【課題】補助電極構造を備えた立体型DRAMの提供。
【解決手段】本補助電極構造を備えた立体型DRAMは、基板(10)、該基板(10)上に形成された少なくとも一つのビット線(11)、該ビット線(11)上の成長領域(111)に形成された柱状体(20)、補助電極(40)、該基板(10)に平行で且つ該ビット線(11)に垂直なワード線(60)、該柱状体(20)に接続されたコンデンサ(70)を包含し、該ビット線(11)は該基板(10)にドーパントをドープし並びに拡散を実行して形成され、該補助電極(40)は該ビット線(11)の間隔領域(112)に設置され、並びに該柱状体(20)に隣接し、該ワード線(60)は該補助電極(40)と絶縁されて設置され、並びに該ビット線(11)と組み合わされて該コンデンサ(70)に電子データを入出力する。本発明は該補助電極(40)の設置により、該ビット線(11)の抵抗を制御できるようにすることで、該ビット線(11)の導電能力を向上する。 （もっと読む）