【課題】外部からの応力やチップと搭載基板の熱膨張係数の不整合により半田ボールにひび割れが発生することを防止したビルドアップ層を備えたウェーハレベルパッケージ構造を提供する。
【解決手段】低誘電率（Ｌｏｗ−ｋ）と高い伸び性質を有する弾性材料を、半導体装置パッケージングのビルドアップ層に使用される誘電層３０５の材料として使用することで、特に基板レベル温度サイクル試験の信頼性を向上させることができる。原則として、誘電層３０５は、ＣＴＥ（熱膨張係数）不整合問題による応力を吸収することができる。 （もっと読む）

【課題】低コスト、高性能および高信頼性パッケージを与えるチップおよび導電トレースを備えた半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体ダイアセンブリ用の相互接続構造であって、予め形成された配線回路をその中に形成される基板１００と、活性表面上にコンタクトパッド１０２を有するダイ１０５と、基板１００の上にダイ１０５を接着するために基板１００の上に形成される接着材１１０であって、この基板１００が、基板１００および接着材中のバイア１１５を含む接着材１１０と、このバイア１１５の中に再充填されてダイ１０５のコンタクトパッド１０２を基板１００の配線回路に接続する導電材料１１５とを備えることを特徴とする構造。 （もっと読む）

【課題】薄型した半導体チップに再配線を効率的に行える手段を提供する。
【解決手段】個片化されたチップ４０６の能動面を治具と対向させた状態で整列させ裏面と側面を樹脂で封止後、所定の厚さ迄研削で薄くして基板５２０に貼り付け、治具を剥離する。その後複数のユニットの基板面を台座に貼り付けチップの能動面上に再配線７３０、絶縁層７２０、はんだボール７４０を設けた後、台座を剥離し、ダイシングにより個々の半導体装置を得る。 （もっと読む）

【課題】除去可能な保護膜を利用する画像センサパッケージの構造体の提供。
【解決手段】該構造体には、ダイ受容穴及び相互接続用貫通孔を有する、基板を備える。端子パッドを、相互接続用貫通孔の下に形成し、金属パッドを基板の上面に形成する。ダイを、接着材料によってダイ受容穴内に配置する。ボンディングパッドを、ダイの上縁部に形成する。ボンディングワイヤを、金属パッドとボンディングパッドに結合する。保護層を、マイクロレンズをパーティクル汚染から保護するために、マイクロレンズ領域に形成する。除去可能な保護膜を、保護層を覆い形成して、パッケージ及び組立工程中にマイクロレンズを水、油、埃又は一時的な衝撃から保護する。 （もっと読む）

【課題】熱膨張率（ＣＴＥ）による不整合の問題がなく、小さいサイズのファンアウトウエハレベルパッケージング構造を提供する。
【解決手段】ダイ収容スルーホール４、接続スルーホール構造２２および第１のコンタクトパッド３を備えた基板２と、ダイ収容スルーホール４内に配設されるマイクロレンズ域６０を有するダイ６と、マイクロレンズ域６０を覆う透明カバー６８と、ダイ６の下に形成されて、ダイ６とダイ６の側壁収容スルーホール４との間の間隔内に満たされる周囲の材料２４と、ダイ６および基板２上に形成される誘電層１２と、誘電層１２上に形成されて、第１のコンタクトパッド３に接続される再分配層（ＲＤＬ）１４と、ＲＤＬ１４の上に形成される保護層２６と、基板２の下部表面で、および、接続スルーホール構造２２の下に形成される第２のコンタクトパッド１８と、保護層２６上に形成される透明ベース６８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】小型、高信頼、低コストの半導体素子パッケージを提供する。
【解決手段】第１のダイ収容スルーホール２０３をその上に形成される第１の基板２０２と、それぞれ、第１のダイ収容スルーホール２０３内に配設される、第１のボンディングパッド２１６を有する第１のダイ２２０および、第２のボンディングパッド２１８を有する第２のダイ２２２と、第１および第２のダイ２２０、２２２と第１の基板２０２の第１のダイ収容スルーホール２０３の側壁との間の間隔内に形成される接着材料２０８と、第１の基板２０２上に形成される第１のコンタクトパッド２１０をそれぞれ、第１のボンディングパッド２１６および第２のボンディングパッド２１８に接続するように形成される再分配配線２２６と、再分配配線２２６、第１のダイ２２０、第２のダイ２２２および第１の基板２０２上に形成される保護層２３２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】サイズが縮小され、熱放散及びアースシールドが良好なパッケージ構造体を提供する。
【解決手段】構造体は、熱放散およびアースシールドを行うために、導電層１０４、１０６と、導電物質が充填されたスルーホール１０２とを有する基板１００を備える。熱放散を実現するために、ボンディングパッドを備えたチップ１１０が、高い熱伝導性を有する接着剤１１４によって、導電層１０４に装着される。ボンディングパッドと、基板上に形成された接触パッド１０８を結合するために、ＲＤＬ１１８が基板およびチップの上に形成される。 （もっと読む）

【課題】温度サイクルの良好なボードレベル信頼性も提供する良好なＣＴＥ性能と収縮寸法を備える半導体装置パッケージを提供する。
【解決手段】予め形成されたダイス受容空洞１０５、及び上面内に形成された端子接触金属パッド１１２を備える基板１０２を備え、少なくとも第１ダイス１０４はダイス受容空洞内に設置され、第１誘導層１１０は、第１ダイスと基板上と、第１ダイスと基板との間の間隙へ形成され、それらの間で熱機械応力を吸収する。第１再配分層（ＲＤＬ）１１４は第１誘電層上に形成され、第１ダイスへ結合される。第２誘電層１１６は第１ＲＤＬ上に形成され、第２ダイス１２０は第２誘電層上に設置され、そしてその上で貫通孔１２６を有するコアーペースト１２４により囲まれる。第２再配分層（ＲＤＬ）１２８はコアーペースト上に形成され、貫通孔を充填する。第３誘電層１３０は第２ＲＤＬ上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ダイスルーホールを備えた基板を含むパッケージの構造、および基板を通して形成されたコンタクトスルーホール構造を提供する。
【解決手段】端子パッド８はコンタクトスルーホール６構造下で形成され、コンタクトパッド８は基板２の上部表面上で形成される。マイクロレンズ領域４２を有するダイ１６は、粘着によってダイスルーホール内に配列される。ワイヤボンディングはダイおよび基板上で形成され、ワイヤボンディング２４はダイ１６とコンタクトパッド２２とに結合される。保護層２６はワイヤボンディングをカバーするために形成される。透明カバー３６はマイクロレンズ領域を露出するために粘着によってダイスルーホール内のダイに配列される。導電性バンプは端子パッドに結合される。 （もっと読む）

【課題】ダイ収容スルーホールおよびスルーホール接続構造を有する半導体素子パッケージを提供する。
【解決手段】この半導体素子パッケージ１００は、基板１０２であって、ダイ収容スルーホール１０５、スルーホール接続構造１１４、基板の上面の第１の導体パッド１１３、および基板の下面の第２の導体パッド１１５を有する基板を備える。ダイが、ダイ収容スルーホール内に配置される。第１の接着材料１０６がダイの下に形成され、第２の接着材料１０７が、ダイと基板のダイ収容スルーホールの側壁とのギャップに充填される。さらに、ボンディングワイヤ１１２が、ボンディングパッド１０８と第１の導体パッドとを結合するように形成される。誘電層１１８がボンディングワイヤ、ダイ、および基板上に形成される。 （もっと読む）