滞りなくシャットダウンを可能にするのに充分長い時間の間シャットダウン時にエネルギーを供給するため、入力ノード（ＮＩＮ）、入力ノードに結合される内部コンデンサ（ＣＩＮＴ）、出力ノード（ＮＯＵＴ）、「ｄｙｉｎｇ ｇａｓｐ」電力シャットダウン充電コントローラ（１００）を含む装置が開示される。充電コントローラ（１００）は、ダンプ回路（１０４）及びポンプ回路（１０２）を含む。ダンプ回路（１０４）は、出力ノード（ＮＯＵＴ）の電圧がプリチャージ電圧より低いとき、スタートアップ時に入力ノード（ＮＩＮ）から出力ノード（ＮＯＵＴ）にチャージを供給する。ダンプ回路（１０４）は、入力ノードの電圧がｇａｓｐ電圧（ＶＧＡＳＰ）を下回るとき、出力ノードから入力ノードにチャージを供給する。ポンプ回路（１０２）は、出力ノード（ＮＯＵＴ）の電圧が充電電圧（ＶＭＡＸ）より低いとき、入力ノード（ＮＩＮ）から出力ノード（ＮＯＵＴ）にチャージを供給する。

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パーティションを設けたスキャン・チェーンを備えた集積回路（ＩＣ）に実装されたテスト・コントローラが、スキャンテストを実行する際に向上した制御を提供する。一つの側面に従って、テスト・コントローラは、独立しているべき、ＩＣの異なるスキャン・チェーンに対するスキャンテストのスキャンイン、スキャンアウト、及びキャプチャ位相を選択的に制御できる。外部テスターとインタフェースするためにテスト・コントローラに必要なピンの数は、そのテスト・コントローラがサポートし得るパーティションの数より少ない。別の側面に従って、ＩＣは、遷移故障（又はＬＯＳ）テストをサポートするため各パーティションに対応するレジスタを含む。別の側面に従って、パーティションを設けたスキャン・チェーンを備えたＩＣが、シリアル−パラレル及びパラレル−シリアル変換器を含み、それにより、スキャンテストをサポートするために必要とされる外部ピンを最小限にする。
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同期整流器制御のためのシステム及び方法が提供される。同期整流器は、寄生ドレイン・インダクタンス及び寄生ソース・インダクタンスを含む。寄生インダクタンスの影響を相殺するため、補償インダクタンスが導入される。補償インダクタンスは、半導体ダイ上のトレース・インダクタンスから形成され得る。或る半導体パッケージにおいて、寄生インダクタンスは実質的に固定されて、そのレイアウトが、固定された補償インダクタンスを生成するように変更され得るようにしてもよい。
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同期化ヘッダーの一部としてショート・トレーニング・フィールドを及び前記同期化ヘッダーの一部としてロング・トレーニング・フィールドを含むパケットを生成（７１０）し、更に、無線ネットワーク内の通信のため前記パケットを用いる（７１２）ように構成されるロジックを含む、集積回路。
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信号を変調し符号化するシステムおよび方法が開示される。メディアアクセス制御（ＭＡＣ）層からのデータが畳み込み符号化される（１１０３）。ＭＡＣ層からのデータのロバストな符号化（１１０２、１１０４）が、この畳み込み符号化（１１０３）の前または後に実施される。符号化されたデータは差動変調され（１１０７）、次いで、直交周波数分割多重化されて（１１０８）、電力線ネットワーク上を送信されるのに適合したＯＦＤＭ出力信号が生成される。ロバストな符号化は、反復２符号化（１１０４）または反復Ｎ符号化（１１０４）とし得る。ロバストな符号化は、畳み込み符号化（１１０３）の前に外部符号（１１０２）を付加してもよい。ロバストな符号化は、畳み込み符号化（１１０３）の前に実施されるリードソロモン符号化（１１０２）としてもよい。ロバストな符号化を識別するためのオプションのヘッダ（７０２）も、ヘッダ（７０２）を復号する方法とともに開示する。
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トランスミッタ（３０１）及びレシーバ（３０２）が電力線（３０３）の一つ又はそれ以上の位相（３１、３２、３３）に接続される電力線伝送のためのシステム及び方法が開示される。前記電力線ネットワーク（３０３）で送信されるべき少なくとも１つのシンボル・ストリーム（ｘ）が生成される。前記少なくとも１つのシンボル・ストリーム（ｘ）は、重みベクトルを用いてスケーリングされて、複数のスケーリングされたシンボル・ストリーム（ｓ_１、ｓ_２、ｓ_３）を生成する。前記重みベクトルは、それぞれ前記電力線ネットワーク（３０３）の位相（３１、３２、３３）に対応する、複数の重み（υ_１、υ_２、υ_３）を含む。前記スケーリングされたシンボル・ストリーム（ｓ_１、ｓ_２、ｓ_３）の各々は、前記電力線ネットワーク（３０３）の対応する位相（３１、３２、３３）で送信される。ゼロクロス検出器（１４１１）が、レシーバ（１３１２ａ〜ｎ）のための位相情報を識別する。コンセントレータ（１３１４）は、前記レシーバ（１３１２ａ〜ｎ）に関連する前記位相に基づいて前記レシーバ（１３１２ａ〜ｎ）へ送信されるよう信号を適合させる。
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バッテリー（５２、１０２、１５０、２０２）の充電状態を判定するためのシステム（５０、２００）及び方法が提供される。前記システム（５０、２００）は、バッテリー（５２、１０２、１５０、２０２）に充電電流を供給するように構成される電源（５６、２０６）を含む。コントローラ（５４、１０４、２０４）が含まれ、インピーダンスに基づく期間の間のバッテリー（５２、１０２、１５０、２０２）のインピーダンスに基づいたバッテリー（５２、１０２、１５０、２０２）の充電状態、及び充電期間の間のバッテリー（５２、１０２、１５０、２０２）の充電状態関係を判定するように構成される。

