説明

エス−ボンド テクノロジーズ、エルエルシーにより出願された特許

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活性半田合金、電子装置を基板に結合する前記活性半田合金を含有する電子装置パッケージ及び前記半田合金を用いる半田付けによって高強度接合部を形成する方法。前記合金は、約10重量%までのチタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ及びタンタルから成る群から選択される元素または元素混合物;約0.1‐5重量%のランタノイド元素(希土類元素)の群から選択される元素または元素混合物;約0.01‐1重量%のガリウム;約10重量%までの銀;約2重量%までのマグネシウム;及び錫、ビスマス、インジウム、カドミウム、またはこれらの元素の2種以上の混合物から成る残余を含有する。前記合金は、比較的狭い溶融範囲(約10℃未満)内で低温(約180℃未満)半田付けを可能とする。
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