説明

フォブオン・インクにより出願された特許

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【課題】最新の電子画像応用に必要な小さなセンサーサイズを達成する。
【解決手段】半導体基板上に形成された少なくとも2つの垂直積層感光性センサー、前記センサーの1つの上の第1のエピタキシャル層311、第1のエピタキシャル層の上の第2のエピタキシャル層315、並びに、第1のエピタキシャル層を通って前記センサーの1つへ伸びる底部部分、および第2のエピタキシャル層を通って底部部分から伸びる上部部分を有するプラグコンタクト、を含むセンサー群。前記第1のエピタキシャル層および前記第2のエピタキシャル層の各々は本質的にp型シリコンからなり、前記プラグコンタクトの底部部分は砒素が拡散した第1のエピタキシャル層の領域であり、前記プラグコンタクトの最上部部分は砒素が拡散した第2のエピタキシャル層の領域であってもよい。 (もっと読む)


【課題】垂直に積層したセンサーを含む感光性センサー群を提供する。
【解決手段】第1の極性を有する半導体基板上に形成されたセンサー群は、少なくとも2つの垂直積層センサーで、センサーの各々は、異なるスペクトル感度を持ち、フォトダイオードとして機能するためにバイアスすることが可能であり、また第2の極性を持つ半導体材料のキャリア収集層を含み、フォトダイオードとして機能するためにバイアスされる時第2の極性の光励起キャリアを収集するように作られることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】解像度が良く面積の小さいカラーフィルターセンサーを提供する。
【解決手段】本発明は、垂直カラーフィルター(VCF)センサー群のアレイまたはアレイの任意の実施態様を読み出すための方法でり、アレイは最上層およびセンサーの内の他の1つを含む少なくとも1つの低層を持つ。最上層だけは充分な解像度で読み出すことができる。各低層は、ピクセルセンサー位置の全数よりも少ないセンサー出力を発生するために、充分な解像度よりも小さい解像度で読み出すことができるだけである。通常、センサー群はセル中に配置され、各セルはS個のセンサー群を含み、最上層においてS個のセンサーを持ち、セルの各低層においてS個のセンサーよりも少ないセンサーを持つ。通常、各低層において少なくとも1つの共有センサーを含み、また各セルはセルのセンサーとセンスノードとの間にセンサー選択スイッチ(たとえば、トランジスタ)を含む。 (もっと読む)


【課題】高感度のカラーフィルターセンサーを微細に簡便なプロセスで製造すること。
【解決手段】半導体基板上に少なくとも2つの垂直に積層した感光性センサーを含む垂直カラーフィルターセンサー群を形成する。センサー群は、フィルターを通して又はフィルターから反射した放射線が少なくとも1つのセンサーへ伝播するようにセンサーに対して配置した少なくとも1つのフィルターを含む。フィルターは半導体集積回路製造プロセスによってセンサーで集積化された層を含む。また、センサー群はマイクロレンズを含む。本発明の他の観点は、垂直カラーフィルターセンサー群のアレイであり、それらの1部又はすべては少なくとも1つのフィルターまたはマイクロレンズ、および垂直カラーフィルターセンサー群とそれらのアレイの製造方法を含む。さらにセンサー群を集積化したウエハ同士の結合構造も含む。 (もっと読む)


【課題】イメージセンサーの面積を縮小するとともに微細で簡単なセンサー回路を達成し、製造プロセスが容易な高感度のイメージサンサーを提供する。
【解決手段】半導体集積回路製造プロセスによって、半導体基板上に、少なくとも2つの垂直に積層した感光性センサーを有する形成された垂直カラーフィルターセンサー群を作成する。本発明の他の特徴は、垂直カラーフィルターセンサー群、およびこのような垂直カラーフィルターセンサー群とそれらのアレイの製造方法である。幾つかの実施形態において、センサー群は読出し面を持つ固体材料のブロックである。少なくとも2つの垂直積層センサーはこのブロック中に形成され、トレンチコンタクトはセンサーの1つと読出し面との間に配置される。 (もっと読む)


【課題】イメージセンサーの面積を縮小するとともに微細で簡単なセンサー回路を達成し、製造プロセスが容易な高感度のイメージサンサーを提供する。
【解決手段】半導体基板上に、少なくとも2つの垂直積層感光性センサーとセンサー群アレイを有する垂直カラーフィルターセンサー群を形成する。センサー群の少なくとも1つのセンサーのキャリア収集要素は、センサー群の各々の最小サイズのキャリア収集要素よりも、最上部センサーの最上部面によって定義される法線軸に対して垂直な面に投影された、実質的に大きな面積を持つ。センサー群アレイは、少なくとも1つのキャリア収集要素を共有する少なくとも2つのセンサー群を含む。またセンサー群は、フィルターを通して伝播したか又はフィルターから反射した放射線がセンサー群の少なくとも1つのセンサーへ伝播するように、センサーに対して配置された少なくとも1つのフィルターを含む。 (もっと読む)


【課題】イメージセンサーの面積を縮小するとともに微細で簡単なセンサー回路を達成し、製造プロセスが容易な高感度のイメージサンサーを提供する。
【解決手段】半導体集積回路製造プロセスによって、半導体基板上に、少なくとも2つの垂直に積層した感光性センサーを有する垂直カラーフィルターセンサー群を形成する。各々のセンサーは異なるスペクトル応答を持つ。少なくとも1つのセンサーは結晶性シリコン以外の半導体材料、たとえばシリコンカーバイド、InGa1−xN、III−V族半導体材料、ポリシリコン、またはアモルファスシリコンなどの少なくとも1つの層を含む。本発明の他の特徴は、垂直カラーフィルターセンサー群、およびこのような垂直カラーフィルターセンサー群とそれらのアレイの製造方法である。また少なくとも1つのセンサーは光子吸収領域およびアバランシェ・ゲイン領域を持つ。 (もっと読む)


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