った電気接点部に関し、耐摩耗性などの耐久性、耐熱密着性、製造コストなどの優れた接点部を製造する方法を提供する。
【解決手段】金属部材1上にNiストライクめっきを行った後、電解めっきによってNi下地めっき層3を形成し、さらに、その上にシアン銀、シアン銅を含むめっき液を用いて電解めっきを行いAg−Cu含有合金めっき層5を形成しためっき部材10。 (もっと読む)


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