【課題】メモリシステムからデータの読み出し、およびデータの書き込みのそれぞれを、可能な限り早くする。
【解決手段】メモリシステムは、第１の抵抗メモリセルフィールドおよび第２の抵抗メモリセルフィールドを少なくとも有する複数の各抵抗メモリセルフィールドと、上記複数の各抵抗メモリセルフィールドの間でのデータ伝送を制御するコントローラとを含む。第１の抵抗メモリセルフィールドは、第１のデータ記憶速度にてデータを記憶する複数の各抵抗メモリセルを備えて形成される。第２の抵抗メモリセルフィールドは、上記第１のデータ記憶速度より低い第２のデータ記憶速度にてデータを記憶する複数の各抵抗メモリセルを備えて形成される。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリの読み出し時に、隣接メモリセルからの影響を低減し、確実な読み出しを行う。
【解決手段】複数のメモリセルを同時に検出することと、複数のプログラム状態のうちのいずれかに対応するデータ信号を供給することとを含む。上記複数のプログラム状態は、上記複数のメモリセルにおけるメモリセルの数の２倍と等しい数のプログラム状態を含む。上記データ信号は、上記データ信号を表すバイナリデータを供給しながら処理される。上記バイナリデータは、複数のメモリセルの数と等しい数の情報ビットを含む。 （もっと読む）

【課題】記憶ユニットから予期しないデータを処理ユニットが受信しても正常に動作できるようにする。
【解決手段】命令入力１２から受けるデータ値に関連付けられ、一定のの動作を始めるように適合された少なくとも１つの予め定められた処理命令を有する予め定められた処理命令のセットを実行する処理ユニット３と、データ値を格納する複数のメモリセル５を有する記憶ユニット２と、上記メモリセル５のデータ値を検出する検出ユニット６と、上記命令入力１２に連結され、検出が成功した場合には、上記メモリセル５の検出されたデータ値を供給すると共に、検出が不成功の場合には、予め定められたデータ値を供給するデータ出力７とを備え、上記予め定められたデータ値は、処理ユニット３を介して実行される上記一定の動作を始めるように適合された上記予め定められた処理命令に位置付けられる。 （もっと読む）