【課題】極めて水、酸素の少ない環境下で薄膜の堆積、高誘電率絶縁薄膜やシリコンエピタキシャル膜を形成でき、かつ膜中の不純物として残留する水を極限まで低減させることが可能となる。
【解決手段】極低水分子・酸素分子排出装置２０４によりガス中の水濃度を１ＰＰＢ以下、酸素濃度を１０^−２１Ｐａ以下に制御した雰囲気ガスを反応室に流入させて、反応室内の脱水脱酸素処理を行ない、反応室内の水分圧を１０^−１０Ｐａ以下とし、その後原料ガスを導入し、水分量を１ＰＰＢ以下、酸素分圧を１０^−２１Ｐａ以下の超低水分、酸素分圧下でウエハ２０３上に薄膜を堆積する。 （もっと読む）

【課題】 極低酸素ガスを用い、二酸化炭素を炭素に還元し、二酸化炭素の削減を行う。
【解決手段】 二酸化炭素を含む混合ガスの酸素濃度を極低酸素分圧する。極低酸素分圧の二酸化炭素混合ガスを炭素還元装置内で加熱して二酸化炭素を還元し、炭素を取り出す。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置において、真空容器内壁および試料からの脱水を加熱なしに行ない、また極めて水の少ないガスの水分を安価な方法でモニターする極低水分ガス生成装置を提供する。
【解決手段】極低水分ガス生成装置で生成されたガスは、酸素分圧が１０のマイナス２９乗気圧以下１０のマイナス３５乗気圧以上、水分量が１ｐｐｂ以下０．８３ｐｐｔ以上となり、その極低水分ガスが処理装置内に導入され、内部の水分が除去され、そのガス中の酸素分圧を酸素センサで測定することにより、計算で水分量が求められるように、低水分ガス生成装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】水分量が１ＰＰＢ以下というこれまで実現しえなかった環境下での脱水を行うことができ、これにより、脱水時間を顕著に短縮し、残留水分を低減化する顕著な効果が得られ、また、極めて水の少ない環境下で半導体装置の製造を行い、半導体装置に不純物として残留する水を極限まで低減させることが可能となる処理システムを提供する。
【解決手段】酸素分子排出時に電圧印加をＯＮにし、酸素分子排出装置の電極間に電圧を印加して中空を通過するガス中の酸素分圧を制御する酸素分圧制御装置と、を備えるガス中の水分量を１ＰＰＢ以下に生成する極低水分ガス生成装置と、その極低水分ガス生成装置で生成された前記ガス中の水分量が１ＰＰＢ以下の極低水分ガスが導入され、該装置内部の水分が除去されてなる処理装置と、を備える処理システムとした。 （もっと読む）

【課題】産業利用を目的としたパーティクルの無い、極低酸素濃度ガスの供給を行う。
【解決手段】配管からのガスが通過する中空を有するセラミック製固体電解質体２１と金属製配管２０とを密封固着する酸素分子排出装置２６を備える。 （もっと読む）