【課題】ガスクラスターイオンビーム処理システムにおいて、空間電荷現象や試料帯電の低減および照射電流量の測定精度を改善する。
【解決手段】通気型ファラデーカップ３０２は、ガスクラスタイオンビーム１２８を受領する表面を有した導電性衝撃プレート３０８と、該衝撃プレート３０８を包囲し、その前方で延びてカップ形状を提供し、間隔を開けて配置された複数の同軸導電リング電極を含んだ通気型容器と、該衝撃プレート３０８によって回収された電流を電流測定システム３５８に導く導電手段と、を含んで構成されており、前記導電リング電極は少なくとも２体のリング電極で成る少なくとも３群で構成されて電気的に接続されており、それぞれの群は独立的にバイアスされており、本カップ内外への不都合な荷電粒子漏出を防止する。 （もっと読む）

【課題】
基板上に作製されるゲルマニウムまたはＳｉＧｅチャネルを有する、ｐ−チャネルＭＩＳＦＥＴおよびｎ−チャネルＭＩＳＦＥＴの両方を提供する。
【解決手段】
傾斜ＳｉＧｅチャネルまたはＧｅチャネルを有する、シリコン基板（５０２）上の自己整列ＭＩＳＦＥＴトランジスタ（５００Ｈ）。チャネル（５２６）は、ガスクラスタイオンビーム（５２４）照射を用いて形成され、従来のシリコンチャネルＭＩＳＦＥＴより高いチャネル移動度を提供する。上記トランジスタの製造方法は、ガスクラスタイオンビーム処理ステップで強化され、ＳｉＧｅまたはＧｅチャネルを形成する置換ゲート工程に基づく。該チャネルは、補足ステップであるガスクラスタイオンビーム処理によって、あるいは、増移動度チャネルと同時にドープすることもできる。 （もっと読む）

集積回路のための相互接続構造体における使用のための銅相互接続配線層（602）の表面上のキャッピング層（614）およびガスクラスタイオンビーム処理の適用による集積回路のための改良された集積相互接続構造体を形成する方法。低減された銅拡散と改善されたエレクトロマイグレーション寿命が結果として得られ、また選択的金属キャッピング技法の使用とそれらに付随する歩留まり問題とが回避される。 （もっと読む）

ガスクラスターイオンビーム形成のためのイオナイザであって、ガスクラスタージェットが横切るイオン化領域を部分的に画定する入力端および出力端と、ガスクラスターイオンビームを形成するためにガスクラスターの少なくとも一部をイオン化する電子を、イオン化領域に対して与える少なくとも一つのプラズマ電子源とを含むイオナイザが開示される。ガスクラスタージェット軸の周りに円筒状に、かつ、実質的に平行に配列された実質的に直線状の棒型電極の１以上のセットを有し、いくつかのセットが、異なる径を有する同心円筒状に配置される。一つの具体例において、イオナイザは、１以上の実質的に直線状の熱イオンフィラメントを含み、該フィラメントがガスクラスタージェット軸に平行に配置される。またイオナイザは、加熱手段、熱イオンフィラメントに対して電子反発作用を起こすために直線状の棒型電極のセットを正確にバイアスする電気バイアス手段を含む。 （もっと読む）

イオンビーム加速システムにおいて、過渡電流アーク抑制およびイオンビーム加速バイアス回路が記載されている。回路の２つのターミナルは、直列に接続可能で、自動的にアーク状態を検出し、電源と負荷のターミナル間で比較的低い抵抗の電気回路を与える第一の操作状態から、比較的高い抵抗の電気回路を与える第二の操作状態にスイッチすることでアークを抑制する。回路部品の特徴的選択により、アークが抑制された後に第二状態から第一状態へ回復する遅延速度を制御することができる。 （もっと読む）