【課題】好適な立体視３次元光学式測定システムおよび方法を提供すること。
【解決手段】立体視３次元光学式測定システム（１００）および方法は、表面形状の不連続性に関して高速かつロバストな態様で被検物（１２０）上の物理的フィーチャ（１２９）の位置を正確に測定する。開示された実施形態は、２つ以上の視点から、基点マーキング（１９９）を載せた実質的に透過性の基点プレート（１９０）を通して被検物（１２０）を撮像し得、カメラ（１１１、１１２）視野角、および被検物（１２０）上のフィーチャと１つ以上の基点（１９９）との間の見掛け相対距離は、フィーチャ位置の正確な計算を可能にし得る。 （もっと読む）

製造プロセスを評価するための方法を記載する。該方法は、光学ポンプビームパルスを生成することと、該光学ポンプビームパルスを試料の表面に向けることと、を含む。プローブパルスを生成し、該プローブパルスを該試料の該表面に向ける。プローブパルス応答信号を検出する。音響信号に応じて変化する該プローブパルスの変化は、プローブパルス応答信号を形成する。該試料を作るために使用される、１つ以上の製造プロセスステップの評価は、該プローブパルス応答信号に基づいて行われる。さらに、該方法は、ＣＭＰプロセスのプロセス制御に使用されてもよい。また、装置も記載される。 （もっと読む）

【課題】例えば、製造の中間段階においてウェハの少なくとも一つの画像を取り込むことを含む、ＥＢＲ線の検査に基づく半導体ウェハ製造プロセスのモニタリングのためのシステム及び方法。
【解決手段】取り込まれた画像は圧縮され、ウェハの少なくともエッジ区域の複合表現を生成する。この表現においてエッジビード除去領域が識別され、識別された領域から少なくとも一つの形状属性が抽出される。抽出された形状属性は自動的に評価され、この評価に基づいて製造プロセスの状況に関する情報が生成される。例えば、現在の製造段階の上流又は下流のいずれか（又は両方）において製造プロセスに対して推奨される修正を生成して実装できる。
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基板の種々の欠陥を検査するためのシステムおよび方法において、偏光フィルタを用いて、焦点ずれおよび露光欠陥のような偏光依存性の欠陥のコントラストを改善し、一方で、ピット、空隙、クラック、チッピング、および粒子のような偏光非依存性の欠陥に対しても同じ感度を保持する。
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半導体ウエハ等の品物の１つ以上の特徴を特性決定するために使用される、縁部特徴測定システムおよび方法。特性決定される特徴は、ウエハの縁部に隣接したレジスト層外側境界、および、要望に応じて、ウエハ縁部に隣接した他のウエハの特徴を含む。ある実施形態において、例えば、半導体ウエハの周縁部の周りでレジストが除去された場合、ウエハの縁部からレジスト層縁部までの相対距離を、画像化システムを介して検出することができる。他の実施形態において、ウエハの中心（または１つ以上のレジスト層の中心）が検出され、また望ましい場合は、ウエハ中心と１つ以上のレジスト層の中心との間の相対オフセットが検出される。 （もっと読む）

ウエハの性状を測定するための測定システムは、４点プローブシステム等の伝導率測定を実行するための装置を、光音響測定システム等の光学測定を実行するための装置と組み合わせたものである。薄膜基板の性質を記述した包括的なデータセットを提供するために、結果が取得され組み合わせられる。 （もっと読む）

光学計測システム（50）は、二酸化ケイ素、金属または半導体基板を覆う炭素ドープ酸化物のような光学的に透明な誘電体膜（310）の弾性係数を求めるための、データ解析方法を備える。屈折率は、偏光解析器で測定され、レーザ光線の波長は、レーザ分光計を使用して測定される。屈折角は、ウエハ表面に焦点を定めた光パルス（325）を導き、ウエハをz方向に移動して第１の一組の座標（x₁, y₁, z₁）（330）を測定し、ウエハ表面に光パルス（325）を導いて第２の一組の座標（x₂, y₂, z₂）を測定することによって求められ、これらの座標を用いて入射角を計算し、計算した入射角から屈折角を計算し、計算した屈折角から音速vを求めて、求めた音速vを用いて体積弾性係数を計算する。ツールごとの得られる結果の変動を約0.5%以下に抑えるために、ハードウェアの較正および光学計測システムの調整も提供される。 （もっと読む）