【課題】レーザ光のビームスポット形状の歪みを補償すること。
【解決手段】投影光の出射方向に対して画像の上が画像投影装置から遠く前記画像の下が前記画像投影装置に近くなるように斜めに前記画像を投影する前記画像投影装置に用いる光学部品であって、レーザ光６０を走査することにより、前記投影光とする走査部３２と、前記走査部が前記画像内の上を走査する場合、合焦距離が長くなり、前記走査部が前記画像内の下を走査する場合、合焦距離が短くなるように前記レーザ光の合焦位置を調整する調整光学系２８と、前記レーザ光を左右方向に対し上下方向に拡張する拡張光学系３８と、拡張された前記レーザ光を前記画像が投影される面に集束させる集束光学系４４と、を具備する光学部品。 （もっと読む）

【課題】投影した画像の歪みを抑制すること。
【解決手段】投影光１２の出射方向に対して斜めに画像を投影する投影部と、前記画像の画像データを保持し、前記画像データをピクセルデータ毎にリード信号に同期させ出力するフレームメモリ３０と、出力された前記ピクセルデータに応じレーザ光を出射するレーザ出射部２５と、前記レーザ光を走査し投影光として出射するＭＥＭＳミラー２０と、前記リード信号の間隔を前記投影部から遠い水平走査線を近い水平走査線より短くする制御部３２と、を具備する画像投影装置。 （もっと読む）

【課題】レーザ光のビームスポットの形状の歪みを補償し、かつ波長の異なるレーザ光のビームスポットの位置ずれを抑制すること。
【解決手段】投影光の出射方向に対して斜めに画像を投影する画像投影装置に用いる光学部品５０であって、波長の異なる複数のレーザ光を同一光軸上に出射するレーザ光源２０と、レーザ光が入射する第１面３０とレーザ光が出射する第２面３２とを備えた第１プリズム２２と、第２面を出射したレーザ光が入射する第３面３４とレーザ光が出射する第４面３６を備え、第１面と第２面とが交差する側とは反対側で第３面と第４面とが交差し、第４面から出射されるレーザ光は第４面の面方向のビーム径が面方向に交差するビーム径より大きく、屈折率および分散が第１プリズムより小さい第２プリズム２４と、第２プリズムを出射した前記レーザ光を走査することにより前記投影光を出射する走査部２６と、を具備する光学部品。 （もっと読む）

【課題】垂直方向の遠視野像を狭くすること。
【解決手段】本発明は、半導体基板１０上に設けられたｎ型の下部クラッド層１２と、下部クラッド層１２上に設けられ、複数の量子ドット３８が形成された量子ドット層３０と複数の量子ドットを覆うバリア層３２とが交互に複数積層された量子ドット活性層１４と、量子ドット活性層上に設けられたｐ型の上部クラッド層１６と、を備え、量子ドット活性層は、複数のバリア層のうち最も高い屈折率を有するバリア層よりも下部クラッド層側及び上部クラッド層側にあるバリア層の少なくとも一方で、バリア層の屈折率が、最も高い屈折率を有するバリア層から下部クラッド層又は上部クラッド層に最も近いバリア層に向かって低下する半導体レーザである。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ層の回折格子が形成された界面で非発光再結合が生じることを抑制すること。
【解決手段】本発明は、基板１０上に設けられ、ＧａＡｓのバンドギャップエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを少なくとも一部に有する活性層１８と、活性層１８上に設けられ、活性層１８から発振される光を伝搬する導波路であるＧａＡｓ層（ＧａＡｓ導波路層２０及び回折格子層２２）と、回折格子層２２の上面に設けられた回折格子２６と、回折格子２６を埋め込むように設けられた埋め込み層２４と、活性層１８と回折格子２６との間に設けられ、活性層１８から回折格子層２２と埋め込み層２４との界面へのキャリアのオーバーフローを抑制するキャリアストップ層３４と、を備える半導体レーザである。 （もっと読む）

【課題】高調波光を安定して出射することが可能なレーザシステムを提供すること。
【解決手段】本発明は、レーザ光２４を発振するＤＦＢレーザ１２と、ＤＦＢレーザ１２の温度を調節するヒータ１４と、レーザ光２４をレーザ光２４の高調波光３４に変換する高調波生成素子１８と、を有するレーザモジュール１０と、高調波生成素子１８で変換された高調波光３４の強度を高調波生成素子１８で高調波光３４に変換されずに高調波生成素子１８を通過した非変換光３６の強度で規格化した規格化高調波光の強度が所定の強度になるようにヒータ１４に注入するヒータ電流２８を制御する制御部４０と、を具備するレーザシステム１００である。 （もっと読む）

【課題】不純物に起因した光半導体素子の特性劣化を抑制する。
【解決手段】凹部１１及び凸部１２が形成された第１半導体層１０の上に、不純物を含む第２半導体層２０を形成して、凹部１１及び凸部１２を被覆する。第２半導体層２０には、凹部１１内に形成された、第１濃度の不純物を含む第１領域２１、凹部１１内で、第１領域２１上方に形成された、第１濃度よりも低い第２濃度の不純物を含む第２領域２２、及び、凸部１２上方に形成された、不純物を含む第３領域２３を設ける。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板のＳｉ面とを接合させる構造において、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板とに剥がれが生じることを抑制すること。
【解決手段】本発明は、ＧａＡｓ基板３２の主面上に形成された光を発振する活性層３８を含む積層半導体層４６のうちの最表面の層である、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓからなるコンタクト層４４の表面に、ＩｎＡｓの複数の量子ドットからなる接合層２２を形成する工程と、コンタクト層４４の表面を、接合層２２を介して、基板１０に含まれるＳｉ薄膜層１６のＳｉ面に接合させる工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】レーザダイオードと高調波変換素子との光結合を高精度に行い、かつ製造コストを削減すること。
【解決手段】第１上面１２と、第２上面１４と、有限系である１つのレンズ４０の上部および側部を覆い下部を覆わないように形成された囲い部１６と、を備えたベース１０を配置する工程と、レーザ光を出射するレーザダイオード２０を前記第１上面上に固定し、前記レーザ光を前記レーザ光の高調波に変換する高調波変換素子３０を前記第２上面上に固定する工程と、前記レーザダイオードと前記高調波変換素子とを固定する工程の後、前記レンズの下部から前記レンズを保持し前記レーザダイオードと前記高調波変換素子とが光結合するように、前記レンズの位置を調整する工程と、前記レンズの位置を調整する工程の後、前記レンズを前記囲い部に固定する工程と、を含むレーザモジュールの製造方法。 （もっと読む）

【課題】小型化、低コスト化を実現することが可能な光送受信装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、光ファイバ２０から出射される受信光を受光する第１のフォトダイオード１６と、第１のフォトダイオード１６の受光面４２ａと同一面を形成する受光面４２ｂを有する第２のフォトダイオード１７と、第１のフォトダイオード１６と第２のフォトダイオード１７とに向かって、光ファイバ２０に入射される送信光を出射するレーザダイオード１４と、第１のフォトダイオード１６の受光面４２ａ上に設けられ、レーザダイオード１４が出射する送信光の一部を光ファイバ２０に向かって反射させ、且つ光ファイバ２０から出射される受信光を透過する薄膜１８と、を具備し、第２のフォトダイオード１７は、レーザダイオード１４が出射する送信光の他の一部を受光する光送受信装置である。 （もっと読む）