【課題】シリコン基板と窒化物半導体層との界面において発生するクラックが無い半導体基材とこの基材から得られる半導体素子並びにこれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板と、該シリコン基板上に形成された窒化物半導体層からなり、前記シリコン基板が、平面視格子状に形成された溝を介して所望の窒化物半導体素子のサイズに応じた複数の領域に区画されており、前記窒化物半導体層が、該複数の領域の夫々に独立して形成されており、前記シリコン基板と前記窒化物半導体層との間にＢＮ系バッファ層が介在してなる半導体基材とし、この基材を分割して半導体素子を得る。 （もっと読む）

【課題】単一材料からなる窒化物半導体層により、深紫外から赤外まで波長を変化させることが可能であるとともに、成膜時の制御を容易に行うことができる半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】基板上に発光層を含む窒化物半導体層が形成されてなる半導体素子であって、前記窒化物半導体層が、Ａｌ_ｘＩｎ_{（１−ｘ）}Ｎ（０＜ｘ＜１）で表されるＡｌＩｎＮ混晶のみからなることを特徴とする半導体素子とする。 （もっと読む）