本発明は、負性微分抵抗を有する、０、１、２、及び３次元のナノ構造、及びこれらのナノ構造を作るための方法である。本発明によるナノ構造は、特にナノエレクトロニクスの分野において用いられる。このナノ構造は、炭化ケイ素基板（３０）の表面上の、少なくとも１つの構造（３２）、又は上記少なくとも１つの構造の少なくとも１つの複数であって、上記構造が、量子接続パッドと、原子セグメントと、原子ラインと、集合体とから選択されるような、少なくとも１つの構造（３２）、又は上記少なくとも１つの構造の少なくとも１つの複数と、少なくとも１つの金属堆積（３４）であって、この金属堆積が、上記少なくとも１つの構造、又は上記少なくとも１つの構造の上記少なくとも１つの複数、又は少なくとも２つのこれら０、１、２、又は３次元の構造の組合せの構造を覆う、少なくとも１つの金属堆積（３４）とを含む。
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本発明は、電子部品の製造に用いられ、かつ化学量論組成の窒化シリコン薄膜で被覆される基板、特に炭化珪素基板、及び前記膜を形成する方法に関する。
基板（１）の上に、少なくとも一つの窒素含有ガスが存在する状態で膜を形成する方法は、前記ガスを透過させる材料膜（２）で基板を被覆し、更に窒化シリコン膜を、基板と材料膜との間の界面に形成するステップを含む。本発明は、特にマイクロエレクトロニクスに適用することができる。
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本発明は、酸素感受性の高いケイ素層と、それを得るための方法とに関する。このケイ素層（２）は、例えばＳｉＣで作られた基板（４）の上に形成され、３×２構造を有する。ケイ素層を得るための方法は、この基板の１つの表面上にほぼ均一にケイ素を堆積させることから構成される。本発明は、例えばマイクロエレクトロニクスに適用可能である。
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本発明は、半導体材料の予めパッシベーション化した表面を金属被覆するための方法及びその結果得られる材料に関する。本発明は、マイクロエレクトロニクスに適用可能であり、材料（２）の表面を前処理することにより、材料内に水素原子又は金属元素を吸着可能な結合を形成するステップ、表面をパッシベーション化化合物に露出することにより、好ましくは表面の直下に位置する一又は複数の層をパッシベーション化するステップ、及び表面（４）を水素原子へ又は金属元素に露出することにより、該表面を金属被覆するステップを含むことを特徴とする。
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