【課題】イソシアナトシラン及びシリルイソシアヌレートの新規な製造方法の提供。
【解決手段】ａ）シリルオルガノカルバメート及び、任意に、有効量のクラッキング触媒を含んでなるクラッキング反応溶媒をクラッキング反応ゾーンに準備する工程と、ｂ）クラッキング反応溶媒を、前記クラッキング反応ゾーンでクラッキング反応条件下に置き、イソシアナトシラン及び副産物アルカノールを得る工程と、ｃ）前記イソシアナトシラン及び前記副産物アルカノールをクラッキング反応ゾーンから回収する工程と、ｄ）クラッキング反応の間及び／又は反応後に、前記クラッキング反応溶媒の一部をパージする工程と、ｅ）三量体化反応ゾーンに、パージされた前記クラッキング反応溶媒を添加する工程と、ｆ）パージされた前記クラッキング反応溶媒を、前記三量体化反応ゾーンで三量体化反応条件に置き、シリルイソシアヌレート及び副産物アルカノールを得る工程を含んでなる方法。 （もっと読む）

【課題】 電子デバイスの作製を簡略化する方法を提供する。
【解決手段】 熱界面材料であると同時にアンダーフィル材料として機能する材料（２６）を備えた電子デバイスの形成方法を開示する。熱伝導性材料（２６）が熱界面材料であると同時にアンダーフィル材料として機能することを特徴とする、熱放散エレメント（２４）、半導体チップ（１４）、基板（１２）および前記熱伝導性材料を備える電子アッセンブリ（１０、２２）についても開示する。 （もっと読む）

【課題】新規なポリマーブレンドの調製方法の提供。
【解決手段】上記方法は、混合ゾーン中で熱可塑性ポリマー、グラフト化ポリオレフィン、水分供給源及び架橋剤を混合し、熱可塑性ポリマーによるマトリックス相、少なくとも部分的に架橋された熱可塑性ポリマーによる補強相を含有し、約１０％〜約５０重量％のゲル含有率である熱可塑性ポリマーブレンドを調製することを含んでなる。 （もっと読む）

【課題】新規な硬化性組成物の提供。
【解決手段】ａ）以下の一般式で表される少なくとも１つの官能化用シランと、コロイド状シリカ中の表層ヒドロキシル基との反応により得られる官能化コロイド状シリカと、
（Ｒ^１）_ａＳｉ（ＯＲ^２）_４−ａ
（式中、各Ｒ^１は独立に、最高１８の炭素原子数の一価のアルキル、シクロアルキル、アリール、アルカリル又はアラルキル基であり、任意に、アルケニル、アクリレート及びエポキシからなる群から選択される少なくとも１つの化学反応性官能基を有してもよい）、
ｂ）少なくとも１つのアルケニル及びアクリレート官能基を有する少なくとも１つの第１の硬化性モノマーと、
ｃ）エポキシ官能基を有する少なくとも１つの第２の硬化性モノマーと、
ｄ）エポキシ官能基と共に少なくとも１つのアルケニル及びアクリレート官能基を有する少なくとも１つの第３の硬化性モノマー（第３の硬化性モノマーは第１の及び／又は第２の硬化性モノマーを置換若しくは補充する）と、任意に
ｅ）上記１つ以上の硬化性モノマー用の少なくとも１つの硬化剤を含んでなる硬化性組成物。 （もっと読む）

【課題】
静電チャックなどの半導体ウェーハプロセス機器において、被覆材料内の電気的／機械的応力の集中を緩和し、被覆材料の剥離および／または割れを防止する。
【解決手段】
グラファイトなどの基材と少なくとも一つの電極パターンを有し、当該パターンの溝をＢ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、高融点金属、遷移金属および希土類金属の群から選択される元素の窒化物、炭化物、窒化物、炭化物または酸窒化物、またはこれらの錯体および／またはこれらの混合体から選択される少なくとも一つの材料を含む絶縁性または半導体材料で充填して実質的に平坦な面を形成し、さらに当該実質的に平坦な面をＢ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、高融点金属、遷移金属および希土類金属の群から選択される元素の窒化物、炭化物、窒化物、炭化物または酸窒化物、またはこれらの錯体および／またはこれらの混合体から選択される少なくとも一つの材料を含む少なくとも一層の半導体層で被覆する。 （もっと読む）