説明

テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッドにより出願された特許

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高電圧差動信号方式のためのドライバ回路(200)。この回路は、入力に応答して第1の出力で第1の正の遷移を生成する第1の正のドライバ(205A)を含む。この回路は更に、第1の正のドライバに結合され、電流の生成を可能にする第1の電流要素(210A)を含む。更に、この回路は、第1の電流要素(210A)に結合され、第1の電流要素に起因して、入力及び電流に応答して、第1の正の遷移の速度に類似する速度で、第2の出力で第1の負の遷移を生成する、第1の負のドライバ(215A)を含む。
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第1のDC電圧(VDD)を第2のDC電圧(VOUT)に変換するためのコンバータ(10)が、第1のDC電圧(VDD)及び誤差増幅器(20)の出力の両方に応答して第2のDC電圧(VOUT)を生成するための出力段(40)を含む。サンプリング回路(15)が、その第1の端子を第2のDC電圧に周期的に結合することにより分圧器(R0、R1)を周期的に励起し、励起された分圧器の出力(14)をフィードバック導体(7)に周期的に結合して、第2のDC電圧とフィードバック導体との間に結合されるフィードバックコンデンサ(CO)をリフレッシュさせる。フィードバック導体は、誤差増幅器の入力に結合される。

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周波数変調指数を制御する電子デバイスが、周波数変調指数制御ループ(14)を有し、制御ループ(14)は、周波数制御可能な発振器(16)の周波数出力(18)に接続されるように適合される入力(22)を有する。発振器(16)は中心周波数(Fc)を有し、制御ループ(14)の出力(34)は、周波数変調ユニット(38)の入力(36)に接続されるように適合され、制御ループ(14)は変調指数を判定するように適合される。更に提供されるのは、一定の変調指数を備えた中心周波数(Fc)を有する変調周波数Fmで制御可能な発振器(16)を周波数変調する方法である。
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本発明の一実施形態は、2相変調信号(BI−Φ_IN)を復号して出力符号を生成する復号器システム(10)を含む。このシステムは、第1論理状態に関連する第1フィルタ(12)を含み、第1フィルタは、2相変調信号の複数の連続デジタルサンプルと、第1フィルタのそれぞれ複数のタップ重みとの第1ドット積を生成するように構成される。このシステムは、第2論理状態に関連する第2フィルタ(14)も含み、第2フィルタは、2相変調信号の複数の連続デジタルサンプルと、第2フィルタのそれぞれ複数のタップ重みとの第2ドット積を生成するように構成される。このシステムはさらに、第1ドット積と第2ドット積を比較し、この比較に基づいて第1論理状態および第2論理状態の一方を有するビットとして出力符号を提供するように構成されるコンパレータ(16)を含む。

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バッテリセルタブ監視装置(100)が、2個のバッテリセル(110、115)間に電気的に接続される導電要素(105)を含む。導電要素は、導電要素から電流をプルするように接続されるプルダウン電流源(125)及び/又は導電要素へ電流を駆動するように接続されるプルアップ電流源(130)を含む検知回路(120)に接続される。プルダウン電流源及びプルアップ電流源の動作の間電圧を検知するように電圧測定回路(150)が接続され、導電要素の状態を判定するために使用される。例えば、或る固定又は可変閾値を超える電圧が、導電要素の破損の前兆でありうる導電要素の曲がり又は亀裂を示す。別の固定又は可変の閾値を超える電圧が導電要素が完全に切断されていることを示す。検知電流をプッシュする又はプルするために使用される電流源が、バッテリセル(110、115)の不平衡が検出された時にそれらを平衡化するためにも用いられうる。

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5線タッチスクリーンシステムが、ワイパ(11)およびワイパに整合される抵抗性層(16)と、第1(UL)、第2(UR)、第3(LR)、および第4(LL)の抵抗性層コンタクトを含むタッチスクリーン(10)を含む。スクリーンへのタッチによりワイパの小部分が抵抗性層に対して押されて、抵抗性層上のタッチポイントにおいてワイパと抵抗性層との間にタッチ抵抗(R)が生成される。ワイパおよび様々なコンタクトがそれぞれ第1(VDD)および第2(GND)の基準電圧に選択的に結合されて、タッチポイントにおけるアナログタッチ電圧(V)が生成される。ワイパおよび様々なコンタクトがADC(48)のアナログ入力(56)および基準電圧入力に選択的に結合されて、タッチ電圧(V)がデジタル表現に変換される。タッチポイントにおけるアナログ電圧(V)および(V)が、ADCによって対応するデジタル表現に変換される。

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LLCコンバータを含む装置、及びLLCコンバータ内のサージ電流を低減する方法が開示される。LLCコンバータ(100)は、第1のスイッチ(SW1)及び第2のスイッチ(SW2)を有するスイッチング回路(102)、共振回路、及び整流回路(106)を含む。前記LLCコンバータのスタートアップの間、固定期間及び可変デューティ・サイクルを有する第1及び第2の信号が、それぞれ前記第1及び第2のスイッチ(SW1、SW2)に印加される。整流回路(106)に結合されるように構成される負荷にかかる電圧が所定の電圧に達すると、前記第1及び第2の信号が、可変期間及び固定デューティ・サイクルを有する信号に変更される。

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集積回路が、スマートユーティリティネットワーク通信の一つ又は複数の第1のサブキャリア内の一つ又は複数の第1のデータシンボルを一つ又は複数の第2のサブキャリア内の一つ又は複数の第2のデータシンボルとして符号化するように構成されるロジックを含む。

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第1出力(Vo−)を規定し、第1入力端子(330A)に結合されるゲートを各トランジスタ(315A、320A)が有する第1対のトランジスタ(305A)、第2出力(Vo+)を規定し、第2入力端子(330B)に結合されるゲートを各トランジスタ(315B、320B)が有する第2対のトランジスタ(305B)、第2出力端子(310B)に及び第1対のトランジスタの第1トランジスタ(315A)のゲートに結合される第1キャパシタ(350A)、第2出力端子(310B)に及び第1対の第2トランジスタ(320A)のゲートに結合される第2キャパシタ(355A)、第1出力端子(310A)に及び第2対の第3トランジスタ(315B)のゲートに結合される第3キャパシタ(350B)、及び第1出力端子(310A)に及び第2対の第4トランジスタ(320B)のゲートに結合される第4キャパシタ(355B)を含む増幅器(230)。

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説明した例の半導体デバイスは、半導体基板及び金属コンタクトパッドの上に形成される不活性化層を含む。ENIG無電解めっきプロセスを用いて不活性化層及び金属コンタクトパッドの上にニッケルが、ニッケルの上に金が堆積される。ニッケルは、ニッケルの不活性化層とのインタフェースに及びニッケルの不活性化層及び金属コンタクトパッドとの接合に多孔質ニッケルのない第1非多孔質ニッケル領域(250A)を含み、第1ニッケル層の上の多孔質ニッケル領域(270)も含む。多孔質ニッケル層の上に金領域(260)がある。第2非多孔質ニッケル領域(250B)が多孔質ニッケル領域と金領域との間にあってもよい。金リッチ・ニッケル領域(275)が、多孔質ニッケル領域と金領域との間にあってもよい。堆積されるニッケル及び堆積される金の相対的厚さは、無電解金めっきプロセス中にニッケル層の腐食がデバイス層に達しないように選択される。

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