説明

廣▲か▼光電股▲ふん▼有限公司により出願された特許

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【課題】発光効率を向上させることができる発光デバイスを提供する。
【解決手段】発光デバイス30は、導電基板31と、金属反射層33と、異なる屈折率を有する二種或いは二種以上の材料が順に積層して形成される積層膜構造35と、透明導電層37と、半導体積層39とを含む。前記金属反射層は、前記導電基板の上に形成されている。前記積層膜構造は、前記金属反射層の上に形成されている。前記積層膜構造は、絶縁層と、積層膜構造を貫通して形成される少なくとも1つの穴構造352とを含む。前記透明導電層は、前記積層膜構造の上に形成され、前記半導体積層は、前記積層膜構造の上に形成されている。 (もっと読む)


【課題】II-Vグループ(またはII-IV-Vグループ)化合物接触層のある半導体発光装置および同装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板、第1伝導型半導体材料層、発光層、第1電極、第2伝導型半導体材料層、II-Vグループ(またはII-IV-Vグループ)化合物接触層、透明伝導層および第2電極が含まれ、II-Vグループ(またはII-IV-Vグループ)化合物接触層が存在することによって、第2伝導型半導体材料層および透明伝導層の間のオーム接触を改善する。 (もっと読む)


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