【課題】薄膜トランジスタなどの素子動作層をなす導電性インジウム含有酸化物半導体層に電気的接触抵抗が小さい金属電極を形成できるようにする。
【解決手段】インジウム含有酸化物半導体層とその層の上方に設けた素子動作電流を流通させる金属電極層との間に、酸化物半導体層をなすインジウム酸化物などを化学的に還元でき、且つ易酸化性の金属からなる金属膜を素材とした金属酸化物層と金属層とを設け、更に、金属酸化物層と金属層との境界には還元されたインジウムを蓄積したインジウム濃化層を設ける構成とする。 （もっと読む）

【課題】金属シリサイド膜と銅コンタクトプラグ本体との間の拡散バリア層として、薄膜の酸化マンガンで構成された拡散バリア層を用いてはいるものの、金属シリサイド膜への銅原子の拡散、侵入を確実に抑止することができるようにする。
【解決手段】本発明のコンタクトプラグ１０は、半導体装置の絶縁膜４に設けられたコンタクトホール５に形成され、コンタクトホール５の底部に形成された金属シリサイド膜３と、コンタクトホール５内で金属シリサイド膜３上に形成され、非晶質でシリコンを含む第１の酸化マンガン膜６ａと、その第１の酸化マンガン膜６ａ上に形成され、微結晶を含む非晶質の第２の酸化マンガン膜６ｂと、その第２の酸化マンガン膜６ｂ上に、コンタクトホール５を埋め込むように形成された銅プラグ層７と、を備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】薄膜であっても銅（Ｃｕ）原子の金属シリサイド膜などへの拡散を充分に安定して抑止でき、尚且つ、小さな接触抵抗をもたらす比抵抗の小さな銅（Ｃｕ）からコンタクトプラグを形成できるようにする。
【解決手段】 本発明のコンタクトプラグ１００は、半導体装置の絶縁膜１０４に設けられたコンタクトホール１０５に形成され、コンタクトホール１０５の底部に形成された金属シリサイド膜１０３と、コンタクトホール１０５内で金属シリサイド膜１０３上に形成された酸化マンガン膜１０６と、酸化マンガン膜１０６上に、コンタクトホール１０５を埋め込むように形成された銅プラグ層１０７と、を備え、酸化マンガン膜は非晶質からなる膜である、ことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】表層部の銅を主体としてなる層の表面の結晶面の種類を低減することができ、それにより、銅配線本体の内部に存在する結晶粒界の密度を低減して、銅配線の電気抵抗を低減することができ、またＥＭ耐性やＳＭ耐性を改善して信頼性も向上することができるようにする。
【解決手段】この発明は、絶縁層１０に銅からなる配線本体を備えてなる銅配線を形成する銅配線形成方法において、絶縁層１０に開口部１１を設ける工程と、開口部の内周面に、銅より酸化されやすい金属元素を含む銅合金被膜１２を形成する銅合金被膜形成工程と、銅合金被膜に加熱処理を施して当該銅合金被膜からバリア層を形成するとともにその表面を構成する結晶面の種類を減じる加熱処理工程と、バリア層上に銅を被着させ、銅からなる配線本体を形成する配線本体形成工程と、を有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】拡散バリア層と銅配線本体との密着性を大幅に改善することができるようにする。
【解決手段】この発明は、絶縁層に銅からなる配線本体を備えてなる銅配線において、上記絶縁層と、上記絶縁層に対向して設けられた拡散バリア層と、上記拡散バリア層上に形成された、銅（Ｃｕ）からなる配線本体と、を備え、上記拡散バリア層は、マンガン（Ｍｎ）に対する酸素（Ｏ）の組成比率（比率ｙ／ｘ）を２未満とするマンガン酸化物（組成式：Ｍｎ_xＯ_y（比率ｙ／ｘ＜２））を含むマンガン酸化物層を有する、ことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】銅配線本体の開放表面に形成されるマンガンを含むバリア層に最適な内部構成を持たせて、そのバリア機能を充分に発揮させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】銅配線１は、電気絶縁層３に銅からなる配線本体８を備える。配線本体の外周８１は、電気絶縁層に対向している第１の外周８ａと電気絶縁層との間に形成された第１のバリア層７ａと、配線本体の外周のうち電気絶縁層に対向していない第２の外周８ｂに接して形成された第２のバリア層７ｂとを備える。第１および第２のバリア層はそれぞれマンガンを含む酸化物層からなるとともに、各バリア層内の厚さ方向でマンガンの原子濃度が極大となる位置を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体層あるいは画素電極との密着性が高い酸化被膜を形成して、配線材料等の酸化を防止できると共に、アモルファス・シリコンなどの半導体層とパッシベーション層に挟持されたソース電極あるいはドレイン電極が安定なオーミック接合性を有するＴＦＴ構造からなる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板上のＴＦＴ電極において、ソース電極３５２あるいはドレイン電極３５３が、銅を主体とした層と、該銅を主体とした層を被覆する酸化物４６からなることを特徴とする。さらに、前記ＴＦＴ電極において、半導体層４５あるいは画素電極３４と、前記ソース電極３５２あるいはドレイン電極３５３とが、オーミック接合していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】バリア層をさらに薄くしても、配線本体側からの銅の拡散や、絶縁膜側からの珪素の拡散に対する障壁作用を十分に保持して、絶縁膜の絶縁性確保、また配線の低抵抗化を実現することができ、それによって配線の線幅を減少させることができ、ＬＳＩの集積度も向上させることができるようにする。
【解決手段】この発明の銅配線は、シリコン基板の表面上に設けられ、珪素と酸素と炭素とを炭化水素基の形態で含むＳｉＯＣ絶縁層１０と、ＳｉＯＣ絶縁層１０上に形成され、添加元素の酸化物を含む銅合金からなるバリア層１５と、そのバリア層１５に接して形成され、銅を主成分としてなる配線本体１６とを備え、バリア層１５は、添加元素と炭素と水素とを含む酸化物からなり、その添加元素の原子濃度が最大となる当該バリア層内の厚さ方向の位置で、炭素と水素の各原子濃度が極大となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体層あるいは画素電極との密着性が高い酸化被膜を形成して、配線材料等の酸化を防止できると共に、導電率が高いソース電極あるいはドレイン電極を備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明では、液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板上のＴＦＴ電極において、ソース電極あるいはドレイン電極が、銅を主体とした層と、該銅を主体とした層を被覆する酸化物からなることを特徴とする。さらに、本発明は、前記ＴＦＴ電極において、半導体層あるいは画素電極と、前記ソース電極あるいはドレイン電極とが、オーミック接合していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板との密着性が高い酸化被膜を形成して、配線材料等の酸化を防止できると共に、導電率が高い配線、電極又は端子電極を備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明では、液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板の電極端子において、絶縁体上に形成された電極端子は、銅を主体とした導電層と、当該銅を主体とした導電層を被覆する酸化物からなり、さらに、当該酸化物は、透明電極との積層となる構造を有し、当該積層部がオーミック接合であることを有し、かつ、当該酸化物が酸化マンガンを主とすることを特徴とする。 （もっと読む）