ドープ酸化金属皮膜を作製する方法であり、ステップ：
（ａ）真空槽内に半導体基板を準備する；（ｂ）不活性キャリアガスの存在下で前記槽内に少なくとも金属（Ｍ）、酸素（Ｏ）およびドーパントイオンを含むプラズマを発生させる；（ｃ）前記プラズマから前記基板上にドープ酸化金属（ＭＯ）皮膜を形成する；および（ｄ）ステップ（ｃ）の間、前記基板上にｎ型ＭＯ皮膜およびｐ型ＭＯ皮膜の少なくとも１つを形成するために、前記プラズマ内の前記ドーパントイオンに対するＯイオンの量を制御する、を含む、前記方法。ドープ酸化金属皮膜を作製するシステムもまた開示する。
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