特性、例えば表面積、粒度、タップ密度などが異なる少なくとも２種の異なる窒化ホウ素粉体材料を含む窒化ホウ素組成物。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、全体的に半導体処理チャンバ内の基板に比較的均一な温度分布をもたらし、或いはプレス形成ガラスレンズ用の金属金型又はセラミック成形型を加熱するための加熱装置に関する。
【解決手段】 基板の表面温度を調整／制御するための加熱装置が提供される。少なくとも１つの熱分解グラファイト（ＴＰＧ）層は、ヒータ内に埋め込まれ、加熱装置内の種々の構成要素の温度差を拡散し、基板上の最高温度点と最低温度点との間の差が１０℃よりも小さい、比較的均一な基板温度に対して基板の表面温度の時間的及び空間的制御を可能にする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板、金属／セラミック型、あるいは脱気またはアニーリングのように温度調整を必要とする他の工業的プロセスのような、加熱ターゲットの温度を調整し加熱ターゲットを支持するアセンブリーを提供する。
【解決手段】 １実施形態において、アセンブリーは、加熱ターゲットを支持する加熱ターゲット支持体と；少なくとも温度３００℃に加熱ターゲットを加熱するセラミック発熱体と；基板支持体とセラミック発熱層との間に配置した第１の熱伝導性層と；セラミック発熱層の下に配置した第２の層とからなる。ヒーターアセンブリーにおいて、第1層および第２層の双方は５ＧＰａ未満の弾性率を有し、基板に絶え間なく均一で優れた加熱を供給しつつセラミックス層に損傷をもたらさずに、セラミック発熱層を付勢する。 （もっと読む）

【課題】 外側ハウジング及び内側管体を含むことができるヒータが提供される。
【解決手段】 内側管体は、外側ハウジングに対して同軸であり、ハウジング内にある。内側管体の内側表面は、反応カプセルを受けるのに十分な容量を定め、外側表面は、間隙を定めるのに十分な間隙を外側ハウジングの内側表面から半径方向に離間している。充填材料が間隙内に配置される。充填材料は圧力に対応し、これによって充填容量は、５００ＭＰａより高い圧力及び５００℃よりも高い温度で５容量パーセントより小さく減少する。１つ又はそれ以上の加熱素子が間隙内に配置される。加熱素子は内側管体と熱伝達する。 （もっと読む）

【課題】締め具のアセンブリへの固定を容易にする焼き付き防止方法の提供。
【解決手段】締め具としては、例えば、ハンマーによって打ち込まれる釘、又は、軸継手、ナット、又はビルディングブロックにねじ込まれるネジ山付き釘又はネジ等が挙げられる。一実施形態では、組成物は、締め具の接触表面に適用されるのに十分な量の窒化ホウ素を含有し、締め具が焼き付き及び／又は摩損を起こすことなく、速やかに固定できるようにする。さらに、効果的な量の窒化ホウ素パウダー組成物を締め具の接触表面、即ち軸部の尖端又はネジ山表面、に塗布する。 （もっと読む）

【課題】半導体の製造に用いるためのウェーハ加工装置内に埋め込まれた抵抗加熱素子の回路パターンに関する。
【解決手段】 抵抗加熱素子用の最適電極パターンを有するウェーハ加工装置が、開示される。最適電極パターンは、接触域、電気接続部、及びスルーホール等の区域の近傍又は周囲により多くの熱を発生させて最高温度均一性をもたらすことによって、これらの周囲の熱損失を補償するように設計される。本発明の最適設計の別の実施形態では、加熱素子の抵抗は、より高効率のために、詳細にはより高い動作温度又はより高い電気出力を必要とする時に電源のインピーダンスに密接に整合する。 （もっと読む）

【課題】 半導体プロセスで使用される腐食性ガスを含む雰囲気に適合した構造部品を備えたウェーハプロセス装置を提供する。
【解決手段】 電気接合部、ガス供給チャンネル、凹部、凸部、メサ（台形突起）、リフトピン穴等の貫通孔、ネジ切り孔、めくら孔等が耐食的に結合されており、結合部が優れた化学的耐性を有する結合剤、充填剤を用いた特殊な構造を有すると共に、最適化された熱膨張係数、すなわち接合部の熱膨張係数がベース基材、電極および被覆層の熱膨張係数に近似的に一致する熱膨張係数を有することを特徴とするウェーハプロセス装置。一つの実施形態における充填剤にはガラスセラミック材料を含む組成物が使用されている。 （もっと読む）

【課題】半導体結晶の元素の精製、複合化および成長、例えば、高温でシリコン等を溶解する分子線エピタキ法（ＭＢＥ）において用いる一体もの、複数片のるつぼを提供する。
【解決手段】るつぼは、るつぼを作り上げる複数片を固定して接合する外側の被覆層を有する。本発明は、返り勾配を有する熱分解窒化ホウ素からなる構造を含む一体ものを製造する方法も提供し、前記方法により黒鉛マンドレルの複雑な張出し構造の必要がないようにする、または高温で焼成することにより黒鉛マンドレルの取り外しの必要がないようにする。 （もっと読む）

【課題】作成したガラス製品の特性のバッチ間変動がほとんどないことを特徴とするガラス組成物を提供する。
【解決手段】本ガラス組成物は４０〜９９重量％のＳｉＯ_２を含み、軟化温度は６００℃〜１６５０℃であり、かつロットから製造されたガラス品の無作為に選択した１０以上のサンプルから得られた軟化温度測定の標準偏差は、１０℃以下である。そして、ロット内で無作為に選択した１０以上のガラス品のサンプルについて測定した軟化温度の標準偏差σが５℃以下である。 （もっと読む）

【課題】グラファイト部品を含む物品を提供する。
【解決手段】本物品のグラファイト部品は、熱分解グラファイト（ｐＧ）で被覆されて、機械的強度が非被覆グラファイト部品よりも少なくとも２５％高くなるようになる。半導体処理組立体に用いるヒータのようなコネクタ用途では、ｐＧ被覆構成要素は、少なくとも電気絶縁材料の保護層でオーバコートされ、その場合、ｐＧ被覆グラファイト部品の一部は、組立体との電気接続部を形成するために露出される（保護層で被覆されていない）。 （もっと読む）