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【課題】 半導体デバイス、特に、ポリシリコン抵抗器及びその製作に関する技術を提供する。
【解決手段】 本発明は、余分な半導体製作工程段階を追加する必要なしに、異なるシート抵抗値のポリシリコン抵抗器を有する半導体デバイスの製作を可能にする。半導体デバイスの上に酸化物層が形成される（１０４）。酸化物層上にポリシリコン層が形成される（１０６）。ポリシリコン層は、ポリシリコン抵抗器を形成するためにパターン化される（１０８）。ポリシリコン抵抗器の選択した割合が露出したポリシリコン抵抗器マスクが、ポリシリコン抵抗器上に形成される（１１０）。選択されたドーパントが注入され（１１２）、これが、ポリシリコン抵抗器の抵抗率を修正する。マスクが除去され（１１４）、ポリシリコン抵抗器を通して実質的に均一な濃度まで注入ドーパントを拡散する熱活性化処理が行われる（１１６）。 （もっと読む）

【課題】半導体素子及び特にコンデンサの誘電体が反射防止材料を含む集積回路コンデンサを提供する。
【解決手段】集積回路（ＩＣ）製造工程の一部として形成されるコンデンサ（１００）。コンデンサは、導電上部及び下部電極（１４０、１４４）と非導電コンデンサ誘電体（１４２）とを有する。一例において、誘電体は、反射防止材料（１１８）の層を挟む第１及び第２の薄い誘電体層（１１２、１１４）を含む。これらの薄い層は、コンデンサに必要な誘電挙動をもたらし、一方、反射防止層は、とりわけ、反射された定常波を軽減することによって形態サイズの縮小を容易にする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板をドープする方法、特に、注入源に対する基板の傾斜角を変えることによってドーパントを注入する方法を提供する。
【解決手段】基板にドーパントを注入する方法、及びそのような注入を利用して半導体素子を製造する方法。ドーパントを注入する方法は、他の段階の中でもとりわけ、注入プラテン（３０５）上又はその上に位置する基板（３１０）を注入源（３２０）に対して第１の方向の軸線に関して傾斜させる段階と、第１の方向に傾斜した基板（３１０）を使用して注入線量の一部分を注入する段階と、次に、基板（３１０）を第１の方向と反対の第２の方向に傾斜させる段階と、第２の方向に傾斜した基板（３１０）を使用して注入線量の別の部分を注入する段階とを含む。 （もっと読む）