本発明は、薄膜を有するフォトリソグラフィ基板のプラズマエッチング中の臨界寸法性能を改良する方法を提供する。第１セットのプロセス条件を使用してフォトリソグラフィ基板上に不動態化膜が成膜される。第２セットのプロセス条件を使用してフォトリソグラフィ基板から成膜された膜がエッチングされる。第３セットのプロセス条件を使用して、フォトリソグラフィ基板の露出表面がエッチングされる。フォトリソグラフィ基板のプラズマ処理中、フォトリソグラフィ基板の成膜及びエッチングプラズマ処理を調整することによって、目標の均一性及びフィーチャの幅が確実に得られるようにするために、フォトリソグラフィ基板の臨界寸法性能が監視される。
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本発明は、約０℃〜約５０℃の初期温度を有する光リソグラフィ基板を室内の支持部材上に配置するステップを含む、光リソグラフィ基板の処理方法を提供する。伝熱流体を室内に導入して、光リソグラフィ基板を約０℃未満〜約マイナス４０℃未満の目標温度に冷却する。冷却された光リソグラフィ基板が初期温度に達する前に、冷却された光リソグラフィ基板にプラズマ処理が施される。
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本発明により、プラズマ加工用の、少なくとも１基板を担持する方法と装置が得られる。前記方法及び装置は、プラズマ加工用のプラズマ・システム内で基板支持体上へ、担体上に非接着状態で載置された基板を搬送するための担体を含んでいる。基板は、プラズマ加工中、基板支持体に結合された静電式クランプによって、担体を介して基板支持体に静電式に固定される。
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本発明は真空室内でフォトリソグラフィ用基体を処理する方法を提供する。同方法は、真空室内でフォトリソグラフィ用基体を処理する前に同基体を目標温度にまで冷却し、同真空室に少なくとも１種類のプロセス・ガスを導入し、同基体が目標温度に達したならば同プロセス・ガスからのプラズマを着火してそれによって同基体を処理し、そして同処理が終了したならば同基体を同真空室から取り出す。
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本発明は、交互に行われる周期的エッチング処理又は時分割多重プロセス中の終点を確立するための方法を与える。基体をプラズマ室内に入れ、エッチング工程と蒸着工程を有する交互に行われる周期的処理にかける。プラズマ放射強度の変動を、既知の光学的放射分光測定法を用いて監視する。エッチング副生成物によるプラズマ放射に基づき第一波長領域を選択し、プラズマ・バックグラウンドからのプラズマ放射に基づき第二波長領域を選択する。第一波長領域対第二波長領域の比を計算し、時分割多重プロセスから発生した信号の属性の監視を調節する。監視工程に基づく時間で終点に到達した時に、交互に行われる周期的処理を停止する。
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本発明は、基体のプラズマ処理中、プラズマシステムの上方電極内に配置された標準的ガスシャワーヘッドの標準的シャワーヘッド孔内に配置された光ファイバーセンサーを使用することによりプラズマ処理の光学的感知を改良するための方法及び装置を与える。フイルムの性質は、基体の表面からの測定プラズマ放射に基づいて計算することができる。フイルムの性質は、フイルムの蒸着速度、屈折率、フイルムの厚さ等にすることができる。測定されたフイルムの性質に基づき、基体のプラズマ処理を調節し、且つ／又は終止させることができる。更に、前記標準的シャワーヘッド孔を通るプラズマ放射を見るための上方電極組立体中に配置された窓が与えられている。
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本発明は、時分割多重エッチング・プロセス間に容器内の圧力を制御する方法を提供する。スロットル・バルブは、時分割多重エッチング・プロセスの少なくとも１つのステップにおいて開ループ圧力制御アルゴリズムに基づき制御する。ステップの圧力応答を所望の圧力応答と比較し評価する。さらに、所望の圧力応答の評価に基づき時分割多重エッチング・プロセスのステップ毎に比例、積分及び微分コントローラによりスロットル・バルブを位置決めする。
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本発明は、工程変化検出アルゴリズムを生成する方法を提供するものである。進化演算技法は、少なくとも１つの公知の工程変化を含む少なくとも１つの工程データセットに適用される。進化演算技法は、公知の工程変化の検出を最適化する工程状態関数（または既存の工程状態関数とともに用いるために設定された標準化係数）を生成する。生成された工程状態関数または係数は、その後、工程状態を検出するために後の（工程中リアルタイムで、または工程後の）データセットに適用することができる。
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本発明は、誘導結合プラズマらせん状誘導器を使用するプラズマ・エッチング処理間に、基板に亘ってエッチングの均一性を改良するための方法および装置を提供する。プラズマ装置は、真空チャンバ、基板を保持するための真空チャンバ内の支持部材、真空チャンバにエッチング用試薬ガスを提供するためのエッチング用試薬ガス供給源、真空チャンバと流動的に連絡している排気部、ＲＦ電源、および真空チャンバの一部分の周りあるいは近くに置かれているらせん状誘導器、を含む。センサは、処理属性を測定し、コントローラに信号を生成するために提供され、コントローラは、プラズマ・エッチングの均一性が改良されるように、それかららせん状誘導器の位置を変える機構を制御する。
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